1、概(gai)述(shu)
溅射(she)属于物理气(qi)相沉(chen)积(ji)（PVD）技术(shu)的(de)一(yi)种，其工(gong)作(zuo)原理(li)是(shi)在真(zhen)空(kong)中利用(yong)离(li)子源(yuan)产生的(de)高(gao)速(su)离(li)子束流轰击溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)表面，高(gao)速离子束(shu)中离(li)子和靶(ba)材(cai)表面(mian)的(de)原(yuan)子(zi)产生动(dong)能(neng)交换(huan)，使得(de)靶(ba)材表(biao)面的原(yuan)子(zi)离开(kai)靶(ba)材表(biao)面并沉积在基(ji)底表面。利用(yong)各(ge)种(zhong)高纯单质贵金(jin)属及(ji)新(xin)型(xing)合金及化(hua)合(he)物(wu)制(zhi)得(de)的(de)功能(neng)薄(bao)膜(mo)则(ze)为(wei)高纯溅(jian)射(she)靶(ba)材。21 世纪(ji)以来，新型溅(jian)射技(ji)术(shu)出(chu)现，使得高(gao)纯(chun)金属(shu)溅射靶(ba)材(cai)成为(wei)热(re)点(dian)材料(liao)。
靶材(cai)的纯(chun)度(du)与沉(chen)积(ji)薄(bao)膜(mo)的(de)纯(chun)度(du)息(xi)息相(xiang)关，靶材中(zhong)的(de)杂(za)质(zhi)会使得(de)薄(bao)膜(mo)电(dian)阻率的(de)增加(jia)，从(cong)而(er)影响(xiang)薄(bao)膜均(jun)匀(yun)性(xing)，最(zui)终(zhong)降低(di)器件的良(liang)品率(lv)。目前，高纯(chun)度甚至(zhi)超(chao)高纯度(du)靶材(cai)是(shi)高(gao)端集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)半(ban)导体芯(xin)片的(de)必(bi)备材(cai)料(liao)，一般来讲，其(qi)纯(chun)度需≥ 99.999%。如何持(chi)续(xu)降低靶(ba)材(cai)中(zhong)杂(za)质元(yuan)素的(de)含量，提(ti)升靶(ba)材的(de)纯度(du)是(shi)目(mu)前(qian)靶(ba)材制(zhi)备技术发(fa)展的热(re)点(dian)。
众(zhong)所(suo)周知，生(sheng)产(chan)高(gao)纯(chun)溅(jian)射(she)靶(ba)材的基(ji)础是(shi)对(dui)金(jin)属材料进行(xing)提纯(chun)，化学以(yi)及(ji)物理提纯(chun)是(shi)目前制(zhi)备(bei)高纯(chun)金属(shu)常(chang)见(jian)的两种方(fang)式，也(ye)可将化(hua)学(xue)提(ti)纯和(he)物(wu)理(li)提(ti)纯(chun)结合使(shi)用(yong)。金(jin)属材(cai)料(liao)提(ti)纯后，
一(yi)般(ban)需配(pei)比其他(ta)类型(xing)金属(shu)元(yuan)素(su)进行(xing)后续(xu)使(shi)用。
目(mu)前，在(zai)高纯溅射靶(ba)材(cai)行(xing)业中，跨国公(gong)司的(de)优(you)势比较明显(xian)，特别是日(ri)本(ben)等(deng)国(guo)家的(de)半导(dao)体(ti)行业(ye)发展相继(ji)催(cui)生(sheng)了(le)一(yi)批(pi)高(gao)纯溅(jian)射(she)靶材(cai)生产厂商。但(dan)是(shi)近(jin)年(nian)来(lai)国(guo)内(nei)靶(ba)材厂商(shang)发展(zhan)迅速，逐渐(jian)缩(suo)小(xiao)与国(guo)外(wai)厂商(shang)的(de)差距(ju)，经(jing)过(guo)数年科(ke)研(yan)攻(gong)关(guan)、技术累积(ji)，国(guo)内(nei)企业已经(jing)拥(yong)有部(bu)分(fen)产品(pin)的规模化(hua)生(sheng)产(chan)能力和(he)供应水平。
