一、金(jin)属靶(ba)材(cai)为薄膜沉积核(he)心材(cai)料(liao)，广泛(fan)用(yong)于平(ping)板显 示器、半导(dao)体、光(guang)伏电池、记录(lu)媒(mei)体等(deng)领(ling)域(yu)
（一(yi)）分(fen)类方(fang)式(shi)：按(an)应(ying)用可(ke)分为(wei)半(ban)导体(ti)靶材(cai)、平板显(xian)示靶材、 太(tai)阳(yang)能(neng)电(dian)池靶材(cai)、记录(lu)存(cun)储(chu)靶(ba)材等
靶材(cai)按应(ying)用可分为半导体(ti)靶材、平(ping)板显示(shi)靶(ba)材、太(tai)阳能(neng)电池(chi)靶(ba)材、信(xin)息存储靶(ba)材(cai)。靶(ba)材(cai)制备(bei)位(wei)于 产(chan)业链的中(zhong)游(you)，从产(chan)业(ye)链(lian)来(lai)看，靶材(cai)上(shang)游原材(cai)料材(cai)质(zhi)主(zhu)要(yao)包括(kuo)纯金(jin)属(shu)、合(he)金以及陶(tao)瓷(ci)化合物(wu)三类。 下游应用市场则较为广泛，但整(zheng)体来(lai)看主要(yao)集中在平板显(xian)示(shi)、信(xin)息(xi)存(cun)储、太阳能电池(chi)、半(ban)导体(ti)四 个(ge)领域，四(si)大板块(kuai)约合(he)占比(bi) 97%。
此外(wai)根(gen)据(ju)其(qi)形(xing)状(zhuang)、材质不同(tong)，溅射靶材也有(you)多种分(fen)类(lei)方式(shi)：
1） 按形状分类(lei)：可分(fen)为(wei)长(zhang)靶(ba)、方靶(ba)、圆(yuan)靶和(he)管靶。其中常见的靶材(cai)多为(wei)方靶、圆(yuan)靶(ba)，均为实(shi)心(xin) 靶(ba)材(cai)。近(jin)年(nian)来，空心圆(yuan)管型溅射(she)靶(ba)材(cai)由(you)于具有(you)较高(gao)的回收(shou)利用(yong)率，也(ye)在国(guo)内外得(de)到了一(yi)定(ding)推 广(guang)。据(ju)立(li)坤(kun)钛业(ye)官(guan)网相关信(xin)息介绍，在(zai)镀(du)膜(mo)作(zuo)业(ye)中(zhong)，圆(yuan)环(huan)形(xing)的(de)永(yong)磁(ci)体(ti)在靶材(cai)的(de)表(biao)面(mian)产生(sheng)的(de)磁 场(chang)为环形(xing)，会(hui)发(fa)生(sheng)不(bu)均(jun)匀冲蚀现象(xiang)，溅射的薄(bao)膜(mo)厚(hou)度均(jun)匀(yun)性(xing)不(bu)佳(jia)，靶(ba)材(cai)的使用效率(lv)大(da)约只(zhi)有 20%～30%。目(mu)前(qian)，为(wei)了提高靶材的利用(yong)率(lv)，国(guo)内(nei)外都(dou)在推(tui)广可围绕(rao)固定(ding)的(de)条状磁铁(tie)组(zu)件(jian)旋转(zhuan)的空(kong)心(xin)圆(yuan)管型溅射(she)靶材，此种(zhong)靶(ba)材(cai)由(you)于(yu)靶(ba)面(mian) 360°都(dou)可被均(jun)匀(yun)刻(ke)蚀(shi)，因(yin)而利用(yong)率可(ke)由(you)通常 的 20%～30%提高到(dao) 75%～80%。
2）按(an)材质，可分(fen)为金属(shu)靶材(cai)（纯金(jin)属铝(lv)、钛(tai)、铜、钽等(deng)）、合金(jin)靶(ba)材(cai)（镍(nie)铬合金、镍(nie)钴(gu)合(he)金 等(deng)）、陶(tao)瓷化合(he)物(wu)靶(ba)材（氧(yang)化(hua)物(wu)、硅化物(wu)、碳(tan)化物、硫化(hua)物(wu)等）；
（二）行(xing)业现状(zhuang)：全球(qiu)靶材(cai)市(shi)场(chang)稳(wen)步(bu)增(zeng)长(zhang)，日美在高端领(ling)域(yu)优(you)势(shi)明显
1、行(xing)业规模：预(yu)计(ji) 2020年全球(qiu)靶(ba)材市(shi)场规(gui)模约(yue) 188 亿(yi)美(mei)元，我(wo)国靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)规模也将达(da)到(dao) 315 亿 元（折(zhe)合(he) 46 亿(yi)美元(yuan)）
根(gen)据江(jiang)丰(feng)电(dian)子(zi)与(yu)阿石创(chuang)招(zhao)股(gu)说(shuo)明书相(xiang)关数据以(yi)及部分(fen)下游(you)市场(chang)数据，我(wo)们(men)对靶材四大(da)领(ling)域(yu)进行(xing)了(le) 拆分估(gu)算预测(ce)，整体(ti)来(lai)看，预(yu)计(ji) 2020 年全(quan)球(qiu)靶材(cai)市场(chang)规模(mo)约(yue) 188 亿(yi)美(mei)元，2014-2020 年(nian) CAGR 为(wei) 6.5%，中(zhong)国靶材市场(chang)规(gui)模(mo)也达(da)到了 46 亿(yi)美元(yuan)。2014-2020 年 CAGR 为 13.5%，国产化替(ti)代(dai)进(jin) 程不断加快(kuai)。
2、产(chan)品(pin)结构：与全(quan)球靶材(cai)市(shi)场(chang)结(jie)构相(xiang)比(bi)，我国(guo)靶材市(shi)场结(jie)构中平(ping)板显(xian)示靶材与(yu)半导(dao)体靶(ba)材比例(li) 相(xiang)对(dui)较(jiao)高，记(ji)录媒体靶材与太(tai)阳(yang)能(neng)电(dian)池(chi)靶(ba)材比例相(xiang)对较(jiao)低(di)。据测算(suan)，2020年(nian)全球(qiu)靶(ba)材结构(gou)中(zhong)平板 显(xian)示靶(ba)材(cai)占(zhan)比(bi)约(yue) 39%、记(ji)录(lu)媒体靶材(cai)占(zhan)比约 33%、太阳能(neng)电(dian)池靶(ba)材(cai)占(zhan)比(bi)约 17%、半(ban)导体靶(ba)材(cai)占比约(yue) 8%。我(wo)国(guo)靶材市场结(jie)构(gou)中平(ping)板(ban)显(xian)示(shi)靶(ba)材(cai)占(zhan)比(bi)约(yue) 48%、记(ji)录媒(mei)体(ti)靶材(cai)占(zhan)比约(yue) 31%、太阳(yang)能(neng)电 池(chi)靶材(cai)占(zhan)比(bi)约 9%、半(ban)导(dao)体靶(ba)材(cai)占(zhan)比约约 9%。与(yu)全(quan)球(qiu)靶(ba)材(cai)市(shi)场结构(gou)相(xiang)比，我国(guo)靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)结构中(zhong)平(ping) 板显(xian)示靶(ba)材与半(ban)导体(ti)靶材(cai)比(bi)例相(xiang)对较(jiao)高(gao)，记录(lu)媒体(ti)靶(ba)材(cai)与太阳(yang)能(neng)电池(chi)靶材比(bi)例相(xiang)对(dui)较低。
3、竞(jing)争格(ge)局：全(quan)球靶材市场(chang)呈寡(gua)头竞(jing)争(zheng)格(ge)局(ju)，日(ri)美(mei)在高(gao)端(duan)溅(jian)射(she)靶(ba)材领(ling)域(yu)优势(shi)明(ming)显。目(mu)前(qian)，全(quan)球(qiu) 溅射(she)靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)主要有四(si)家企(qi)业(ye)，分(fen)别是 JX日(ri)矿金(jin)属(shu)、霍(huo)尼韦尔(er)、东曹和普莱(lai)克斯(si)，市(shi)场份(fen)额(e)分(fen)别 为 30%、20%、20%和(he) 10%，合计(ji)垄断(duan)了全球(qiu)80%的市场份额。其(qi)中(zhong)美(mei)国(guo)、日本(ben)跨(kua)国集团(tuan)产业 链完(wan)整，囊括(kuo)金属提(ti)纯、靶材(cai)制(zhi)造(zao)、溅(jian)射(she)镀膜和(he)终端(duan)应(ying)用各(ge)个(ge)环节(jie)，具备(bei)规(gui)模(mo)化生(sheng)产能(neng)力，在掌(zhang) 握先进技(ji)术(shu)以(yi)后实(shi)施(shi)垄(long)断(duan)和(he)封锁(suo)，主(zhu)导着技术(shu)革(ge)新和产(chan)业发(fa)展，在(zai)中(zhong)高端半(ban)导体溅射靶材(cai)领域(yu)优(you)势明显(xian)。
国内(nei)溅射靶材主要应用于中低(di)端(duan)产(chan)品，但部(bu)分靶(ba)材生产(chan)企(qi)业(ye)已经逐渐突破(po)关(guan)键(jian)技(ji)术(shu)门槛，国产铝(lv)、 铜(tong)、钼等靶材逐(zhu)渐(jian)崭(zhan)露头(tou)角(jiao)。我国溅射(she)靶(ba)材产(chan)业起步(bu)较晚，目(mu)前具(ju)备(bei)规(gui)模(mo)化生(sheng)产(chan)能力和(he)较(jiao)强研(yan)发实力的企业较(jiao)少(shao)，溅射靶材(cai)主(zhu)要(yao)应用(yong)于中低(di)端(duan)产品(pin)。但近年来随着(zhe)国(guo)家(jia)政(zheng)策(ce)的鼓励(li)与(yu)资(zi)金(jin)的(de)支(zhi)持， 部分(fen)企(qi)业(ye)已(yi)经突破(po)了(le)关键(jian)技(ji)术(shu)门(men)槛(kan)，国(guo)产(chan)铝、铜、钼等靶(ba)材逐渐(jian)崭露头角(jiao)。我(wo)国溅射靶材(cai)行业主要上市(shi)公司(si)有江丰电(dian)子(zi)、有(you)研(yan)新材(cai)、阿(a)石(shi)创、隆(long)华(hua)科技(ji)。
