高纯(chun)钛(tai)作(zuo)为电子信(xin)息(xi)领(ling)域重(zhong)要的(de)功能(neng)薄膜材料(liao)，近(jin)年来(lai)随(sui)着(zhe)我国集(ji)成(cheng)电(dian)路、平面显示、太阳能等产(chan)业的快速(su)发(fa)展需求量(liang)快(kuai)速(su)上(shang)升(sheng)。磁(ci)控(kong)溅(jian)射技术(PVD)技术是制备(bei)薄膜(mo)材料(liao)的(de)关键技(ji)术(shu)之一(yi)，高(gao)纯(chun)钛溅射(she)靶(ba)材是磁(ci)控溅射(she)工艺(yi)中(zhong)的关键(jian)耗材(cai)，具有广阔的市(shi)场应(ying)用(yong)前景(jing)。钛(tai)靶(ba)材 作为(wei)高(gao)附(fu)加(jia)值的镀(du)膜材料，在化(hua)学纯度(du)、组织性能(neng)等方面(mian)具有(you)严格的要(yao)求(qiu)，技(ji)术(shu)含量高(gao)、加工(gong)难(nan)度大，我(wo)国(guo)靶材(cai)制造企业在(zai)优(you)异(yi)靶(ba)材(cai)制造(zao)领域起步相对较(jiao)晚(wan)，在(zai)基(ji)础原(yuan)材(cai)料(liao)纯(chun)度(du)方面(mian)相对落后，靶(ba)材(cai)制(zhi)备(bei)技术(shu)如(ru)组(zu)织控制(zhi)、工(gong)艺(yi)成型(xing)等(deng)核心工艺(yi)技术(shu)方面(mian)与国外(wai)也存在一定(ding)的(de)差距(ju)。针对(dui)下游优(you)异(yi)应(ying)用(yong)，开发(fa)高性(xing)能钛(tai)溅射(she)靶(ba)材(cai)，是实现(xian)电(dian)子信息(xi)制(zhi)造(zao)业(ye)关(guan)键材料(liao)的(de)自主研制(zhi)和(he)推动(dong)钛(tai)工业向优异(yi)转型升(sheng)级(ji)的重(zhong)要举(ju)措。
1、钛靶材的(de)应用及(ji)性能(neng)要求
磁(ci)控溅(jian)射钛(tai)靶(ba)材(cai)主(zhu)要应(ying)用(yong)于(yu)电子及(ji)信息产业，如(ru)集成(cheng)电路(lu)、平(ping)面显示屏(ping)和(he)家(jia)装(zhuang)汽车行(xing)业装饰(shi)镀(du)膜领域，如(ru)玻璃装(zhuang)饰镀膜(mo)和轮毂(gu)装饰(shi)镀(du)膜(mo)等(deng)。不同(tong)行(xing)业钛(tai)靶(ba)材要求(qiu)也(ye)有很(hen)大差别(bie)，主要包括(kuo)：纯度(du)、微观组织(zhi)、焊(han)接(jie)性(xing)能(neng)、尺寸(cun)精(jing)度几个方(fang)面(mian)，具体(ti)指标(biao)要求(qiu)如下：
1）纯度(du) ：非(fei)集成电(dian)路用(yong)：99.9％; 集成(cheng)电(dian)路(lu)用：99.995％、99.99％。
2）微(wei)观(guan)组织(zhi)： 非集(ji)成(cheng)电路(lu)用：平(ping)均(jun)晶粒(li)小于100μｍ ;集(ji)成电(dian)路用(yong)：平均晶粒小(xiao)于30μｍ、 超(chao)细晶(jing)平(ping)均(jun)晶(jing)粒(li)小(xiao)于10μｍ 。
3) 焊(han)接性(xing)能(neng)： 非(fei)集成电路(lu)用(yong)：钎焊(han)、单(dan)体(ti)； 集成电(dian)路用(yong)：单(dan)体(ti)、钎(qian)焊、扩散(san)焊(han) 。
4) 尺(chi)寸(cun)精度： 非集(ji)成(cheng)电(dian)路用：0.1ｍｍ; 非(fei)集(ji)成电(dian)路(lu)用(yong)：0.01ｍｍ。