本文主(zhu)要研(yan)究高纯(chun)溅射(she)靶材(cai)全(quan)球(qiu)专(zhuan)利申请状(zhuang)况及(ji)其技术进展，数据(ju)检(jian)索选(xuan)用(yong)中(zhong)国(guo)专(zhuan)利(li)文摘数(shu)据库(ku)（CNABS）和(he)德(de)温特(te)世界(jie)专利索(suo)引数据库(ku)（DWPI）。通(tong)过关(guan)键字(zi)和(he)分类(lei)号在数据(ju)库中检(jian)索获(huo)得初步结果，通过(guo)浏览配(pei)合分(fen)类号(hao)去除明显噪声。数(shu)据检索(suo)截(jie)止(zhi)时(shi)间(jian)为2021 年12 月(yue)31 日(ri)。
2、专利申(shen)请情(qing)况(kuang)分(fen)析(xi)
2.1 申请(qing)量分(fen)析(xi)
高(gao)纯(chun)溅(jian)射靶(ba)材(cai)专利申(shen)请情况如(ru)下(xia)：
2.1.1 技(ji)术萌芽期
阴(yin)极(ji)溅(jian)射(she)现(xian)象(xiang)是(shi)1842 年在(zai)格罗(luo)夫才(cai)实(shi)验室发(fa)现的(de)，20世(shi)纪(ji)初期(qi)，只(zhi)有(you)化(hua)学活性(xing)极(ji)强(qiang)的(de)材料(liao)、介(jie)质(zhi)材(cai)料(liao)等(deng)采(cai)用(yong)溅射(she)技(ji)术(shu)，20 世纪(ji)70 年(nian)代，随着磁控溅射(she)技术(shu)出现，溅射靶材(cai)开始(shi)应用于实(shi)验和小型(xing)生(sheng)产，20 世纪(ji)80 年(nian)代，溅(jian)射(she)技(ji)术(shu)进(jin)入(ru)工(gong)业(ye)化生(sheng)产的应(ying)用领域，所(suo)以(yi)这段(duan)时间专利(li)申请(qing)有(you)小(xiao)幅上(shang)涨(zhang)的趋(qu)势(shi)，但是整(zheng)体(ti)数(shu)量(liang)较(jiao)少(shao)，这与技(ji)术(shu)发展的(de)水平是(shi)相(xiang)关(guan)的(de)。
2.1.2 技(ji)术(shu)发(fa)展(zhan)期
21 世纪(ji)以来(lai)，新型(xing)溅(jian)射技术出现(xian)、相(xiang)关(guan)薄(bao)膜技(ji)术的不(bu)断(duan)进(jin)步(bu)、集(ji)成电(dian)路和微电子(zi)行(xing)业(ye)等应(ying)用领域(yu)出(chu)现(xian)爆发(fa)式(shi)的发展，对高(gao)纯(chun)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)关(guan)注(zhu)也与日俱(ju)增(zeng)，因(yin)此(ci)，专(zhuan)利申(shen)请(qing)量(liang)开始(shi)逐
步(bu)增加(jia)。21 世(shi)纪初我(wo)国的(de)相关研究(jiu)才开始(shi)起(qi)步，前期(qi)主(zhu)要(yao)处(chu)于探索(suo)阶(jie)段，2008 年全球(qiu)性经(jing)济萧条，导致(zhi)靶材(cai)供货(huo)减(jian)少和市场(chang)需求(qiu)疲软(ruan)，全球溅(jian)射靶材专(zhuan)利申请(qing)量波(bo)动不大，而我(wo)
国(guo)从战(zhan)略高度关注(zhu)支(zhi)持(chi)电(dian)子材(cai)料(liao)行业的发展，专(zhuan)业从事高(gao)纯(chun)溅(jian)射靶(ba)材研发(fa)和生(sheng)产的(de)国(guo)内企业开始出(chu)现，且(qie)高(gao)校和(he)科研(yan)院所的(de)研(yan)发(fa)热(re)情也比较(jiao)高涨，研制出了部(bu)分高端应(ying)用领域(yu)的溅