有研(yan)新(xin)材：主(zhu)要(yao)生(sheng)产半导体靶材。已(yi)实现镍(nie)铂、钴、钨、铜(tong)等(deng)十余款 12英寸高纯(chun)金属(shu)溅射(she)靶材产(chan) 品(pin)的(de)关键(jian)技术突破(po)，多(duo)款(kuan)产(chan)品(pin)通(tong)过(guo)中芯国(guo)际(ji)、长江(jiang)存储(chu)以及新加披(pi)、韩国(guo)等(deng)国内外高(gao)端(duan)集成电路 厂商(shang)验证，并(bing)批(pi)量供货(huo)，客(ke)户(hu)覆盖中(zhong)芯国际、大(da)连(lian) intel、台积(ji)电、联(lian)电、北(bei)方华创(chuang)等(deng)芯片(pian)制造(zao)和(he) 设备(bei)企业(ye)；公(gong)司大尺寸靶(ba)材占(zhan)比持续增加(jia)，8-12 英(ying)寸靶(ba)材占比(bi)已达(da)到靶(ba)材(cai)整体(ti)销量(liang)的(de)三(san)分之二(er)， 其(qi)中(zhong) 12 英(ying)寸靶材(cai)销(xiao)售(shou)数量较 2019 年增长(zhang) 115%；2020年(nian)公(gong)司先(xian)进封(feng)装(zhuang)用(yong)高纯(chun)靶材(cai)销售(shou)量(liang)继(ji)续保(bao)持全(quan)国领(ling)先(xian)。
江丰(feng)电(dian)子(zi)：靶材业(ye)务(wu)多元(yuan)化(hua)扩展，产品在(zai)半(ban)导体、太阳(yang)能光伏(fu)和(he)面板领域均有(you)覆(fu)盖。主要(yao)产(chan)品为 各(ge)种(zhong)高纯(chun)溅射靶材(cai)，包括铝靶(ba)、钛(tai)靶(ba)、钽靶、钨(wu)钛靶等(deng)，主要(yao)应(ying)用于半导体（主要(yao)为超大(da)规模(mo)集 成电路(lu)领域）、平板(ban)显示、太(tai)阳(yang)能(neng)等(deng)领(ling)域。在半(ban)导体(ti)领(ling)域，公(gong)司(si)已(yi)成(cheng)为台(tai)积(ji)电(dian)、SK 海(hai)力士(shi)、中芯 国(guo)际、联华电子等(deng)厂商(shang)的供应商(shang)；在(zai)平(ping)板(ban)显示(shi)领(ling)域，公(gong)司(si)已成为(wei)京(jing)东(dong)方、华星(xing)光电(dian)等全球(qiu)知(zhi)名(ming)面 板(ban)厂商(shang)的(de)供应(ying)商。
隆华科技(ji)：在(zai)平面(mian)显(xian)示(shi)靶(ba)材行(xing)业(ye)处于(yu)国内(nei)领(ling)先(xian)地位。拥(yong)有(you)丰富(fu)靶(ba)材(cai)产(chan)品(pin)系(xi)列(lie)组合，四丰电(dian)子(zi)和(he)晶(jing) 联光电(dian)分(fen)别(bie)在(zai)钼(mu)靶和 ITO 靶(ba)材业务均属(shu)于(yu)行业(ye)龙头，同(tong)时在钼(mu)合金(jin)靶材和铜(tong)靶(ba)材等(deng)产品市场推(tui)广(guang) 也取(qu)得积极(ji)进(jin)展。四(si)丰(feng)电(dian)子用户包(bao)括京东方(fang)、华星光(guang)电(dian)、天(tian)马微电(dian)子(zi)等(deng)企业，覆盖了国内主(zhu)要使(shi) 用钼靶(ba)材(cai)的企(qi)业，且(qie)市(shi)场占(zhan)有(you)率(lv)越来(lai)越(yue)高(gao)，经(jing)过多年(nian)研发(fa)，公司(si)大尺寸(cun)宽(kuan)幅钼靶(ba)已开(kai)始批(pi)量供(gong)货， 成为(wei)了新(xin)的增(zeng)长点。
阿石创(chuang)：集(ji)镀膜材(cai)料(liao)研(yan)发、生(sheng)产(chan)、销(xiao)售等为(wei)一(yi)体(ti)的(de)综(zong)合(he)性(xing)平板显示(shi)镀膜(mo)材(cai)料企业(ye)。阿(a)石创在面(mian)板(ban) 领(ling)域主要(yao)生(sheng)产钼、铝(lv)、铜(tong)、钛(tai)及(ji) ITO 靶(ba)材(cai)，产品(pin)除(chu)面板(ban)、触控外还(hai)应(ying)用(yong)于(yu)光(guang)学(xue)器(qi)件(jian)、太阳能光伏 和汽车(che)/建筑玻璃镀膜(mo)等领域。开拓(tuo)了(le)华(hua)星光电(dian)、彩(cai)虹光(guang)电(dian)、中电熊猫等客户(hu)。产品(pin)远(yuan)销(xiao)日(ri)本(ben)、美(mei) 国、德(de)国(guo)、韩(han)国(guo)等(deng)国家。
（三）行业(ye)壁(bi)垒：拥(yong)有技(ji)术、客户(hu)双(shuang)重壁垒，行(xing)业护(hu)城(cheng)河(he)明显
1、技术壁垒：靶(ba)材(cai)制(zhi)造和溅(jian)射镀(du)膜(mo)技(ji)术(shu)要求(qiu)较(jiao)高(gao)，五(wu)大(da)核(he)心技(ji)术(shu)铸牢行(xing)业护城河(he)。
高纯溅(jian)射(she)靶材(cai)属于技术密集(ji)型产(chan)业，对生产(chan)技(ji)术、机(ji)器(qi)设备、工(gong)艺(yi)流程(cheng)和工(gong)作(zuo)环境(jing)都提(ti)出了非常(chang) 严(yan)格的(de)要(yao)求(qiu)。长(zhang)期(qi)以(yi)来(lai)，以美国、日(ri)本(ben)为代表(biao)的溅(jian)射靶材生产商在掌(zhang)握(wo)核(he)心技术(shu)以(yi)后，执行(xing)非(fei)常(chang) 严格的保(bao)密和专利(li)授(shou)权(quan)措(cuo)施(shi)，这(zhe)对(dui)新(xin)进(jin)入行业的企(qi)业设定(ding)了较高的技术(shu)门(men)槛(kan)，尤(you)其对于(yu)新产(chan)品开(kai) 发(fa)来说，不(bu)仅开(kai)发周期(qi)较长(zhang)，而且技术(shu)要求高(gao)，这就为溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)生产(chan)企(qi)业的研(yan)发能力、技(ji)术水平(ping) 和生(sheng)产工(gong)艺提出了(le)更高的标准。
通常来(lai)看(kan)，溅射(she)靶材(cai)生(sheng)产(chan)过程可(ke)分为(wei)金(jin)属提(ti)纯(chun)、靶(ba)材制造、溅(jian)射(she)镀(du)膜(mo)、终(zhong)端(duan)应用(yong)四个(ge)环节：
靶材(cai)制(zhi)造(zao)环节(jie)是在(zai)溅射(she)靶(ba)材产业链条(tiao)中对生(sheng)产设备及技(ji)术(shu)工(gong)艺(yi)要(yao)求最高(gao)的(de)环(huan)节，溅(jian)射(she)薄(bao)膜的(de)品(pin)质 对(dui)下(xia)游(you)产(chan)品的质量(liang)具有(you)重(zhong)要(yao)影(ying)响。靶材(cai)制(zhi)造环(huan)节(jie)首(shou)先(xian)需(xu)要根(gen)据(ju)下游(you)应用(yong)领(ling)域的(de)性能(neng)需(xu)求进行(xing)工(gong)艺 设(she)计(ji)，然后进行反(fan)复的塑(su)性变(bian)形、热处理来(lai)控(kong)制晶粒、晶向(xiang)等关(guan)键指标(biao)，再(zai)经(jing)过(guo)水(shui)切(qie)割、机械(xie)加(jia) 工、金属(shu)化、超生测试(shi)、超声清洗(xi)等(deng)工(gong)序(xu)。溅射靶材(cai)制(zhi)造(zao)所(suo)涉及(ji)的工(gong)序(xu)精(jing)细(xi)且繁(fan)多(duo)，工(gong)序流程管(guan) 理(li)及(ji)制(zhi)造(zao)工(gong)艺(yi)水平将直(zhi)接影(ying)响(xiang)到(dao)溅(jian)射(she)靶材(cai)的(de)质量和(he)良(liang)品率(lv)。目前制(zhi)备靶材(cai)的方法主(zhu)要有(you)铸造法(fa)和(he) 粉末(mo)冶(ye)金法(fa)。对于(yu)难熔金(jin)属(shu)，也(ye)可采用熔炼(lian)法。
溅(jian)射(she)镀(du)膜(mo)环节：溅(jian)射(she)机台(tai)长(zhang)期(qi)被美(mei)国、日本等(deng)跨国(guo)集团(tuan)垄断。在溅射(she)镀(du)膜过程中(zhong)，溅射(she)靶(ba)材(cai)需(xu)要(yao) 安装在(zai)机(ji)台(tai)中完(wan)成(cheng)溅(jian)射反应(ying)，溅射(she)机(ji)台(tai)专(zhuan)用性强(qiang)、精密(mi)度(du)高，市(shi)场(chang)长期被(bei)美(mei)国(guo)、日本跨国(guo)集(ji)团垄(long) 断(duan)。具体(ti)来(lai)看(kan)，镀(du)膜设备(bei)大(da)体可(ke)分(fen)成(cheng)真空(kong)形成系(xi)统(tong)、发射(she)源和沉积系(xi)统、沉积(ji)环境(jing)控(kong)制系统、监 控系统(tong)、传动(dong)机(ji)构系统 5 部分，但(dan)目前(qian)国产(chan)供(gong)应商多(duo)集中在中低(di)端产(chan)品(pin)，中高(gao)端(duan)市场(chang)占比极(ji)小(xiao)。 如发射源(yuan)和(he)沉(chen)积系(xi)统(tong)，尽(jin)管(guan)国内(nei)有(you)能力制作热(re)蒸(zheng)发系统，但(dan)普(pu)遍(bian)使(shi)用的电(dian)子(zi)枪(qiang)系统和(he)溅射电源设(she) 备依(yi)然依(yi)赖(lai)进口，而在 RF 离子源(yuan)方(fang)面，已(yi)有国(guo)内(nei)企业(ye)打破(po)技(ji)术封锁(suo)成功研(yan)发出高端(duan)国产设(she)备。