1.1集(ji)成电(dian)路(lu)用钛靶(ba)材
集成(cheng)电路(lu)钛(tai)靶材(cai)纯度主(zhu)要(yao)大于99.995％ 以(yi) 上(shang)，目前(qian)主要(yao)依(yi)赖进(jin)口。2013年，我(wo)国集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)产(chan)业实现(xian)销售收入(ru)2508亿元(yuan)，进口(kou)额(e)高(gao)达(da)2313亿(yi)美(mei)元，成为我(wo)国大进口商(shang)品。2014年，集(ji)成电路(lu)产(chan)业(ye)销售(shou)收入(ru)为2672亿元，进口额(e)仍(reng)达到2176亿美元。集(ji)成电(dian)路(lu)用靶材在(zai)全(quan)球(qiu)靶(ba)材(cai)市场(chang)中占(zhan)较(jiao)大(da)份(fen)额。
钛(tai)靶材原(yuan)材料(liao)方面(mian)：高纯(chun)Ti生产(chan)主要(yao)集(ji)中(zhong)在(zai) 美 国(guo)、日 本(ben) 等(deng) 国(guo) 家，如(ru)美(mei)国Honeywell， 日(ri)本东邦、日本(ben)大(da)阪(ban)钛业(ye)；国(guo)内起步(bu)较晚，2010年(nian)后(hou)北京有色(se)金属研究院(yuan)、遵(zun)义(yi)钛(tai)业、宁(ning)波创(chuang)润(run)等陆(lu)续推出国产的高纯(chun) Ti产(chan)品(pin)，但(dan)是(shi)产品稳(wen)定性(xing)还待提(ti)高。
钛靶材(cai)的(de)结(jie)构发(fa)展方(fang)面：早(zao)期芯(xin)片(pian)代工(gong)厂(chang)利润(run)空(kong)间(jian)大，主(zhu)要使(shi)用100～150ｍｍ 磁(ci)控(kong)溅射机(ji)台，而且功率(lv)小(xiao)，溅(jian)射薄膜较(jiao)厚(hou)，芯(xin)片(pian)的尺寸(cun)较(jiao)大(da)，单(dan)体(ti)靶(ba)材的(de) 性能(neng)能(neng)够(gou)满足(zu)当(dang)时(shi)机台(tai)的(de)使用要(yao)求(qiu)，当(dang)时(shi)集成电(dian)路 用 钛(tai)靶材主要100～150ｍｍ 单(dan)体和组合(he)型靶(ba)材， 如(ru)典(dian)型(xing)3180型，3290型(xing)靶材(cai)等。**阶段(duan)，按照(zhao)摩(mo)尔(er)定(ding)律发展(zhan)，芯(xin)片线(xian)宽(kuan)变窄(zhai)，芯(xin)片代工(gong)厂(chang)主(zhu)要使(shi)用(yong)150～200ｍｍ 溅(jian)射(she)机台(tai)，为提高(gao)利(li)润空(kong)间，机台的溅(jian)射功率提高(gao)，这就(jiu)要求(qiu)靶材尺(chi)寸加(jia)大，同时保(bao)持(chi)高(gao)导(dao)热、低(di)价(jia)格(ge)和一定的强度(du)，本(ben)时(shi)期(qi)Ｔi 靶(ba)材(cai)以(yi)铝(lv)合(he)金背板扩散焊接(jie)和(he)铜合金(jin)背(bei)板钎(qian)焊(han)焊接两(liang)种结(jie)构为主(zhu)，如典(dian)型(xing)TN、TTN 型(xing)，Endura5500型等(deng)靶材(cai)。第 三阶段(duan)，随集成电(dian)路发展(zhan)，芯片线(xian)宽(kuan)进(jin)一(yi)步(bu)变窄(zhai)，此(ci) 时(shi)芯(xin)片代工厂(chang)主(zhu)要使用(yong)200～300ｍｍ 溅(jian)射(she)机(ji)台(tai)，为(wei)进(jin)一(yi)步(bu)提(ti)高(gao)利润空间(jian)，机(ji)台(tai)的溅(jian)射功率(lv)提高，这就要求(qiu)靶(ba)材尺寸(cun)加(jia)大，同(tong)时(shi)保持(chi)高(gao)导(dao)热(re)和足够(gou)的强(qiang) 度。本时(shi)期(qi)钛靶材以铜合金背板扩(kuo)散(san)焊(han) 接 为 主，如(ru)主(zhu)流SIP型靶材(cai)。