射靶材(cai)，为该(gai)领(ling)域(yu)的(de)产(chan)业化(hua)提(ti)供了科研(yan)基础(chu)和(he)市(shi)场(chang)化条件。
其中(zhong)以(yi)江丰(feng)电(dian)子(zi)为(wei)代表的中国(guo)靶材厂商(shang)专(zhuan)利(li)申请量(liang)也(ye)迈上了(le)新(xin)的(de)台(tai)阶，导(dao)致(zhi)全(quan)球(qiu)溅(jian)射靶材市(shi)场的结(jie)构性调(diao)整。
2.2 创新主(zhu)体分(fen)布分(fen)析
通(tong)过对高纯(chun)溅射靶材专利(li)申请(qing)人(ren)的(de)国(guo)别/ 地(di)区(qu)进(jin)行统计(ji)可(ke)知，中(zhong)国(guo)的专(zhuan)利(li)申请数(shu)量占(zhan)比(bi)最(zui)高(gao)，这与(yu)目前国(guo)家的政策支持(chi)及行业发展息(xi)息相关，日本(ben)和(he)美国的专利申(shen)请(qing)量(liang)居二(er)、三(san)名，日(ri)美(mei)两(liang)国在全(quan)球的(de)高(gao)纯溅射靶(ba)材(cai)行(xing)业(ye)一(yi)直(zhi)处于(yu)领(ling)导地位，掌握(wo)较多的(de)核(he)心(xin)技术，其(qi)靶(ba)材生(sheng)产企(qi)业既具(ju)有金属(shu)材(cai)料的高(gao)纯(chun)制(zhi)备(bei)技术、也(ye)掌(zhang)握靶材(cai)制造过程中(zhong)整体生(sheng)产线(xian)，因此其技(ji)术(shu)垂(chui)直(zhi)整(zheng)合能力(li)较(jiao)强(qiang)，在全(quan)球高端(duan)电子(zi)制造用靶(ba)材(cai)的市场中(zhong)占(zhan)据主(zhu)导(dao)话语权(quan)。但(dan)是随(sui)着近(jin)年(nian)来(lai)国(guo)内靶(ba)材(cai)企(qi)业(ye)，例(li)如宁波(bo)江丰、有研(yan)亿(yi)金新材料(liao)有(you)限公司(si)等的技(ji)术(shu)实力持续提(ti)升(sheng)、市(shi)场开(kai)拓(tuo)不断(duan)加(jia)强(qiang)，相关(guan)领(ling)域(yu)的(de)投资持(chi)续加(jia)速(su)，中国半导体(ti)业(ye)的发展更为(wei)迅(xun)速。
同(tong)时(shi)，随(sui)着(zhe)新技术(shu)、新(xin)器件的开(kai)发应(ying)用(yong)不(bu)断(duan)加(jia)速(su)，对(dui)材(cai)料提(ti)出(chu)更(geng)高(gao)要(yao)求(qiu)。
2.3 重(zhong)点创新(xin)主(zhu)体(ti)分(fen)析(xi)
通(tong)过(guo)对(dui)高纯溅射(she)靶材专(zhuan)利(li)重(zhong)点申请人(ren)分析，按(an)照(zhao)申(shen)请(qing)人进(jin)行排序(xu)，得到(dao)了该领(ling)域(yu)中(zhong)专利(li)申(shen)请的前(qian)15 位申(shen)请人(ren)如图3 所(suo)示(shi)。
其(qi)中(zhong)，日(ri)本申请(qing)人为(wei)6 名，主(zhu)要集(ji)中(zhong)为(wei)企业(ye)申请，其属(shu)于产业驱(qu)动型的(de)技(ji)术研究，具有(you)较(jiao)强(qiang)的(de)产(chan)业(ye)应(ying)用(yong)前景。排(pai)名第(di)一(yi)的申请(qing)人为(wei)日(ri)本新(xin)日矿(kuang)，日本(ben)新日(ri)矿(kuang)集团是(shi)一个综合(he)性企业(ye)集(ji)团(tuan)，总部位于(yu)东(dong)京(jing)，经营(ying)范(fan)围(wei)包(bao)括(kuo)资源(yuan)、石油(you)化(hua)工、金属(shu)事(shi)业(ye)，电子材料事业(ye)，金属(shu)加工(gong)事业(ye)等。