除(chu)靶(ba)材制造(zao)和(he)溅(jian)射(she)镀(du)膜环(huan)节(jie)外，超(chao)高纯金(jin)属(shu)提纯技术也(ye)具有较高技(ji)术壁(bi)垒(lei)。尤其是(shi)先进半导体等(deng) 高端(duan)制(zhi)造行业(ye)所需(xu)金(jin)属纯(chun)度在 5N5 甚至 6N 及(ji)其(qi)以(yi)上(shang)。单纯(chun)的金属提纯(chun)无法满足靶(ba)材要求(qiu)，而超 高纯(chun)铜(tong)、超(chao)高纯铝(lv)等核心技术(shu)多(duo)掌握(wo)在(zai)霍(huo)尼(ni)韦(wei)尔(er)、日矿(kuang)、东(dong)曹等(deng)美、日(ri)企业手中，这(zhe)些巨(ju)头占据 80%以上(shang)超(chao)高(gao)纯(chun)领域(yu)的市(shi)场份额(e)，并且持有(you)专有(you)技术(shu)，但近(jin)年(nian)来我国(guo)部分企(qi)业在金(jin)属(shu)提(ti)纯(chun)方(fang)面(mian)已(yi) 经取得(de)了较大(da)进步(bu)，江(jiang)丰(feng)电(dian)子和阿石创(chuang)在铝(lv)靶(ba)材(cai)领域、隆(long)华科技在(zai)钼钯(ba)材和 ITO 靶(ba)材领域、有(you)研 新(xin)材在(zai)铜(tong)靶(ba)材(cai)均有突(tu)破(po)。
综(zong)合(he)纯化与(yu)制(zhi)备流(liu)程的技术来看(kan)，高纯(chun)溅射靶(ba)材(cai)主(zhu)要包括五大核心(xin)生(sheng)产(chan)技(ji)术。参考长沙(sha)鑫(xin)康(kang)新材(cai) 料(liao)官(guan)网(wang)《高纯溅射(she)靶(ba)材(cai)是(shi)影(ying)响(xiang)靶(ba)材质量的关(guan)键(jian)之五大(da)核(he)心(xin)生(sheng)产技术(shu)》一(yi)文(wen)，综合(he)纯化(hua)与(yu)制备流(liu)程 的技术来看(kan)，能够掌控高(gao)端(duan)靶(ba)材(cai)市(shi)场的核心技术(shu)主要包括(kuo)： a.超高(gao)纯金属(shu)控制和(he)提纯技(ji)术(shu)、b.晶(jing) 粒晶向(xiang)控(kong)制技术、c.异种(zhong)金(jin)属(shu)大面(mian)积焊接技(ji)术(shu)、d.金(jin)属(shu)的精密(mi)加(jia)工(gong)及特殊处(chu)理技术(shu)、e.靶材的清洗 包(bao)装技(ji)术，是获取(qu)高端靶材(cai)的必(bi)备技(ji)术。
2、客(ke)户(hu)认证壁(bi)垒(lei)：以半(ban)导体靶(ba)材(cai)为例，客(ke)户认证周期一般(ban)需(xu)要 2-3年(nian)，且采(cai)取供(gong)应(ying)商(shang)份额(e)制，新(xin)进(jin)入行业的(de)企(qi)业(ye)面临(lin)着(zhe)较高的客户认(ren)证壁(bi)垒。显(xian)示面板(ban)行(xing)业客户认(ren)证(zheng)周期(qi)也(ye)高(gao)达(da) 1-2 年。
高(gao)纯溅(jian)射(she)靶材(cai)行业存在(zai)严格的(de)供(gong)应商认(ren)证机(ji)制，一(yi)般需(xu)要 2-3 年。由于高纯(chun)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)技术含(han)量(liang)高， 其产(chan)品质(zhi)量、性(xing)能指标直(zhi)接决(jue)定了终端产品的(de)品质和稳定性(xing)，属(shu)于客(ke)户(hu)的关键原(yuan)材料(liao)。因(yin)此，高 纯(chun)溅射靶(ba)材(cai)行(xing)业存在严(yan)格的供(gong)应商(shang)认证(zheng)机制(zhi)，只有通过(guo)严(yan)格的行业(ye)性(xing)质量(liang)管(guan)理体系(xi)认(ren)证(zheng)，同(tong)时满(man) 足下(xia)游客户的(de)质(zhi)量(liang)标准和性(xing)能(neng)要求，才(cai)能(neng)成为(wei)下游客户(hu)的(de)合格供应商(shang)。通(tong)常(chang)情况(kuang)下(xia)，需要(yao)经过(guo)供 应商(shang)初(chu)评(ping)、报价、样品检测、小(xiao)批(pi)样使(shi)用(yong)、以(yi)及(ji)稳(wen)定性检测等一(yi)系(xi)列(lie)评(ping)价过(guo)程，一(yi)般(ban)需(xu)要 2-3 年(nian)。
半(ban)导(dao)体芯片(pian)制(zhi)造企业(ye)采(cai)取供(gong)应(ying)商(shang)份额(e)制，新进(jin)入行业(ye)的(de)企(qi)业面临(lin)着较(jiao)高的客户(hu)认(ren)证(zheng)壁垒(lei)。溅(jian)射(she)靶 材(cai)供(gong)应商(shang)在(zai)通过(guo)下(xia)游(you)客户(hu)的(de)资格认(ren)证(zheng)后，下(xia)游客户(hu)会与(yu)溅(jian)射靶材(cai)供应商保(bao)持(chi)长期稳定的(de)合作关(guan)系， 不(bu)会轻易(yi)更(geng)换(huan)供应(ying)商(shang)，并在(zai)技(ji)术合(he)作、供(gong)货(huo)份(fen)额等(deng)方面(mian)向(xiang)优(you)质(zhi)供应商倾斜。，一(yi)般(ban)来(lai)看(kan)下游商(shang)家(jia) 会(hui)选(xuan)择(ze)三家(jia)左(zuo)右的稳(wen)定(ding)供应(ying)商(shang)。且排(pai)名第一的(de)供(gong)应(ying)商处的(de)采购量(liang)最(zui)大(da)，排(pai)名第(di)二(er)的供(gong)应(ying)商处的(de)采 购(gou)量较小(xiao)，而(er)排名(ming)第三的供(gong)应(ying)商(shang)则处(chu)于(yu)备胎位置(zhi)。因此(ci)新进入行(xing)业(ye)企(qi)业(ye)需(xu)要在技(ji)术(shu)水(shui)平(ping)、产品(pin)质 量、后续(xu)服务和供(gong)应价格(ge)等(deng)方(fang)面(mian)显著(zhu)超过原有(you)供应(ying)商，才(cai)有(you)可(ke)能(neng)获得供货订(ding)单，因此(ci)，新(xin)进入(ru)行 业(ye)的企业(ye)面临着(zhe)较高(gao)的(de)客户(hu)认证(zheng)壁(bi)垒。
显示(shi)面板(ban)行业(ye)客户(hu)认证周期也(ye)需(xu)要大(da)约 1-2 年(nian)时(shi)间(jian)。液(ye)晶(jing)面(mian)板行(xing)业(ye)对(dui)溅(jian)射靶材的品质(zhi)和(he)稳定(ding)性(xing)要 求(qiu)很高(gao)，对供应(ying)商(shang)资格认(ren)证壁垒(lei)较高(gao)，认(ren)证(zheng)周期很长(zhang)。一般情况下，在 1 条(tiao) 8.5 代(dai)生(sheng)产(chan)线上完(wan)成 靶(ba)材的(de)认证(zheng)，大(da)约需要(yao) 1 年时间，在高(gao)端 TFT-LCD 以(yi)及(ji) OLED 显示(shi)领域(yu)，认证周期(qi)则长达(da) 1～2 年。如果一家(jia)用户单位拥有(you)多条生产线的(de)，则(ze)必(bi)须(xu)在(zai)上一(yi)条生产(chan)线(xian)完(wan)成(cheng)认(ren)证(zheng)后(hou)，才(cai)能开始(shi)在(zai)下一(yi) 条生产线(xian)上开展(zhan)认证。
光伏(fu)用 ITO 靶(ba)材与面板(ban)用技术互(hu)通，率先绑定产业龙(long)头(tou)者有(you)望(wang)获取(qu)先发优(you)势(shi)。HJT 光(guang)伏电(dian)池（异 质(zhi)结(jie)电(dian)池）在制(zhi)备(bei) TCO 导电(dian)膜阶段(duan)需要 ITO 靶(ba)材(cai)，其制作工(gong)艺(yi)和(he)技术类(lei)似于(yu)面(mian)板用(yong) ITO 靶(ba)材， 但(dan) ITO 靶材(cai)各(ge)家参(can)数(shu)差(cha)别(bie)巨大(da)，需要与下游厂家(jia)联合测试开发，率(lv)先绑(bang)定(ding)产(chan)业龙(long)头者(zhe)有(you)望(wang)获取(qu)先(xian) 发(fa)优(you)势，高筑(zhu)行(xing)业(ye)壁垒(lei)。（报(bao)告(gao)来源：未来(lai)智库(ku)）
二、半导体(ti)靶材：产(chan)业(ye)转移加(jia)速靶材国(guo)产(chan)替(ti)代(dai)，技(ji)术(shu) 革新(xin)推动铜钽(tan)需求提(ti)升(sheng)
（一）需求(qiu)：晶圆(yuan)产能(neng)加速向中国(guo)大陆转(zhuan)移，21-25 年(nian)我国 靶材需(xu)求(qiu)增速(su)或(huo)达 9.2%
1、靶(ba)材(cai)在半(ban)导(dao)体中的应用
半导(dao)体(ti)芯(xin)片(pian)行(xing)业(ye)是(shi)金(jin)属(shu)溅射靶(ba)材(cai)的(de)主(zhu)要(yao)应(ying)用领域之(zhi)一(yi)，也是对靶材的成(cheng)分(fen)、组(zu)织和性能(neng)要(yao)求(qiu)最高 的领(ling)域，靶(ba)材纯(chun)度要(yao)求通(tong)常(chang)达(da) 99.9995%（5N5）甚(shen)至 99.9999%（6N）以上(shang)。半导体(ti)芯(xin)片(pian)的制作 过(guo)程(cheng)可分(fen)为(wei)芯(xin)片设计(ji)、晶圆(yuan)制造(zao)、芯片(pian)封(feng)装和(he)芯片测试(shi)四(si)大环(huan)节，其(qi)中，在晶(jing)圆(yuan)制造(zao)和(he)芯片封装(zhuang) 这两(liang)个(ge)环节中都(dou)需要用(yong)到(dao)金属溅(jian)射靶(ba)材。其(qi)中，靶(ba)材(cai)在(zai)晶圆制造环(huan)节主(zhu)要被(bei)用(yong)作(zuo)金(jin)属溅镀(du)，常(chang)采 用(yong) PVD 工(gong)艺(yi)进(jin)行(xing)镀膜(mo)，通(tong)常(chang)使(shi)用(yong)纯度(du)在(zai) 5N5 及(ji)以(yi)上的铜(tong)靶(ba)、铝(lv)靶(ba)、钽(tan)靶(ba)、钛(tai)靶以(yi)及部(bu)分合金(jin)靶 等(deng)；靶材(cai)在芯片(pian)封装环节常(chang)用作(zuo)贴片(pian)焊线的(de)镀(du)膜，常采(cai)用高(gao)纯及(ji)超(chao)高纯金(jin)属(shu)铜(tong)靶(ba)、铝靶(ba)、钽(tan)靶等(deng)。