钛靶(ba)材(cai)加工(gong)制造方(fang)面：早期国内(nei)外(wai)市场基(ji)本(ben)被(bei)美国、日本(ben)等大的靶材(cai)制(zhi)造(zao)商(shang)垄(long)断(duan)，2000年(nian)后(hou)国内(nei)的制(zhi)造业(ye)逐步(bu)进(jin)入靶材(cai)市(shi)场，开(kai)始进口(kou)高纯(chun) Ti原材(cai)料加(jia)工低(di) 端的靶材，近几年(nian)国(guo)内钛靶(ba)材制造企(qi)业(ye)发展较快，市场份额逐步(bu)扩大到台(tai)湾、欧(ou)美(mei)等市(shi)场(chang)。国(guo)内(nei)的靶(ba)材制造企(qi)业也正在(zai)和(he)国内的磁控(kong)溅(jian)射机台制造商联(lian)合(he)开发靶(ba)材，推动国内(nei)集成(cheng)电路(lu)磁(ci)控溅射(she)产(chan)业(ye)的发展(zhan)。
1.2 平面显(xian)示(shi)器用(yong)钛(tai)靶(ba)材(cai)
平面(mian)显(xian)示器(qi)包括(kuo)：液晶(jing)显(xian)示(shi)器(qi)（LCD）、等(deng)离(li)子体显(xian)示器（PDP）、场致发光(guang)显(xian)示器(qi)(E-L)、场发射显(xian)示(shi)器（FED）。
目(mu)前(qian)，在(zai)平(ping)面显示器市场中以液(ye)晶显(xian)示器(qi)LCD市场(chang)*大(da)，份(fen)额高达90％以(yi)上。LCD被(bei)认为是(shi)目(mu)前*有(you)应用(yong)前(qian)景(jing)的(de)平板(ban)显(xian)示(shi)器件，它(ta)的出现(xian)大(da)大(da)扩展(zhan)了(le)显示(shi)器的(de)应(ying)用(yong)范(fan)围(wei)，从(cong)笔记(ji)本电脑(nao)显示器(qi)、台式(shi)电脑监视(shi)器(qi)、高清晰(xi)液(ye)晶电(dian)视(shi)以及(ji)移动(dong)通(tong)信，各种新(xin)型(xing)LCD产(chan)品(pin)正(zheng)在(zai)冲(chong)击(ji)着(zhe)人(ren)们(men)的(de)生(sheng)活(huo)习惯(guan)，并推(tui)动着(zhe)世界信(xin)息产(chan)业的飞(fei)速(su)发展。TFT－LCD技(ji)术是微电子(zi)技(ji)术与液晶(jing)技(ji)术巧妙结(jie)合的(de)一 种技(ji)术(shu)，目(mu)前已(yi)经(jing)成为(wei)平面显(xian)示(shi)主(zhu)流技(ji)术(shu)，其(qi)中又分 Al－Mo、Al－Ti、Cu－Mo等(deng)工(gong)艺。
平面(mian)显示(shi)器的薄(bao)膜 多采(cai)用溅射成(cheng)形(xing) 。Al、Cu、Ti、Mo等靶材(cai)是目前(qian)平面显(xian)示器主要金(jin)属(shu)靶(ba)材，平(ping)面显(xian)示(shi)器(qi)用钛靶材纯度大于99.9％，此(ci)原材料(liao)能够(gou)国产。TFT－LCD6代线(xian)用平(ping)面(mian)钛(tai)靶(ba)材尺寸比(bi)较(jiao)大，结构(gou)采用铜合金(jin)水(shui)冷背板靶(ba)材，应用(yong)有中(zhong)电熊猫(mao)等(deng)。
2、磁控溅射钛(tai)靶材(cai)制备技术(shu)