其旗(qi)下(xia)的(de)日(ri)矿(kuang)金(jin)属在(zai)靶材市(shi)场占比(bi)达30%，尤(you)其(qi)是铜靶材(cai)的(de)最大供应商(shang)。另(ling)外(wai)，日(ri)本东(dong)曹(cao)也已经实现溅(jian)射(she)靶(ba)材的(de)全(quan)品类覆(fu)盖，产(chan)品纯(chun)度(du)最(zui)高(gao)达6N9 以上(shang)，在高(gao)纯(chun)溅(jian)射靶材(cai)市场(chang)具有一(yi)定的份(fen)额。可(ke)见(jian)，该(gai)领(ling)域在(zai)国(guo)外的(de)研究(jiu)相(xiang)对(dui)比(bi)较(jiao)集(ji)中，主要(yao)由几家企
业掌握相关专利技术。
中(zhong)国申请(qing)人为(wei)9 名(ming)，主(zhu)要(yao)集(ji)中在高(gao)校(xiao)和(he)企(qi)业(ye)申请，我国(guo)虽然(ran)专利申(shen)请(qing)量较高(gao)，但(dan)是技术(shu)发(fa)展主(zhu)要集(ji)中(zhong)在近(jin)几(ji)年，且研(yan)究相(xiang)对(dui)较为(wei)分(fen)散，在(zai)市场(chang)中(zhong)占比(bi)也相对较少(shao)，但是随(sui)着其技术累积(ji)，后(hou)续(xu)发展(zhan)值得(de)期(qi)待(dai)。
就国内企业(ye)而言，江丰电(dian)子(zi)是近(jin)年来(lai)快速崛起(qi)的(de)靶(ba)材(cai)制(zhi)造(zao)企(qi)业(ye)，其(qi)专(zhuan)利申(shen)请量(liang)突(tu)出，成为(wei)台积电、中芯国(guo)际、海(hai)力士、联(lian)华电子(zi)等客户的(de)主(zhu)要供(gong)应(ying)商(shang)。
2.4 重点专(zhuan)利(li)分(fen)析(xi)
高(gao)纯溅(jian)射靶(ba)材制(zhi)备过程中(zhong)，高纯(chun)金属(shu)材料(liao)纯化是首要(yao)条(tiao)件(jian)，针(zhen)对(dui)铜(tong)、镍(nie)、银(yin)、钛(tai)等(deng)金(jin)属(shu)常采用(yong)电(dian)解(jie)精炼提纯（化学提(ti)纯法(fa)）。针(zhen)对金(jin)、银(yin)、铜、铝等(deng)金属及其合金往往(wang)采用(yong)真(zhen)空(kong)感
应熔炼(lian)制(zhi)备(bei)（物理(li)提(ti)纯法）。在实际(ji)的生(sheng)产(chan)过程(cheng)中(zhong)，往往采用多种(zhong)手段(duan)联合(he)提(ti)纯，例如(ru)采(cai)用的物(wu)理加(jia)化(hua)学(xue)方法实(shi)现(xian)高(gao)纯材料(liao)的制(zhi)备(bei)。
高(gao)纯(chun)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)制(zhi)备过(guo)程(cheng)中，靶(ba)材(cai)制(zhi)备技术同样(yang)重要(yao)。常见的制备(bei)方法有铸(zhu)造(zao)法以(yi)及(ji)粉(fen)末(mo)冶(ye)金法(fa)，对于难(nan)熔金属，也可(ke)采用(yong)熔炼(lian)法(fa)。
铸造(zao)法(fa)主(zhu)要涉(she)及(ji)真(zhen)空(kong)感(gan)应熔(rong)炼(lian)、真(zhen)空(kong)电子(zi)轰击熔(rong)炼(lian)、真空电弧等(deng)工(gong)艺，主要(yao)制备过程(cheng)为先(xian)将(jiang)合(he)金(jin)原料熔(rong)炼(lian)、然后进行浇注(zhu)、利用(yong)模具(ju)成型铸(zhu)锭、机(ji)械加工(gong)后即可得(de)到产品(pin)。