半导体(ti)芯(xin)片用金(jin)属(shu)溅射(she)靶(ba)材的(de)作用，就(jiu)是给芯片(pian)上(shang)制(zhi)作(zuo)传(chuan)递信(xin)息(xi)的金(jin)属导(dao)线。具体工艺(yi)过程(cheng)为(wei)， 在完成(cheng)溅(jian)射(she)工(gong)艺后(hou)，使(shi)各(ge)种(zhong)靶材(cai)表(biao)面的原子(zi)一(yi)层一层(ceng)地沉积(ji)在半(ban)导(dao)体(ti)芯(xin)片(pian)的(de)表面上，然后再(zai)通过(guo) 的(de)特殊(shu)加工工艺，将沉积在(zai)芯(xin)片(pian)表面(mian)的(de)金(jin)属(shu)薄膜刻(ke)蚀成(cheng)纳米级(ji)别(bie)的金(jin)属(shu)线(xian)，将(jiang)芯(xin)片(pian)内(nei)部(bu)数(shu)以(yi)亿计 的微型晶体管相互(hu)连接起来，从而起到(dao)传(chuan)递(di)信号的作用(yong)。
半导(dao)体(ti)靶材市场在(zai)半(ban)导(dao)体晶圆制(zhi)造(zao)材料市(shi)场中占(zhan)比(bi)约2.6%，在(zai)封装(zhuang)材料市(shi)场中(zhong)占比约(yue)2.7%。据 SEMI统(tong)计，2011-2015 年，在晶圆制造(zao)材(cai)料中(zhong)，溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)约(yue)占(zhan)晶圆制(zhi)造材料市场(chang)的(de) 2.6%。在封(feng) 装测试(shi)材(cai)料中(zhong)，溅(jian)射靶材(cai)约占封装测试材(cai)料(liao)市场的(de) 2.7%。全(quan)球半(ban)导(dao)体靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)规模(mo)与(yu)全球(qiu)半(ban)导体(ti) 材料(liao)市场规(gui)模变化(hua)趋势相(xiang)近(jin)。
2、全(quan)球(qiu)半导体靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)规模预(yu)测
半(ban)导(dao)体行(xing)业已(yi)步(bu)入新(xin)一(yi)轮景气(qi)周期，预计(ji)2025年(nian)全(quan)球(qiu)半(ban)导体晶(jing)圆制造(zao)材(cai)料销(xiao)售额(e)预(yu)计将(jiang)达到(dao) 604 亿美元，封(feng)装(zhuang)材料(liao)销售(shou)额将(jiang)达到 248 亿美元(yuan)。根据(ju) wind 及(ji) SEMI 数(shu)据(ju)显示(shi)，2011-2020 年(nian)，全球 半(ban)导(dao)体(ti)晶(jing)圆制(zhi)造材(cai)料销售额年(nian)均(jun)复合增(zeng)长(zhang)率为(wei) 4.1%，封(feng)装(zhuang)材料(liao)销(xiao)售额(e)年(nian)均复合(he)增(zeng)长率(lv)为(wei)-1.6%， 2020 年，因(yin) 5G 普及(ji)、新(xin)冠肺(fei)炎(yan)疫情(qing)推(tui)升(sheng)宅(zhai)经济(ji)需求(qiu)，全球(qiu)半(ban)导(dao)体需(xu)求(qiu)攀(pan)高(gao)，全球(qiu)半(ban)导体材料销(xiao) 售额年(nian)增 4.9%至(zhi) 553 亿(yi)美元(yuan)，其中晶圆(yuan)制(zhi)造材(cai)料占比(bi) 63%，销售(shou)额为 349 亿美元(yuan)；半导体封(feng)装(zhuang) 材料(liao) 204 亿(yi)美(mei)元(yuan)。据(ju) Gartner，经(jing)过 2019 年(nian)的(de)周(zhou)期性(xing)调(diao)整，半导(dao)体行业(ye)已(yi)步入(ru)新一轮(lun)景气(qi)周期(qi)。
我(wo)们假设(she) 2020-2025 年(nian)全球半(ban)导体晶(jing)圆制造材(cai)料销(xiao)售(shou)额(e) CAGR 与(yu) IC Insights 预(yu)测(ce)全球晶圆(yuan)制造 市(shi)场(chang)规(gui)模(mo) CAGR 基本(ben)保(bao)持(chi)一致(zhi)，为 11.6%，预计 2025 年(nian)全球半(ban)导(dao)体晶(jing)圆(yuan)制造材(cai)料销(xiao)售(shou)额(e)预计将 达到 604 亿(yi)美(mei)元，同时假设(she) 21-25 年全(quan)球半导体(ti)封测材料(liao)销(xiao)售额(e) CAGR 与 Frost & Sullivan 预测(ce) 全球(qiu)封测(ce)行(xing)业市(shi)场(chang)规(gui)模 CAGR 保(bao)持(chi)一(yi)致(zhi)，为(wei) 4.0%，封(feng)装(zhuang)材料销售(shou)额将(jiang)达(da)到(dao) 248 亿美元(yuan)。
假设 2016-2025 年溅(jian)射靶材(cai)占晶圆(yuan)制(zhi)造材料销售(shou)额(e)的(de)比例(li)维持(chi)在 2.6%。在封(feng)装测试(shi)材料中，溅(jian) 射(she)靶(ba)材(cai)占(zhan)封装测试材(cai)料(liao)的(de)比(bi)例维持(chi)在(zai) 2.7%。我们预计(ji) 2025 年全球(qiu)半(ban)导体(ti)靶(ba)材(cai)市场规(gui)模将达到 22.4 亿美(mei)元(yuan)。
3、中(zhong)国(guo)半(ban)导体(ti)靶材市场(chang)规(gui)模预(yu)测(ce)
半导(dao)体产业(ye)加速向(xiang)国内转移(yi)，靶材(cai)行业(ye)正步(bu)入快速(su)发展(zhan)期(qi)，预(yu)计(ji) 2025 年我(wo)国(guo)半导(dao)体(ti)靶材市(shi)场规(gui) 模(mo)将(jiang)达(da)到 43 亿元(yuan)（折(zhe)合(he) 6.7 亿(yi)美元）。在政府(fu)政策的(de)支(zhi)持(chi)和我国(guo)相对巨大(da)的成(cheng)本(ben)及市(shi)场优(you)势下， 半(ban)导体从正加速(su)向中(zhong)国(guo)大(da)陆转移(yi)，一方(fang)面包括(kuo)台积(ji)电(dian)、联电(dian)等(deng)在(zai)内的多家晶圆(yuan)代(dai)工(gong)企(qi)业(ye)将在(zai)大(da)陆 投放产(chan)线，另(ling)一方(fang)面(mian)大陆晶圆(yuan)代工(gong)厂(chang)包括中(zhong)芯国际、华力微(wei)电(dian)子等(deng)也(ye)有多(duo)条产线(xian)投产(chan)。随着(zhe)半导(dao) 体(ti)晶(jing)圆产能(neng)陆(lu)续(xu)向中国转移，国(guo)内半(ban)导(dao)体制(zhi)造行(xing)业(ye)的体量(liang)将(jiang)迅速扩张，靶(ba)材行(xing)业(ye)也步入(ru)了(le)快速(su)发 展期，据 MIR 睿工业数据显(xian)示，2020 年我(wo)国半(ban)导体(ti)靶材市(shi)场规(gui)模约 29.86 亿(yi)元（折(zhe)合 4.33 亿美 元），2013-2020 年(nian) CAGR 约(yue) 16.15%。
据 ICInsights 的(de)预测(ce)，到(dao) 2025 年(nian)中(zhong)国(guo)大陆半(ban)导体(ti)芯片(pian)市(shi)场(chang)规模将达(da)到 2230 亿(yi)美元(yuan)，2020-2025 年间(jian)的年(nian)复(fu)合(he)增(zeng)长率(lv)将(jiang)达(da) 9.2%。我(wo)们(men)假设半导(dao)体材料(liao)增速(su)与(yu)大(da)陆生(sheng)产(chan)半(ban)导(dao)体芯(xin)片市(shi)场规模增速持(chi) 平(ping)，且 2021-2025年(nian)靶材在半(ban)导体(ti)材(cai)料(liao)销售额(e)中的(de)占比与 2020年持平，维(wei)持在(zai) 4.5%。预计(ji) 2025 年(nian)我(wo)国半(ban)导(dao)体靶材(cai)市(shi)场(chang)规(gui)模(mo)将(jiang)达到 43 亿元（折合(he) 6.7 亿(yi)美元）
（二）供给(gei)：日美厂商占(zhan)比(bi)约(yue)占(zhan) 90%，国(guo)产铜(tong)、铝等靶材(cai)已(yi) 取得定(ding)点突(tu)破
1、国(guo)外主要半(ban)导(dao)体供应商基(ji)本情(qing)况
日(ri)矿金(jin)属、东曹公(gong)司以(yi)及(ji)美(mei)国的(de)霍尼韦尔、普莱(lai)克(ke)斯(si)公司(si)，四家靶材制造(zao)国(guo)际(ji)巨(ju)头，占据(ju)了全球 半(ban)导体芯(xin)片(pian)用靶(ba)材(cai)市场(chang)约(yue) 90%的份(fen)额(e)。半导(dao)体(ti)靶材(cai)技术(shu)含(han)量(liang)极高(gao)，处于靶材(cai)应(ying)用场(chang)景顶端，市(shi)场(chang) 集(ji)中(zhong)度极(ji)高，日矿(kuang)金(jin)属(shu)、东(dong)曹公司(si)以及美国(guo)的霍尼(ni)韦(wei)尔(er)、普莱(lai)克(ke)斯公(gong)司(si)，四(si)家靶(ba)材制造(zao)国际(ji)巨头(tou)， 占(zhan)据了全(quan)球半(ban)导体(ti)芯(xin)片用(yong)靶(ba)材(cai)市场(chang)约 90%的(de)份额(e)。凭借着先(xian)发优势，美日(ri)等(deng)国的靶(ba)材企业(ye)已经具(ju) 备(bei)了(le)从(cong)金(jin)属材(cai)料(liao)的高纯化(hua)制备到靶(ba)材(cai)制造的完(wan)备的技(ji)术垂(chui)直整(zheng)合(he)能(neng)力，在(zai)全(quan)球(qiu)高端电子(zi)制造(zao)用靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)占据(ju)着绝(jue)对的(de)领(ling)先(xian)地位(wei)。