钛靶(ba)材(cai)的原(yuan)材(cai)料(liao)制备(bei)技(ji)术(shu)方法(fa)按(an)生产(chan)工(gong)艺(yi)可(ke)分(fen)为电子束(shu)熔(rong)炼(lian)坯(pi)（简(jian)称 EB坯(pi)）和真(zhen)空自(zi)耗电弧炉(lu)熔炼坯（简称（VAR）坯）两大类，在(zai)靶(ba)材(cai)制(zhi)备(bei)过(guo)程(cheng) 中(zhong)，除(chu)严(yan)格(ge)控制材(cai)料纯(chun)度、致(zhi)密(mi)度(du)、晶(jing)粒(li)度以及结晶(jing)取向之外，对(dui)热(re)处理(li)工艺条(tiao)件、后(hou)续成型加工过程(cheng)亦(yi)需(xu)加以严格(ge)控(kong)制，以保(bao)证靶(ba)材(cai)的质(zhi)量(liang)。
对于高纯钛的原材料通常(chang)先采用熔融(rong)电(dian)解(jie)的(de)方法去除(chu) Ti基体中(zhong)高(gao)熔点的(de)杂(za)质元素，再采用(yong)真空电(dian)子束熔(rong)炼(lian)进(jin)一步提(ti)纯。真(zhen)空(kong)电子(zi)束熔炼就是采用高(gao)能量(liang)电(dian)子束流轰击金(jin)属表面后，随(sui)后(hou)温度逐(zhu)渐升高直至(zhi)金属熔化(hua)，蒸气(qi)压(ya)大(da)的(de)元素(su)将(jiang)优(you)先(xian)挥(hui)发，蒸气(qi)压小(xiao)的(de)元(yuan)素(su)存(cun)留于(yu)熔体(ti)中(zhong)，杂(za)质元(yuan)素(su)与基(ji)体(ti)的(de)蒸(zheng)气压(ya)相差(cha)越大(da)，提(ti)纯的(de)效(xiao)果(guo)越(yue)好(hao)。而(er)熔(rong)化(hua)后(hou)的(de)真(zhen)空(kong)精(jing)炼(lian)，其(qi)优(you)点在(zai)于(yu)不引(yin)入(ru)其他杂(za)质(zhi)的前提(ti)下去除 Ti基体中(zhong)的杂(za)质(zhi)元素(su)。因(yin)此，当(dang)在高真空(kong)环境(jing)下（1.0E-4以(yi) 上(shang)）电(dian)子束(shu)熔炼99.99％电(dian)解(jie) Ti时(shi)，原(yuan)料(liao)中 饱和蒸气压高于(yu) Ti元(yuan)素(su)本身饱和(he)蒸气压(ya)的(de)杂(za)质(zhi)元素（Fe、 Co、Cu）将(jiang)优(you)先挥 发，使基(ji)体(ti)中杂(za)质含(han)量减(jian)少，达(da)到(dao)提(ti)纯之目(mu)的。两(liang)种方(fang)法(fa)结合(he)使(shi)用可以(yi) 得到纯度(du)99.995以上(shang)的(de)高(gao)纯(chun)金(jin)属 Ti。
对于(yu)纯度在(zai) 99.9％Ｔｉ原(yuan)材(cai)料(liao)多采用０级(ji)海(hai)绵 Ti经(jing)真空(kong)自(zi)耗电(dian)弧炉(lu)熔炼(lian)，再(zai)经过热锻造开坯(pi)形(xing)成小尺寸的坯料(liao)。 这两(liang)种方(fang)法(fa)制备(bei)的金属(shu) Ti原(yuan)材(cai)料(liao)通(tong)过(guo)热机(ji)械(xie)变形(xing)控(kong)制其整个(ge)溅(jian)射表面微(wei)观组(zu)织(zhi)一(yi)致，然(ran)后经过(guo)机加工(gong)、绑定、清洗(xi)和包装(zhuang)等工序加(jia)工成制(zhi)备(bei)集成电(dian)路用(yong)磁(ci)控溅(jian)射(she)Ｔｉ靶材(cai)，对(dui)于300ｍｍ机(ji)台要求(qiu)特(te)别(bie)高(gao)的(de)钛(tai)靶(ba)材，在包(bao)装前(qian)靶(ba)材(cai)的溅(jian)射(she)面还(hai)要(yao)预溅(jian)射(she)减(jian)少(shao)靶(ba)材安(an)装在(zai)溅(jian)射机台(tai)上(shang)烧(shao)靶时(shi)间（Burn－ingtime）。