粉(fen)末(mo)冶(ye)金法主(zhu)要涉(she)及冷压(ya)、真空(kong)热(re)、热(re)等静(jing)压等(deng)工艺(yi)，主(zhu)要制(zhi)备过(guo)程为(wei)合(he)金原料通(tong)过(guo)熔(rong)炼后浇注(zhu)、模(mo)具、铸(zhu)锭、粉(fen)末(mo)、成(cheng)形(xing)、高(gao)温、烧(shao)结后得到(dao)靶材产品。
株式(shi)会(hui)社东(dong)芝(zhi)于(yu)1987 年在JP62063670A 中提(ti)出(chu)一种由高(gao)纯度(du)镍形(xing)成，能够(gou)实(shi)现(xian)高(gao)功率(lv)密度，高效率操(cao)作(zuo)的一体(ti)化溅(jian)射靶，高(gao)纯(chun)度的镍(nie)是通(tong)过电(dian)子(zi)束(shu)熔(rong)化和浇(jiao)铸(zhu)成锭(ding)，即，物理(li)提纯金(jin)属(shu)+ 铸(zhu)造(zao)法成(cheng)型(xing)。三菱(ling)公司于(yu)1987 年(nian)在(zai)JP62107855A 中记载(zai)，在真空中(zhong)溶(rong)解(jie)，精(jing)制的高(gao)纯度金(jin)属(shu)熔融液(ye)，同(tong)样在真空中铸(zhu)造(zao)成(cheng)水冷(leng)金属模具(ju)并(bing)迅(xun)速冷却(que)，从(cong)而制造(zao)蒸(zheng)镀用(yong)材料或(huo)溅射用靶(ba)材料的方法，即，物(wu)理(li)提(ti)纯金属(shu)+ 铸(zhu)造(zao)法(fa)成型(xing)。
株(zhu)式会(hui)社东(dong)芝于1987 年在JP62294175A 中提(ti)出(chu)将纯钛(tai)进(jin)一(yi)步(bu)高(gao)纯度(du)化(hua)的(de)方(fang)法之一就(jiu)是(shi)卤(lu)化物(wu)分(fen)解(jie)法(fa)，特(te)别(bie)是碘化物(wu)分(fen)解(jie)法，用于钛(tai)的(de)精(jing)制(zhi)，即，化(hua)学(xue)提纯金(jin)属法(fa)。
日本(ben)能(neng)源公司（系(xi)由(you)日(ri)本矿(kuang)业和KYO-DO 石油(you)公(gong)司合并(bing)而(er)成）于(yu)2000 年在JP2000239836A 中提出制造高纯度(du)铜(tong)或铜合金(jin)溅射(she)靶的方法(fa)，其特(te)征在于(yu)，使用电子束熔(rong)融或真空(kong)感应(ying)锡(xi)熔融(rong)铸(zhu)造(zao)的高(gao)纯度(du)铜(tong)或铜合金(jin)锭(ding)，其(qi)氧含量在100ppm 以下(xia)，碳含(han)量(liang)在(zai)150ppm 以下(xia)，氮含(han)量在50ppm以下(xia)，硫(liu)黄含量在(zai)200ppm 以下(xia)。即(ji)，物理(li)提(ti)纯金(jin)属法。
该公(gong)司于(yu)2000 年还在(zai)JP2000212678A 中(zhong)提出一(yi)种(zhong)高(gao)纯度钽的方(fang)法(fa)，其(qi)特(te)征在(zai)于(yu)，将(jiang)钽(tan)化合(he)物(wu)或(huo)钽(tan)废(fei)料进行(xing)熔(rong)融盐(yan)电(dian)解(jie)，使其(qi)成为电(dian)解(jie)析出高(gao)纯(chun)度钽后，通(tong)过电(dian)子束等(deng)溶解除(chu)去(qu)挥发(fa)成分。即(ji)，采用化学+ 物理提纯(chun)金属(shu)法。