2、国(guo)内(nei)主要半(ban)导体靶材供(gong)应(ying)商基(ji)本情(qing)况(kuang)
在(zai)政策(ce)引导(dao)和(he)支(zhi)持(chi)下，我国半(ban)导体用铜、铝、钛(tai)等(deng)靶材已(yi)实现定(ding)点(dian)突破(po)，江丰(feng)电(dian)子(zi)（铝靶、钛(tai)靶(ba)、 钽(tan)靶）、有研新(xin)材(cai)（铜(tong)靶(ba)、钴(gu)靶）是国(guo)内(nei)半(ban)导体用(yong)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的(de)龙头企业(ye)。
产能方面(mian)：未(wei)来 2-3 年(nian)我国(guo)半导体(ti)靶(ba)材预计将(jiang)新(xin)增 10 万块以(yi)上产(chan)能(neng)
江(jiang)丰(feng)电(dian)子(zi)：1）现(xian)有产(chan)能：目前(qian)拥(yong)有半导(dao)体(ti)或平板显示(shi)用(yong)高纯铝(lv)靶材(cai)36920块(kuai)、高纯(chun)钛(tai)靶(ba)材11895块、高纯(chun)铜(tong)靶(ba)材(cai)1000块(kuai)、高纯钨(wu)靶材500块(kuai)、高(gao)纯(chun)钴(gu)靶(ba)材1000块，高(gao)纯钽(tan)靶(ba)材4614块。 2)新(xin)增(zeng)产(chan)能(neng)：2021 年(nian) 12 月(yue)公(gong)司向特定对象发(fa)行股(gu)票(piao)拟(ni)募(mu)集(ji)资金(jin)总额不超过(guo)16.52亿元(yuan)，用于建(jian) 设(she)宁波(bo)江(jiang)丰(feng)电(dian)子(zi)年(nian)产 5.2 万(wan)个超(chao)大(da)规(gui)模集成(cheng)电(dian)路用超高纯(chun)金(jin)属溅射(she)靶材(cai)产(chan)业化(hua)项目、浙江(jiang)海宁(ning)年(nian)产(chan)1.8万(wan)个超大(da)规模集(ji)成(cheng)电路用(yong)超高(gao)纯(chun)金属(shu)溅射(she)靶材产(chan)业化项(xiang)目。项目(mu)建(jian)成(cheng)后预计(ji)将新增(zeng) 7 万(wan)块(kuai) 半(ban)导体靶(ba)材(cai)产(chan)能，项(xiang)目建设期预计为 24个(ge)月(yue)。
有(you)研新材(cai)：1）现有(you)产能(neng)：目前拥(yong)有(you)约 2 万(wan)吨(dun)半(ban)导体产(chan)能(neng)；2)新(xin)增(zeng)产(chan)能(neng)：公司(si)年产 30 吨集(ji)成电路(lu) 用(yong)超高(gao)纯(chun)铜新(xin)材(cai)料项目也正稳步推(tui)进，此外 2022 年(nian) 3 月(yue)公司也(ye)发布(bu)了有(you)研(yan)亿(yi)金(jin)靶材扩(kuo)产(chan)项目(mu)公 告(gao)，拟投资(zi) 6.46 亿(yi)元(yuan)新(xin)建(jian)山东(dong)德(de)州新(xin)建(jian)生(sheng)产(chan)基地和(he)改扩建昌平基地项目(mu)，预计(ji)将(jiang)在 2025 年(nian)底(di)前 达产，项(xiang)目(mu)达(da)产(chan)后公(gong)司产(chan)能(neng)将扩(kuo)充 73000 块(kuai)/年。
（三(san)）应用趋(qu)势(shi)：下(xia)游(you)技术革新(xin)，溅射(she)靶材逐(zhu)步(bu)向(xiang)大(da)尺寸(cun)、多(duo) 品(pin)种、高纯度化(hua)发展
芯(xin)片制(zhi)程(cheng)工艺已(yi)经从130nm提升(sheng)至 7nm，晶(jing)圆(yuan)尺(chi)寸(cun)也(ye)已实现(xian)了 8 英寸(cun)到 12 英(ying)寸(cun)的转变(bian),，对溅(jian) 射(she)靶(ba)材性(xing)能要(yao)求大幅(fu)提升。溅(jian)射靶(ba)材(cai)的技术(shu)发(fa)展趋势与(yu)下游应(ying)用(yong)领(ling)域(yu)的技(ji)术革(ge)新息(xi)息相(xiang)关，随着 应(ying)用市(shi)场在(zai)薄膜产品(pin)或(huo)元件上(shang)的技术进(jin)步，溅(jian)射(she)靶材也(ye)需(xu)要随之(zhi)变(bian)化，随着半(ban)导(dao)体技术的(de)不(bu)断(duan)发 展(zhan)，集成(cheng)电路(lu)中的(de)晶(jing)体管和(he)线宽(kuan)的尺(chi)寸越(yue)来(lai)越(yue)小(xiao)。芯(xin)片制程工(gong)艺已(yi)经(jing)从(cong) 130nm 提(ti)升至 7nm，与之 对(dui)应(ying)的(de)晶圆(yuan)尺(chi)寸也已(yi)实现了(le) 8 英(ying)寸(cun)到 12 英(ying)寸(cun)的(de)转(zhuan)变(bian)，此外(wai)台(tai)积电(dian)、三星等企业(ye)也(ye)正(zheng)在加(jia)速(su)推进更(geng) 高(gao)端(duan)的(de)芯片制程工(gong)艺(yi)研发与生(sheng)产。为了(le)满足现代芯(xin)片高精(jing)度(du)、小(xiao)尺寸的需(xu)求(qiu)，对电(dian)极和(he)连接(jie)器(qi)件(jian) 的(de)布(bu)线金(jin)属(shu)薄膜的(de)性能(neng)要求越来越(yue)高，这就(jiu)对(dui)溅(jian)射(she)靶材的性(xing)能提(ti)出了(le)更高的要求(qiu)。推动(dong)溅射靶材(cai) 逐步向大尺寸、多品种(zhong)、高(gao)纯度(du)化(hua)发(fa)展(zhan)。
1、趋势(shi) 1：大(da)尺(chi)寸
大(da)尺(chi)寸是靶材(cai)的(de)重要发展方向，但随(sui)尺(chi)寸(cun)增(zeng)加(jia)，靶(ba)材在(zai)晶(jing)粒(li)晶向(xiang)控(kong)制(zhi)难(nan)度(du)呈指数级(ji)增(zeng)加(jia)，对技术(shu) 要(yao)求就越(yue)高(gao)。晶圆(yuan)尺寸越大，可(ke)利(li)用效(xiao)率越(yue)高。.12 英寸(cun)晶圆拥(yong)有较大(da)的晶方使用面积(ji)，得以(yi)达 到效率(lv)最(zui)佳(jia)化(hua)，相(xiang)对(dui)于 8 英寸晶圆而言，12 英寸(cun)的(de)可(ke)使用面(mian)积(ji)超过两(liang)倍。大(da)尺(chi)寸(cun)晶(jing)圆(yuan)要求(qiu)靶(ba)材(cai)也 朝着(zhe)大(da)尺(chi)寸方(fang)向发(fa)展。
2、趋势(shi) 2：多(duo)品种(zhong)
半(ban)导(dao)体(ti)芯片行业常(chang)用的金(jin)属溅射(she)靶材(cai)主要种类(lei)包(bao)括(kuo)：铜、钽、铝、钛(tai)、钴和(he)钨等高(gao)纯(chun)溅射(she)靶材， 以(yi)及(ji)镍(nie)铂(bo)、钨(wu)钛(tai)等合(he)金(jin)类的溅(jian)射靶(ba)材(cai)，其(qi)中(zhong)铝与(yu)铜为(wei)两大(da)主流导(dao)线工(gong)艺。目(mu)前(qian)芯(xin)片生产(chan)所使(shi)用的 主(zhu)流工艺中(zhong)同(tong)时存(cun)在(zai)铝和(he)铜两(liang)种导线工艺，一般来说 110nm 晶(jing)圆技术(shu)节点以(yi)上(shang)使(shi)用铝(lv)导线， 110nm 晶圆(yuan)技(ji)术(shu)节点(dian)以下使(shi)用铜导(dao)线(xian)。钛(tai)靶和铝靶通常配(pei)合起来使用，常作(zuo)为铝(lv)导(dao)线的(de)阻(zu)挡(dang)层的(de) 薄膜(mo)材料，钽靶则配(pei)合铜靶使用(yong)，作(zuo)为铜导线的阻(zu)挡层(ceng)的(de)薄(bao)膜(mo)材料。
随着(zhe)晶圆(yuan)制(zhi)造朝着更(geng)小(xiao)的(de)制程(cheng)方(fang)向(xiang)发(fa)展，铜(tong)导线(xian)工艺(yi)的(de)应(ying)用(yong)量在(zai)逐(zhu)步(bu)增(zeng)大(da)，因(yin)此(ci)，铜和(he)钽(tan)靶材(cai)的(de) 需求将有望(wang)持(chi)续(xu)增(zeng)长。在晶(jing)圆制程选择上(shang)，从(cong)全球晶圆厂(chang)产(chan)能建(jian)设情况来(lai)看(kan)，12 寸(cun)晶圆(yuan)厂(chang)是目(mu)前 主流建设方(fang)向(xiang)。随着(zhe)晶圆制造朝(chao)着(zhe)更小(xiao)的(de)制程(cheng)方(fang)向(xiang)发(fa)展(zhan)，铜导线(xian)由于具有(you)更(geng)低(di)的电(dian)迁移效(xiao)应，及(ji) 更低(di)的(de)电阻，有降(jiang)低功(gong)耗、提高运算(suan)速度等作用(yong)，应(ying)用(yong)量(liang)在(zai)逐步(bu)增(zeng)大(da)。据(ju) SEMI 数(shu)据显示(shi)，如(ru)今 12 英(ying)寸(cun)晶(jing)圆(yuan)约占(zhan) 64%，8 英寸晶(jing)圆(yuan)占(zhan)比达 26%，其他尺寸晶圆占比 10%。12 英(ying)寸(cun)晶(jing)圆已(yi)经(jing)成为(wei) 市(shi)场的(de)主流。