集(ji)成电(dian)路(lu)钛(tai)靶(ba)材(cai)制备(bei)方(fang)法制(zhi)备(bei)的靶材(cai)工(gong)艺(yi)复杂(za)，成本(ben)相对(dui)较(jiao)高。
3、钛靶材的(de)技(ji)术要求(qiu)
为确保沉积(ji)薄(bao)膜(mo)的质(zhi)量，靶材的质(zhi)量必须(xu)严(yan)格控制(zhi)，经大(da)量实(shi)践，影(ying)响(xiang) 钛靶材(cai)质(zhi)量的主要(yao)因素包括纯(chun)度、平均(jun)晶(jing)粒尺寸(cun)、结晶(jing)取(qu)向(xiang)与(yu)结构均匀性(xing)、几何(he)形(xing)状(zhuang)与尺(chi)寸等。
3.1 纯(chun)度(du)
钛(tai)靶材的(de)纯度(du)对溅射薄(bao)膜的性能(neng)影(ying)响(xiang)很(hen)大(da)。
钛靶材的(de)纯度(du)越高，溅射钛薄膜的中的(de)杂质元素粒(li)子(zi)越少，导(dao)致(zhi)薄(bao)膜性能越好(hao)，包括(kuo)耐(nai)蚀性及(ji)电(dian)学、 光学性能(neng)越(yue)好(hao)。不(bu)过在实际(ji)应(ying)用中(zhong)，不同(tong)用(yong)途 钛(tai)靶(ba)材对纯度要(yao)求(qiu)不一样。例(li)如，一般装(zhuang)饰(shi)镀(du)膜用(yong) 钛靶(ba)材对(dui)纯度(du)的要(yao)求并(bing)不(bu)苛求(qiu)，而(er)集成电路(lu)、显(xian)示器(qi)体(ti)等(deng)领域(yu)用(yong)钛靶材(cai)对(dui)纯(chun)度(du)的要(yao)求(qiu)高很多。靶材(cai)作为(wei)溅(jian)射中(zhong)的阴(yin)极源(yuan)，材(cai)料中的(de)杂质元(yuan)素和(he)气(qi)孔(kong)夹(jia)杂是沉(chen)积薄(bao)膜(mo)的主要(yao)污染(ran)源(yuan)。气孔(kong)夹杂会(hui)在铸(zhu)锭无损探(tan)伤(shang)的过程(cheng)中基(ji)本(ben)去除，没(mei)有去除(chu)的气孔夹(jia)杂(za)在溅(jian)射的 过(guo)程(cheng)中(zhong)会(hui)产生(sheng)**放电(dian)现(xian)象(xiang)（Arcing），进而影响薄(bao)膜的质(zhi)量；而杂质元素(su)含量只能(neng)在全元素(su)分(fen)析(xi)测(ce)试结(jie)果中(zhong)体(ti)现(xian)，杂质(zhi)总含量(liang)越(yue)低，钛(tai)靶材纯(chun)度就越(yue)高。早(zao)期国(guo)内没(mei)有高(gao)纯钛(tai)溅(jian)射靶(ba)材(cai)的(de)标(biao)准，都(dou)是参照国(guo)内外(wai)的(de)钛靶(ba)材制 造公(gong)司(si)的要求，2013年(nian)后(hou)颁(ban)布(bu)标准(zhun)《YS／T893－2013 电子薄(bao)膜用(yong)高纯(chun)钛溅射(she)靶(ba)材(cai)》， 规(gui)定3个(ge)纯度钛(tai)靶材单(dan)个(ge)杂质(zhi)含(han)量及(ji)总杂质(zhi)含(han)量(liang) 不同的(de)要求，此标(biao)准(zhun)正在逐步(bu)规(gui)范(fan)繁乱(luan)钛靶(ba)材市场纯(chun)度(du)需求(qiu)。
3.2平均(jun)晶粒(li)尺(chi)寸