日(ri)矿(kuang)金属(shu)于(yu)2010 在(zai)WO2010038641A1 中(zhong)提(ti)出一(yi)种高(gao)纯(chun)度(du)铜(tong)，高(gao)纯度(du)铜具(ju)有(you)纯(chun)度(du)不(bu)小(xiao)于6N，该含(han)量的(de)磷，S，O，和(he)C 组(zu)分为每(mei)个(ge)不(bu)大于1，和具(ju)有非(fei)金(jin)属夹(jia)杂(za)物的(de)数(shu)量粒径为(wei)0.5 至20μm 中(zhong)所含的铜(tong)或铜(tong)合(he)金不(bu)超过(guo)10， 000颗粒(li)/ 克，并提(ti)出一(yi)种电解制(zhi)造(zao)高(gao)纯(chun)度(du)铜(tong)的(de)方(fang)法(fa)，在阴极和(he)阳(yang)极之间(jian)设置隔膜，将从(cong)阳极一(yi)侧的电解槽中抽(chou)出的电解液或(huo)追(zhui)加电解(jie)液供(gong)给(gei)阴极(ji)一侧的电解(jie)槽(cao)时，在(zai)向阴极一(yi)侧的电(dian)解(jie)槽(cao)供应电解液(ye)之前通(tong)过(guo)活性(xing)炭过(guo)滤(lv)器，然后(hou)向阴极(ji)一侧(ce)的电解(jie)槽供(gong)应电解液(ye)，从(cong)而(er)实现(xian)高纯度(du)的(de)电(dian)解(jie)。即(ji)，采(cai)用(yong)化学(xue)提(ti)纯(chun)金(jin)属法(fa)。
该(gai)公司于2015 年(nian)在(zai)WO2015050041A1 中提(ti)到一(yi)种(zhong)均(jun)质(zhi)溅(jian)射的(de)高纯度钽(tan)溅射靶，粉(fen)碎(sui)钽原料矿(kuang)石(shi)，用氢(qing)氟(fu)酸(suan)溶(rong)解(jie)粉(fen)碎粉(fen)，提取溶剂(ji)，得(de)到(dao)钽(tan)溶液，然后(hou)在钽(tan)溶液中(zhong)加(jia)入(ru)氟化(hua)钾和氯(lv)化钾，沉淀、分(fen)离氟(fu)钽酸(suan)钾，得(de)到的高纯度钽(tan)，除(chu)气(qi)体(ti)成(cheng)分以(yi)外，所(suo)有的杂质都不足(zu)1massppm，纯度(du)达到99.9999mass% 以(yi)上，并(bing)通过(guo)电子(zi)束溶解(jie)进一(yi)步(bu)除(chu)去(qu)杂质。即，采用(yong)化学(xue)提(ti)纯(chun)金(jin)属法(fa)。
宁波(bo)江(jiang)丰(feng)电子(zi)材料(liao)股份(fen)有(you)限公司于(yu)2015 年(nian)在CN103418798B 中提(ti)出一种(zhong)利(li)用(yong)钛残(can)靶(ba)制备(bei)高纯钛粉(fen)的方(fang)法(fa)，包括(kuo)：切(qie)割(ge)步骤(zhou)，切(qie)割钛(tai)残(can)靶成(cheng)钛样块；酸洗步(bu)骤，酸洗所述钛(tai)样(yang)块；氢(qing)化步骤(zhou)，氢(qing)化(hua)所述钛(tai)样(yang)块形(xing)成(cheng)氢化钛(tai)样块(kuai)；成粉(fen)步骤(zhou)，破碎(sui)所述氢化(hua)钛样块成(cheng)氢(qing)化(hua)钛粉(fen)；脱氢步(bu)骤(zhou)，加(jia)热(re)去除(chu)所述氢(qing)化钛(tai)粉内(nei)的(de)氢，得(de)到高纯钛粉(fen)。本(ben)发明(ming)所(suo)提供(gong)的(de)制备高纯钛粉(fen)的(de)方法(fa)可(ke)回收利(li)用钛(tai)残靶，制(zhi)备用(yong)途广泛的(de)高(gao)纯(chun)钛(tai)粉。即，采(cai)用(yong)化(hua)学提(ti)纯(chun)金(jin)属法(fa)。