但(dan)传(chuan)统的(de)铝靶由(you)于在可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)抗(kang)干扰性(xing)等方面(mian)的(de)性能(neng)依然(ran)较为突(tu)出(chu)，也仍(reng)然(ran)具(ju)有巨大(da)的(de)市场空间。 如汽车电(dian)子领域(yu)的(de)芯(xin)片大(da)量(liang)使(shi)用(yong)铝钛材(cai)料的 110nm 以(yi)上工(gong)艺以确保可靠性(xing)。因此，芯片制程工艺 的(de)进步(bu)并(bing)不(bu)意(yi)味着原有(you)制程工(gong)艺(yi)及(ji)其(qi)材(cai)料被淘汰(tai)，因(yin)可(ke)靠(kao)性(xing)、抗干扰性(xing)、低(di)成本(ben)等(deng)优(you)势，110nm 以上(shang)技(ji)术(shu)节(jie)点(dian)的芯(xin)片产(chan)品也(ye)具(ju)有巨大的(de)市场(chang)空间(jian)。
3、趋势 3：高纯化(hua)
高(gao)纯度甚(shen)至(zhi)超(chao)高纯(chun)度(du)靶材(cai)是高端(duan)集(ji)成(cheng)电(dian)路半导体(ti)芯片的(de)必备材(cai)料(liao)，通常半(ban)导(dao)体(ti)靶材纯(chun)度(du)要求(qiu)通(tong)常(chang) 达(da) 99.9995%（5N5）甚(shen)至 99.9999%（6N）以(yi)上。在(zai)下(xia)游(you)应(ying)用领域(yu)中，半导(dao)体产(chan)业对溅射靶材(cai)和(he) 溅(jian)射薄(bao)膜(mo)的(de)品(pin)质要(yao)求最(zui)高，随着更(geng)大尺寸的(de)硅(gui)晶(jing)圆片制(zhi)造(zao)出来，相(xiang)应地要求(qiu)溅(jian)射靶(ba)材(cai)也朝着(zhe)大尺(chi) 寸(cun)方(fang)向(xiang)发(fa)展(zhan)，同时(shi)也对(dui)溅射(she)靶材的(de)晶粒(li)晶向(xiang)控制(zhi)提(ti)出(chu)了(le)更高(gao)的要(yao)求(qiu)。溅射薄(bao)膜的纯(chun)度(du)与溅(jian)射靶材 的(de)纯(chun)度密(mi)切相(xiang)关(guan)，为了满足(zu)半(ban)导(dao)体更(geng)高(gao)精(jing)度、更(geng)细(xi)小微(wei)米(mi)工艺(yi)的(de)需求，所(suo)需(xu)要的(de)溅射靶材(cai)纯度不 断(duan)攀(pan)升，通常(chang)半导(dao)体(ti)靶材纯度要(yao)求(qiu)通常(chang)达(da) 99.9995%（5N5）甚(shen)至(zhi) 99.9999%（6N）以上。
目前(qian)国(guo)内溅(jian)射(she)靶(ba)材的高(gao)纯(chun)金属原料多数依靠(kao)日(ri)美进(jin)口。但部(bu)分企业(ye)在(zai)部分(fen)金(jin)属提纯方(fang)面(mian)已取(qu)得了(le) 重(zhong)大(da)突(tu)破(po)。全(quan)球(qiu)范围(wei)内(nei)，美、日等(deng)国凭借着(zhe)先发优(you)势(shi)和技术专利壁垒(lei)，依托先(xian)进(jin)的(de)提纯(chun)技(ji)术在产 业(ye)链中(zhong)居(ju)于十(shi)分有利的(de)地位(wei)，议价能力强(qiang)，国内溅射靶(ba)材的(de)高(gao)纯(chun)金属原(yuan)料多(duo)数也(ye)依(yi)靠日(ri)美进(jin)口(kou)。 但(dan)经过(guo)多(duo)年(nian)的(de)靶材(cai)技术(shu)开(kai)发，近(jin)年(nian)来部分企业(ye)已在(zai)部(bu)分(fen)金属提(ti)纯方面(mian)已(yi)取(qu)得(de)了重大(da)突破，已(yi)开(kai)始 逐(zhu)步实(shi)现(xian)国产替(ti)代(dai)。（报(bao)告来源：未来(lai)智库）
三(san)、平(ping)板(ban)显(xian)示靶(ba)材：国产(chan)替(ti)代+产品(pin)迭代，我(wo)国显(xian)示面(mian)板(ban)靶(ba)材(cai)需求(qiu)有(you)望(wang)持(chi)续高速(su)
（一）需(xu)求(qiu)：预计 25 年(nian)我(wo)国市场(chang)规模(mo)约(yue)为(wei) 50 亿(yi)美元(yuan)，21- 25 年(nian) CAGR 为 18.9%
1、靶材在平(ping)板(ban)显(xian)示(shi)中的应(ying)用(yong)
若(ruo)根据工(gong)艺(yi)的(de)不同，FPD 行(xing)业用靶材(cai)也(ye)可大致(zhi)分为(wei)溅射(she)用靶材(cai)和蒸(zheng)镀(du)用靶材(cai)。其中(zhong)溅射(she)用靶(ba)材主(zhu) 要为 Cu、Al、Mo 和(he) IGZO 等(deng)材(cai)料。IGZO 为(wei) TFT 激活层，一般用于手机 LTPO OLED 技(ji)术(shu)和(he)大 尺(chi)寸 OLED 技(ji)术(shu)。IGZO 也可(ke)以(yi)被(bei)用(yong)于 LCD 的制造和 X-ray 探测(ce)器(qi)的制(zhi)造(zao)。在国(guo)内(nei)的(de) LCD 生(sheng)产(chan) 中(zhong)，BOE B18 和 B19 用(yong) IGZO 作(zuo)为 TFT 激(ji)活(huo)层(ceng)。在老(lao)旧(jiu)产线(xian)中，京东(dong)方也(ye)利用 IGZO 来替代(dai) aSi以(yi)生(sheng)产(chan)精(jing)度(du)更(geng)高(gao)的 X-ray探测(ce)器(qi)。ITO和(he) IZO为(wei)透明导(dao)电(dian)电(dian)极(ji)。其中 ITO被广泛(fan)的运用(yong)于 OLED 和(he) LCD 的(de)制(zhi)造中，而 IZO 时而(er)会(hui)被(bei)用于(yu)顶(ding)发射 OLED 的(de)阴(yin)极来(lai)使(shi)用(yong)。Cu、Al、Mo 和(he) Ti 等金属 则做(zuo)为金属(shu)走(zou)线，被广(guang)泛的运(yun)用(yong)于(yu) Array 的(de) TFT 生产(chan)中，其中钼或(huo)者(zhe)合(he)金(jin)材料靶(ba)材常(chang)作为(wei) OLED 器(qi)件的阴(yin)极(ji)使(shi)用，此(ci)外(wai)铝(lv)靶(ba)也可作(zuo)为(wei)阴(yin)极使用(yong)。
蒸(zheng)镀用靶材一般为(wei) Ag 和 Mg 两种(zhong)金属。Ag 和 Mg 合金一(yi)般(ban)用(yong)于(yu)小(xiao)尺(chi)寸 OLED 面板产线中的(de)阴(yin)极 制(zhi)作。除此(ci)以(yi)外，Ag 也(ye)可以作为(wei)顶发(fa)射(she) OLED 器(qi)件(jian)中(zhong)的(de)阳极(ji)反(fan)射(she)层使用(yong)。
其(qi)中薄膜晶体(ti)管(guan)液晶显示(shi)面板(TFT-LCD)是(shi)当(dang)前(qian)的(de)主(zhu)流平面显示(shi)技术(shu)，金(jin)属(shu)溅射靶材则是制造(zao) TFT-LCD 过(guo)程(cheng)中最(zui)关(guan)键(jian)的(de)材料(liao)之一(yi)。薄(bao)膜晶(jing)体管液晶(jing)显(xian)示(shi)器(TFT-LCD)具有轻(qing)薄、功(gong)耗(hao)低(di)、成(cheng)本(ben) 低(di)等(deng)优点，目(mu)前(qian) TFT-LCD 大(da)约占(zhan) 80%以(yi)上的显示面板(ban)市场份(fen)额(e)。这类(lei)显(xian)示(shi)面板(ban)是(shi)由大(da)量的液(ye)晶(jing) 显示单(dan)元阵列组成(cheng)(如(ru) 4K 分(fen)辨(bian)率的屏幕含有 800 多(duo)万(wan)个显示单(dan)元阵(zhen)列)，而(er)每(mei)一个液晶显(xian)示(shi)单元(yuan)， 都由一个单(dan)独的(de)薄(bao)膜晶(jing)体管(TFT)所控制(zhi)和(he)驱动。
薄膜(mo)晶(jing)体管阵列(lie)的(de)制(zhi)作原(yuan)理(li)，是(shi)在真空(kong)条件下(xia)，利用离(li)子束(shu)流去(qu)轰(hong)击(ji)固体(ti)，使固(gu)体(ti)表面的原(yuan)子(zi)电 离(li)后(hou)沉(chen)积(ji)在玻(bo)璃(li)基(ji)板(ban)上，经(jing)过反复(fu)多次的(de)“沉(chen)积+刻蚀”，一(yi)层层(ceng)(一(yi)般为(wei) 7－12 层)地(di)堆(dui)积制(zhi)作(zuo)出 薄(bao)膜(mo)晶(jing)体(ti)管(guan)阵列(lie)。这种(zhong)被(bei)轰(hong)击(ji)的固(gu)体，即(ji)用溅(jian)射法(fa)沉积(ji)薄(bao)膜的(de)原材料，就被(bei)称作溅(jian)射靶(ba)材。
除 LCD 外，近(jin)年来(lai)快(kuai)速(su)发展(zhan)的 OLED 面板产业靶(ba)材需(xu)求(qiu)增长(zhang)也(ye)十(shi)分(fen)明显(xian)。OLED 典型(xing)结构是(shi)在(zai) 氧化铟(yin)锡（ITO）玻(bo)璃(li)上(shang)制作(zuo)一层几十纳(na)米厚的发光材(cai)料(liao)，ITO 透(tou)明(ming)电极(ji)作(zuo)为器件的(de)阳极，钼(mu)或(huo)者 合(he)金(jin)材(cai)料作(zuo)为(wei)器件的(de)阴极(ji)。从阴阳(yang) 2 极(ji)分别注入(ru)电子和(he)空穴(xue)，在(zai)一(yi)定电(dian)压驱(qu)动下(xia)，被(bei)注(zhu)入的电子 和(he)空穴分(fen)别(bie)经(jing)过电(dian)子传输层(ceng)和(he)空穴(xue)传输层(ceng)迁(qian)移(yi)到(dao)发(fa)光(guang)层并复(fu)合(he)，形(xing)成激子(zi)并使(shi)发(fa)光(guang)分子(zi)产生(sheng)单态(tai) 激子(zi)，单态激(ji)子(zi)衰(shuai)减(jian)发光。