通常(chang)钛靶材(cai)为(wei)多晶结构(gou)，晶(jing)粒大小可由(you)微米(mi)到毫米(mi)量级，细小(xiao)尺(chi)寸晶粒(li)靶(ba)的(de)溅射速(su)率要(yao)比(bi)粗晶粒(li)靶(ba)快，在溅射(she)面(mian)晶(jing)粒尺寸相(xiang)差(cha)较(jiao)小(xiao)的靶(ba)，溅(jian)射沉积薄(bao)膜(mo)的厚(hou)度分布(bu)也(ye)较(jiao)均匀。研(yan)究发现(xian)，若将(jiang)钛靶(ba)的(de)晶(jing)粒尺寸控(kong)制 在(zai)100μｍ 以(yi)下(xia)，且晶(jing)粒大小的(de)变化保持(chi)在２０％以内(nei)，其(qi)溅射(she)所(suo)得(de)薄(bao)膜(mo)的(de)质量(liang)可(ke)得(de)到(dao)大幅度改善(shan)。集成(cheng)电(dian)路(lu)用(yong) Ｔｉ靶材(cai) 平(ping) 均(jun)晶粒尺寸 一般(ban)要(yao)求(qiu)在30μｍ 以内(nei)，超(chao)细(xi)晶钛(tai)靶材平(ping)均晶粒尺(chi)寸(cun)在(zai)10μｍ 以下(xia)。
3.3 结(jie)晶(jing)取向(xiang)
金(jin)属钛是密(mi)排(pai)六方(fang)结(jie)构(gou)，由于在溅(jian)射(she)时钛靶(ba)材(cai)原(yuan)子(zi)容易沿着原(yuan)子(zi)六方(fang)*紧(jin)密排(pai)列方向(xiang)优(you)先(xian)溅(jian)射(she)出(chu)来，因此，为(wei)达(da)到*高溅射(she)速率(lv)，可(ke)通(tong)过(guo)改变(bian)靶(ba)材结(jie)晶结构(gou)的方(fang)法来增加(jia)溅射速(su)率。目前大(da)多(duo)数集成(cheng)电(dian)路(lu)钛靶材(cai)溅(jian)射面｛1013｝晶面(mian)族为60%以上，不(bu)同(tong)厂家(jia)生产的(de)靶材(cai)晶(jing)粒取向(xiang)略(lve)有不(bu)同，钛(tai)靶(ba)材(cai)的结(jie)晶(jing)方向对(dui)溅射(she)膜(mo)层(ceng)的厚(hou)度(du)均(jun)匀(yun)性(xing)影响(xiang)也(ye)较(jiao)大 。平(ping)面显(xian)示和装(zhuang)饰镀膜的薄(bao)膜尺寸(cun)偏(pian)厚(hou)，所以(yi)对(dui)应钛(tai)靶(ba)材对(dui)晶(jing)粒取(qu)向(xiang)要求(qiu)比较低。
3.4 结(jie)构均(jun)匀性
结(jie)构(gou)均(jun)匀性(xing)也(ye)是(shi)考察靶材(cai)质(zhi)量的重(zhong)要指(zhi)标(biao)之(zhi)一(yi)。对于(yu)钛(tai)靶(ba)材(cai)不(bu)仅要求在(zai)靶材的(de)溅(jian)射(she)平(ping)面(mian)，而且在溅(jian)射(she)面的法向方向成分、晶(jing)粒取(qu)向和(he)平(ping)均晶(jing)粒(li)度均(jun)匀(yun)性。只有(you)这(zhe)样(yang)钛(tai)靶材(cai)在(zai)使(shi)用寿命(ming)内(nei)，在同(tong)一(yi)时(shi) 间(jian)内能(neng)够得到厚度均(jun)匀(yun)、质量可靠的、晶粒大(da)小一(yi)致的 Ti薄(bao)膜。
3.5 几(ji)何(he)形(xing)状(zhuang)与(yu)尺寸(cun)