宁(ning)波江丰(feng)电子材料(liao)股(gu)份有(you)限公(gong)司于2020 年在CN111230131A 提(ti)出(chu)的钛(tai)粉的制备方(fang)法，其(qi)将原(yuan)材料进(jin)行(xing)处理(li)后得到钛(tai)棒(bang)，然后将(jiang)钛(tai)棒进(jin)行无(wu)坩埚(guo)电极感(gan)应熔化气体(ti)雾化(hua)，即可(ke)得(de)到(dao)钛(tai)粉(fen)，不(bu)仅(jin)工艺流程(cheng)短(duan)，而(er)且(qie)制(zhi)得(de)的(de)钛粉(fen)氧(yang)含量低、纯度高(gao)。在(zai)合(he)适的(de)真空(kong)条件(jian)及保护气(qi)体条(tiao)件下(xia)将(jiang)预处理后的(de)钛(tai)棒进行区(qu)域(yu)精(jing)炼，金属(shu)液体连续垂(chui)直穿(chuan)过(guo)喷嘴(zui)往下(xia)流(liu)，通过(guo)紧(jin)耦合(he)喷嘴由(you)高压(ya)气流将(jiang)金属液体雾(wu)化破(po)碎(sui)成(cheng)大量(liang)细小(xiao)的液滴，细(xi)小(xiao)的(de)液滴在飞行(xing)中(zhong)凝固(gu)成(cheng)颗粒(li)，最(zui)终(zhong)可(ke)制(zhi)得高(gao)纯低氧(yang)的钛粉。即(ji)，采(cai)用物理提(ti)纯(chun)方法(fa)。
3、结语(yu)
本(ben)文(wen)基于(yu)目前公开(kai)的全(quan)球(qiu)专利(li)申(shen)请(qing)，简(jian)述了(le)高(gao)纯溅射靶材(cai)全球(qiu)专利申(shen)请状(zhuang)况(kuang)及其技(ji)术进(jin)展。从(cong)上面(mian)的(de)专利(li)分(fen)析(xi)可以(yi)看出，全(quan)球(qiu)的高纯溅(jian)射靶(ba)材的(de)专(zhuan)利(li)申请量仍(reng)然保(bao)持上(shang)涨(zhang)的(de)趋(qu)势(shi)，我(wo)国(guo)的(de)相关研究虽然起步较(jiao)晚(wan)，但是(shi)专(zhuan)利(li)申请呈(cheng)现(xian)快速(su)增长(zhang)趋势(shi)。在创(chuang)新(xin)主体方(fang)面，全球(qiu)的高纯(chun)靶材制造业(ye)仍(reng)呈(cheng)现寡头(tou)垄断格局(ju)，特(te)别是(shi)国(guo)外的(de)少(shao)数企(qi)业(ye)技(ji)术发展成(cheng)熟、具有(you)
完备的产(chan)业(ye)链，占据(ju)主导(dao)地位(wei)，尤其(qi)是日本(ben)新(xin)日矿(kuang)，是(shi)全球(qiu)最(zui)大(da)的靶材供(gong)应(ying)商(shang)；而国内(nei)靶材(cai)申请人虽然近年(nian)来经过一(yi)定的研(yan)发(fa)投入(ru)、技(ji)术(shu)积累(lei)，取得了(le)一定(ding)的成果(guo)，掌握了部分(fen)超
高(gao)纯(chun)金属材(cai)料的(de)提(ti)纯(chun)及(ji)溅(jian)射(she)靶材(cai)制备的核心技(ji)术，但(dan)是多(duo)数(shu)种类(lei)的(de)靶(ba)材原(yuan)材(cai)料仍(reng)为进口，相关(guan)的(de)金(jin)属提(ti)纯类研究较少(shao)，在原(yuan)材料上容易(yi)受(shou)到(dao)国外(wai)进口商(shang)的(de)制(zhi)约(yue)。目(mu)前(qian)集成电路等(deng)行(xing)
业(ye)的发(fa)展，对靶材(cai)的(de)质(zhi)量都提出(chu)了更(geng)高(gao)要求(qiu)。国(guo)内(nei)靶材发展(zhan)面(mian)临更高的挑(tiao)战(zhan)。因此(ci)，应继(ji)续加(jia)大溅射靶(ba)材基础研究、加(jia)大人(ren)才(cai)培(pei)养(yang)、加(jia)强(qiang)顶层(ceng)设计，共(gong)同推(tui)动靶(ba)材(cai)产业的(de)发展(zhan)。
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