平板显示(shi)制(zhi)造中主要使用(yong)的靶材为钼(mu)铝(lv)铜(tong)金属靶材和氧(yang)化(hua)铟(yin)锡(xi)（ITO）靶材(cai)，部(bu)分平(ping)板显示企(qi)业(ye) 也会用到钛靶、钽(tan)靶(ba)、铌靶(ba)、铬(ge)靶以及银(yin)靶等。其中钼靶材和(he) ITO 靶(ba)材合(he)计需求(qiu)占(zhan)比在 60%~70% 左(zuo)右。但由(you)于(yu)各家(jia)企业(ye)所(suo)采(cai)用的(de)溅射工(gong)艺(yi)不(bu)同，其(qi)所选的溅射(she)靶(ba)材(cai)也有区(qu)别(bie)。如，京东方用(yong)铜靶、 铝靶、钼(mu)靶(ba)和钼(mu)铌(ni)靶，韩国三(san)星(xing)用钽靶(ba)、钛靶(ba)，但(dan)不用钼铌靶，中电熊(xiong)猫(mao)用钛(tai)靶，但不用钼(mu)靶(ba)、 钽(tan)靶等(deng)。以 8.5 代(dai)液晶显(xian)示(shi)面(mian)板(ban)生(sheng)产(chan)线为(wei)例，一条(tiao) 8.5 代线(xian)每年靶材(cai)的(de)大(da)致(zhi)消耗 120 套铝(lv)靶、110套(tao)铜(tong)靶、60 套(tao)钼靶(ba)、5 套(tao)钼(mu)铌(ni) 10 靶。此(ci)外据(ju)新材(cai)料产业《新型显示(shi)产业(ye)的(de) ITO 靶材(cai)市场探讨》， 目(mu)前国(guo)内单条(tiao) 8.5 代(dai)线 ITO 靶(ba)材年(nian)需(xu)求量约 40 吨，6 代(dai)线 ITO 靶(ba)材(cai)年需求(qiu)量约 20 吨(dun)。
3、显(xian)示面板(ban)靶材(cai)市(shi)场规(gui)模(mo)预(yu)测(ce)
受益(yi)平(ping)板显(xian)示(shi)面板(ban)需(xu)求上(shang)涨(zhang)和我国(guo)平板(ban)显示面板(ban)国产替代(dai)提升，预(yu)计(ji) 2025 年(nian)我(wo)国 FDP 用靶(ba)材(cai)市 场(chang)规模(mo)将达(da)到 320 亿(yi)元（折合约 50 亿美(mei)元），预计(ji) 21-25 年(nian) CAGR 为(wei) 18.9%。整(zheng)体(ti)来看，全球(qiu) 显(xian)示(shi)面(mian)板(ban)出(chu)货量(liang)增(zeng)长(zhang)已(yi)趋于(yu)平(ping)稳，参(can)考 Frost&Sullivan 数(shu)据，2021-2025 年全(quan)球显示(shi)面板出货(huo)量 增(zeng)速不(bu)断降低(di)，预计 2024 年(nian)全球显示面板(ban)出(chu)货(huo)量将达(da)到(dao) 2.73 亿平方米(mi)，2020-2024 年年均复合(he) 增(zeng)速仅(jin)为(wei) 2.9%。我国(guo)平板显(xian)示(shi)面板出(chu)货(huo)量增(zeng)速(su)明显快于全球显(xian)示(shi)面板增(zeng)速(su)，2020-2024 年年(nian)均复 合增(zeng)速(su)为(wei) 6.3%，,国产替(ti)代(dai)趋势(shi)明(ming)显，预计(ji) 2024 年我(wo)国显示面(mian)板出货量将(jiang)占(zhan)全(quan)球显(xian)示(shi)面(mian)板(ban)出货(huo)量(liang)的42.5%。
受(shou)益(yi)平(ping)板显(xian)示(shi)面板(ban)需求上涨和我(wo)国平板显示面板国产替代提(ti)升，我(wo)国显(xian)示(shi)面板(ban)靶(ba)材市(shi)场(chang)预计也(ye)将(jiang) 保(bao)持较(jiao)快增(zeng)长，参考 IHS 预(yu)测，预(yu)计(ji) 2025 年我(wo)国 FDP 用靶材(cai)市场规模将(jiang)达(da)到 320 亿(yi)元（折合(he)约(yue) 50 亿(yi)美元），预(yu)计 21-25 年CAGR为18.9%。在(zai)全球(qiu)显(xian)示面板(ban)靶(ba)材中(zhong)的占比(bi)将提(ti)升(sheng)到57.7%。
（二(er)）供(gong)给(gei)：日(ri)企占据国内(nei)市(shi)场(chang)主(zhu)导(dao)地(di)位，国产替(ti)代(dai)逐渐提(ti)速
我国(guo)显示(shi)面(mian)板(ban)靶(ba)材高度(du)依(yi)赖(lai)进(jin)口，日企(qi)在国内(nei)市场仍(reng)然(ran)占(zhan)据(ju)主导(dao)地位，但国(guo)产(chan)替代(dai)逐(zhu)渐提速(su)。当(dang) 前(qian)该(gai)领(ling)域竞争(zheng)格局(ju)以攀(pan)时(shi)、世泰(tai)科、贺利氏、爱(ai)发(fa)科、住(zhu)友(you)化学、JX 金(jin)属(shu)等为(wei)代表(biao)的(de)国外少(shao)数(shu)几(ji)家(jia)跨(kua)国集团(tuan)占(zhan)据(ju)主(zhu)导(dao)地位，其(qi)中攀时、世泰(tai)科等(deng)厂(chang)商是(shi)全球(qiu)钼靶(ba)材(cai)的(de)主(zhu)要供应(ying)商，住(zhu)友(you)化学、爱 发科(ke)等厂(chang)商占据(ju)了全球铝靶材的(de)大部分(fen)市(shi)场，三井(jing)矿业、JX 金(jin)属、优美(mei)科(ke)等厂商(shang)是全球 ITO 靶材(cai) 的(de)主要(yao)供(gong)应(ying)商，爱(ai)发科、JX 金(jin)属等(deng)厂(chang)商是(shi)全球(qiu)铜(tong)靶材的主(zhu)要供应(ying)商。国(guo)内以(yi)隆华(hua)科(ke)技、江丰电子、 阿石(shi)创(chuang)、有研新(xin)材(cai)、先(xian)导(dao)稀材为(wei)主(zhu)，国产替(ti)代(dai)正(zheng)逐(zhu)渐(jian)加速。具(ju)体来(lai)看(kan)：
1、铝(lv)靶：目(mu)前国内(nei)液晶(jing)显(xian)示(shi)行业用铝(lv)靶材(cai)主(zhu)要(yao)被日资企业(ye)主导，由于价(jia)格较(jiao)低，是(shi)平板显示(shi)行(xing) 业常用的溅射(she)靶材(cai)，但近(jin)年来(lai)正(zheng)逐(zhu)步(bu)被(bei)铜靶所替(ti)代。
外(wai)企(qi)方(fang)面(mian)：爱发科(ke)电(dian)子材料(liao)(苏(su)州)有(you)限公司(si)大约(yue)占据国(guo)内 50%左右的市(shi)场(chang)份额(e)。其(qi)次(ci)，住(zhu)友化学(xue) 也(ye)占(zhan)有(you)一(yi)部分市(shi)场份额。
国产(chan)方(fang)面:江丰(feng)电(dian)子(zi)从 2013 年(nian)左(zuo)右(you)开始(shi)介入(ru)铝靶(ba)材，目(mu)前已(yi)大批量(liang)供(gong)货，是国产(chan)化(hua)铝靶(ba)材(cai)的龙头 企(qi)业。另(ling)外，南(nan)山(shan)铝业、新(xin)疆(jiang)众和等(deng)企业(ye)也具(ju)备高纯铝的(de)生(sheng)产能(neng)力(li)。
2、铜(tong)靶：从溅(jian)射(she)工艺的发展(zhan)趋势上(shang)来(lai)讲，对(dui)铜(tong)靶材的需(xu)求(qiu)比例一直(zhi)在逐步(bu)增(zeng)加，加之，近(jin)几年国(guo)内(nei)液晶(jing)显示(shi)行业的(de)市(shi)场规(gui)模整(zheng)体(ti)上(shang)有所(suo)扩(kuo)大，因(yin)此(ci)，平(ping)板(ban)显(xian)示行业对(dui)铜(tong)靶材(cai)的需(xu)求量(liang)将继续(xu)呈上(shang)升(sheng)趋势。
外(wai)企(qi)方(fang)面(mian):爱(ai)发科电(dian)子(zi)材(cai)料(苏(su)州)有(you)限公(gong)司几乎(hu)垄断(duan)着(zhe)国(guo)内铜靶(ba)材市场，市(shi)场(chang)占(zhan)有(you)率在(zai) 80%以上(shang)， 且该公司(si)近(jin)几(ji)年(nian)营(ying)收(shou)的(de)增(zeng)加额，主(zhu)要(yao)来自(zi)于(yu)铜(tong)靶材销(xiao)量的增(zeng)加。
国(guo)产方(fang)面(mian):有研新材具备高(gao)纯(chun)铜(tong)原料生产(chan)能力，但(dan)目前(qian)主要(yao)致力(li)于半导体(ti)行业用圆(yuan)形(xing)靶(ba)材(cai)生(sheng)产(chan)，对 液(ye)晶(jing)显(xian)示(shi)行(xing)业(ye)铜(tong)靶(ba)仅(jin)有 500 吨(dun)产(chan)能(neng);洛铜集(ji)团(tuan)具备(bei)高纯铜生产(chan)能力但(dan)不生(sheng)产靶(ba)材(cai)，且(qie)高纯铜(tong)原(yuan)料(liao)价 格和进(jin)口(kou)原(yuan)料(liao)相(xiang)比(bi)，在(zai)价(jia)格方(fang)面(mian)无明(ming)显竞争(zheng)优(you)势;江丰电子(zi)引(yin)进(jin)海(hai)外高端人才(cai)，致(zhi)力于(yu)开(kai)发(fa)高(gao)纯(chun)铜(tong) 原(yuan)料(liao)和铜靶材，即将(jiang)批(pi)量(liang)生(sheng)产。