主要体(ti)现(xian)在加(jia)工精(jing)度和(he)加(jia)工质量方面，如(ru)加(jia)工尺(chi)寸、表(biao)面(mian)平整度、粗糙(cao)度等(deng)。如安(an)装(zhuang)孔角度偏(pian)差(cha)过(guo)大(da)，无(wu)法(fa)正(zheng)确安(an)装；厚度尺(chi)寸(cun)偏(pian)小(xiao)会影(ying)响靶材(cai)的使(shi)用(yong) 寿(shou)命；密封(feng)面(mian)和密(mi)封槽(cao)尺寸过(guo)于粗糙会导(dao)致靶材安(an)装(zhuang)后(hou)真(zhen)空(kong)出(chu)现(xian)问题(ti)，严(yan)重(zhong)的(de)导(dao)致漏(lou)水；靶材溅(jian)射(she)面(mian)粗(cu)糙化(hua)处理可使(shi)靶(ba)材(cai)表面布(bu)满丰(feng)富的(de)凸起**，在(zai)**效应(ying)的作用下(xia)，这(zhe)些(xie)凸起**的(de)电势将(jiang)大(da)大提高(gao)， 从而击穿(chuan)介(jie)质放(fang)电，但(dan)是过(guo)大的凸(tu)起对于(yu)溅射(she)的质量(liang)和稳定性是不(bu)利的。
3.6焊接(jie)结合
目前关(guan)于 Ti／Al异种金(jin)属(shu)扩散(san)焊接(jie)研究的(de)论文较多，通(tong)常(chang)对于(yu)高(gao)熔(rong)点(dian)钛与低熔(rong)点(dian)铝材料(liao)的(de)扩(kuo)散(san)焊(han)接(jie)，主(zhu)要(yao)是基于单(dan)向或者(zhe)双向(xiang)加(jia)压的(de)真空(kong)扩散连接(jie)技术(shu)进(jin)行(xing)研究(jiu)或(huo)采(cai)用(yong)热等(deng)静压(ya)技术实(shi)现(xian)钛(tai)、铝 金(jin)属(shu)材(cai)料的高压(ya)中低温直接(jie)扩(kuo)散连(lian)接(jie)。 Ti／Cu及(ji)Cu合(he)金焊接(jie)国内(nei)厂(chang)商(shang)应(ying)用(yong)很多，但是(shi)研(yan)究(jiu)论(lun)文(wen)较少(shao)。
4、钛(tai)靶(ba)材(cai)展(zhan)望(wang)
钛(tai)靶材(cai)作(zuo)为一种(zhong)具(ju)有(you)特(te)殊用途(tu)的材料(liao)，具(ju)有(you)很强的 应(ying)用(yong)目(mu)的(de)和明(ming)确的应用(yong)背景(jing)。脱(tuo)离(li)金属 钛的冶金(jin)提纯(chun)技术(shu)、EB真(zhen)空熔(rong)炼技术(shu)、 钛锭无(wu)损探伤(shang)技术(shu)、 高(gao)纯 Ti的(de)杂(za)质分析技(ji)术(shu)、钛靶(ba)材的制(zhi)备技(ji)术、溅射机台(tai)制(zhi)备技(ji)术(shu)、溅(jian)射工艺(yi)和薄膜性能(neng)测试技术(shu)单纯地(di)研(yan)究钛(tai)靶(ba)材(cai)本(ben)身没(mei)有(you)任何意(yi)义(yi)。钛(tai)靶材的(de)研(yan)发生产(chan)及后续的(de)应用改进(jin)涉及(ji)一(yi)个(ge)从上游(you)原材(cai)料(liao)到(dao)产(chan)业中游设备(bei)制造商(shang)和(he)靶(ba)材制(zhi)造(zao)商共同(tong)研发、下(xia)游(you)钛靶材(cai)镀膜(mo)芯片(pian)应用(yong)的 整(zheng)个产(chan)业(ye)链。钛靶(ba)材性能与(yu)溅(jian)射(she)薄(bao)膜性能之(zhi)间的关(guan)系(xi)，既(ji)有(you)利于(yu)获(huo)得(de)满(man)足应用 需要(yao)的薄(bao)膜性(xing)能，又(you)有(you)利(li)于(yu)更(geng)好(hao)的使(shi)用(yong)靶材，充(chong)分发(fa)挥其作(zuo)用(yong)，促进(jin)靶(ba)材(cai)产(chan)业(ye)发展(zhan)。
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