3、钼靶：钼(mu)靶(ba)材(cai)国内(nei)需(xu)求占全(quan)球超(chao)过一半(ban)，国产(chan)化(hua)率约(yue)有(you) 50%。钼(mu)靶(ba)具(ju)体(ti)可(ke)分为条(tiao)靶(ba)、宽(kuan)靶(ba)和(he) 管靶 3 种(zhong)，其中(zhong)，4. 5 代、5. 5 代(dai)和 6 代线一(yi)般使(shi)用(yong)宽幅(fu)钼靶，而(er)8.5代(dai)及(ji)以(yi)上世代线用使(shi)用(yong)组 合条(tiao)靶(ba)或管(guan)靶(ba)。
（1）组合条(tiao)靶:
外企方面: 国外的(de)奥地利(li)攀时、德国世泰(tai)科、日(ri)本爱发(fa)科等企(qi)业(ye)已基本(ben)退(tui)出了(le)这(zhe)部分(fen)市(shi)场。
国(guo)产方面: 国内(nei)钼(mu)靶材(cai)企(qi)业主要集(ji)中在洛(luo)阳(yang)地(di)区，其(qi)中，隆(long)华(hua)节能(neng)下(xia)属(shu)的洛(luo)阳高新(xin)四(si)丰(feng)电(dian)子材料(liao)有 限公(gong)司(si)占据(ju)了(le)国(guo)内(nei) 60% 多(duo)的(de)市场份额，另外(wai)，洛阳高(gao)科钼钨(wu)材料有限(xian)公司占据(ju)了国(guo)内大(da)约 10% 左(zuo)右的市场(chang)份额(e)。
（2）宽(kuan)幅钼(mu)靶(ba):
外企方面(mian): 国外(wai)的攀(pan)石、世(shi)泰科等(deng)企业(ye)在国(guo)内宽幅钼靶(ba)材(cai)市场占据较(jiao)大(da)市(shi)场(chang)。
国(guo)产方(fang)面: 四丰(feng)电(dian)子大尺(chi)寸(cun)宽(kuan)幅钼靶已经(jing)开(kai)始(shi)批量(liang)供货(huo)；阿石创(chuang)和金钼(mu)股份两家上(shang)市公(gong)司也充(chong)分利(li) 用(yong)各自(zi)在宽幅靶(ba)材轧制和靶(ba)材加工(gong)及(ji)销(xiao)售(shou)方面(mian)的优势开(kai)展(zhan)紧(jin)密合(he)作(zuo)，金钼(mu)股(gu)份向(xiang)阿(a)石创销售宽(kuan)幅 钼靶(ba)坯和条形钼靶(ba)坯(pi)( 条(tiao)形(xing)靶坯由(you)宽(kuan)幅(fu)靶坯切割而成(cheng)) ，阿(a)石(shi)创(chuang)负(fu)责后续绑(bang)定等(deng)工序(xu)和成品销售(shou)工(gong) 作。
（3）钼(mu)管(guan)靶：每条8.5代(dai)线(xian)对钼管(guan)靶(ba)的(de)需求(qiu)量(liang)约(yue)为(wei)30吨(dun)/年(nian)
钼管靶(ba) 8.5 代(dai)线及(ji)以上常(chang)用(yong)钼靶(ba)，每套(tao)包(bao)含(han) 12根，每根(gen)单(dan)重约(yue)为 300kg，每(mei)套重(zhong)量(liang)约为(wei) 3600kg。 由于(yu)钼管(guan)靶的实(shi)际(ji)利(li)用(yong)率(lv)约为(wei)70%，因(yin)此(ci)，每(mei)套(tao)钼管(guan)靶(ba)的(de)成(cheng)膜重量约为 2500kg。每条(tiao) 8.5 代线(xian)对(dui)钼管靶的需(xu)求(qiu)量约为(wei)30吨/年(nian)。
另外(wai)，钼管靶的(de)供(gong)应(ying)商(shang)，除了要(yao)通过(guo)其面板(ban)生产(chan)企(qi)业(ye)的认(ren)证(zheng)外，还(hai)要(yao)通(tong)过(guo)钼(mu)管靶(ba)溅(jian)射(she)设(she)备(bei)生(sheng)产(chan)商 美(mei)国(guo) AKT 公司(si)的认(ren)证，并且(qie)要被(bei)收(shou)取钼管(guan)靶(ba)售价(jia)约(yue) 5%的认(ren)证费。截止 2017 年(nian)底(di)，国(guo)内(nei)采用(yong)管(guan) 靶(ba)溅射设备的(de)生产线(xian)只有 1 条(tiao)，业(ye)内也普(pu)遍认为钼(mu)管靶的发(fa)展(zhan)空(kong)间并不(bu)大。
4、钼(mu)铌10合金靶(ba)
西部材料(liao)下属(shu)西安瑞福莱(lai)钨(wu)钼有(you)限公司(si)和爱(ai)发科公司(si)合作，经(jing)多(duo)次(ci)试(shi)验(yan)攻(gong)关，已(yi)于2017年成(cheng)功(gong)轧(ya) 制出(chu)了氧(yang)含(han)量小(xiao)于 1000×10－6，致密度(du)达(da) 99.3%的 Mo-Nb 合金(jin)靶坯(pi)。
此(ci)外金(jin)钼集团也(ye)已(yi)实(shi)现高(gao)纯大(da)尺(chi)寸(cun)钼铌(ni)管状(zhuang)靶(ba)材顺利交付(fu)，攻(gong)克了(le)大(da)规(gui)格(ge)钼(mu)铌合(he)金靶(ba)材制(zhi)粉(fen)、烧(shao) 结、加工等(deng)关(guan)键工艺(yi)难(nan)题，掌(zhang)握了大尺寸靶(ba)材的(de)核心制备技(ji)术。经(jing)第三方机构检测(ce)，制(zhi)备(bei)出(chu)的钼 铌(ni)合(he)金(jin)靶材各项指标(biao)达到要(yao)求(qiu)。在此(ci)基础上(shang)，项(xiang)目组又承接(jie)了(le)用(yong)户(hu)管(guan)状(zhuang)靶材(cai)的订购(gou)需求，顺利交(jiao) 付(fu)了 3 套高纯大尺寸(cun)钼铌合金(jin)管(guan)状靶(ba)材，且(qie)品质(zhi)优良(liang)。钼铌(ni)合金管(guan)状靶材(cai)直(zhi)径大于 150 毫(hao)米、长 度(du)达到 2100 毫(hao)米(mi)，纯度可达(da) 99.99%，氧(yang)含(han)量小(xiao)于 500ppm。
5、ITO靶材(cai)：ITO靶材是(shi)由(you)90%的(de)氧化铟与10%的(de)氧(yang)化(hua)锡配(pei)比而(er)成(cheng)，相(xiang)对(dui)密度(du)要(yao)求(qiu)大于(yu)99.5%。 目(mu)前(qian)全球铟消耗量(liang)中 40%～50%以(yi)上(shang)是(shi)用(yong)于(yu)制备加工(gong) ITO 靶材(cai)。
外企(qi)方面(mian)：据新思(si)界 2020年(nian) 8月(yue)发布(bu)的《国内(nei) ITO靶(ba)材(cai)需求(qiu)量 5成(cheng)依(yi)赖进口(kou) 国产替(ti)代(dai)需(xu)求较高》 一(yi)文介绍(shao)，全(quan)球(qiu) ITO 靶(ba)材市场主(zhu)要(yao)供(gong)应(ying)商(shang)有(you)日矿金(jin)属(shu)、三井矿(kuang)业、优(you)美科(ke)等(deng)，其(qi)中(zhong)日矿和三井几(ji) 乎占据(ju)了高(gao)端(duan) TFT-LCD 市(shi)场(chang)用 ITO 靶(ba)材的(de)全部份额和(he)大(da)部(bu)分(fen)触(chu)摸(mo)屏(ping)面(mian)板(ban)市场,爱(ai)发科也(ye)有相(xiang)关产(chan) 品(pin)，东(dong)曹、日(ri)立、住友(you)、VMC、三星、康宁(ning)等企业(ye)也掌(zhang)握核心(xin)技术(shu)。目前(qian)中国 ITO 靶材供(gong)应(ying)约一 半(ban)左(zuo)右依(yi)赖进口(kou)。本(ben)土(tu)厂(chang)商(shang)生(sheng)产(chan)的 ITO 靶(ba)材(cai)主要供(gong)应中(zhong)低(di)端(duan)市场(chang)，约(yue)占国(guo)内市(shi)场 30%的(de)份(fen)额；而(er) 高端(duan) TFT-LCD、触摸屏(ping)用(yong) ITO 靶(ba)材(cai)几乎全部从日(ri)本、韩(han)国进(jin)口(kou)。
国产方(fang)面(mian)：近年(nian)来，国(guo)内(nei)多家(jia)厂(chang)商(shang)宣(xuan)布进(jin)入(ru) ITO 靶(ba)材领域，但(dan)实际量(liang)产(chan)和(he)导(dao)入并不(bu)顺利(li)，也尚(shang)未 实(shi)现批量供(gong)应。据集微(wei)网(wang)调(diao)研(yan)，目前(qian)国(guo)内(nei)有能力(li)量产(chan)并(bing)供货(huo)的 ITO 靶(ba)材厂商(shang)有(you)先(xian)导稀材(cai)，其(qi) ITO 靶材产(chan)能(neng)预计已经(jing)达(da) 1100 吨(dun)/年(nian)（清远 200 吨(dun) LCD 用(yong) ITO 靶(ba)材，100 吨 5G 手(shou)机 ITO 靶材，合肥 800 吨(dun)），隆华科(ke)技全(quan)资(zi)子(zi)公(gong)司(si)晶(jing)联光电(dian)的(de) ITO 靶(ba)材产(chan)能已经达到(dao) 100 吨(dun)/年(nian)，且在(zai)建 200吨/年， 映日科(ke)技(ji)的(de) ITO 靶材产(chan)能(neng)已(yi)经(jing)达到 120 吨(dun)/年，戊电科(ke)技(ji)的 ITO 靶(ba)材产能已(yi)经达(da)到(dao) 50 吨/年(nian)等，而 阿(a)石(shi)创 ITO 靶材产能实(shi)际占比较(jiao)小(xiao)。
近(jin)年来部(bu)分国(guo)内企(qi)业(ye)目(mu)前也已(yi)通(tong)过(guo)相(xiang)关(guan)认证(zheng)，在(zai)下游市(shi)场(chang)得(de)到(dao)较(jiao)为广泛的应用(yong)。国内(nei)的(de)靶材(cai)厂(chang)商 都正在不(bu)断提(ti)升技术工(gong)艺和生产设备，努力通(tong)过(guo) TFT-LCD 试镀(du)测(ce)试(shi)打开(kai)高(gao)端(duan) OLED 显示领域(yu)的大(da)门(men)。
（三）应(ying)用趋(qu)势(shi)：预(yu)计(ji) OLED 用(yong)钼(mu)靶(ba)与(yu)低电(dian)阻铜(tong)靶成(cheng)长空间(jian)广阔(kuo)
显示(shi)面板用靶(ba)材(cai)的(de)发(fa)展(zhan)趋势(shi)是：大(da)尺寸、低(di)电阻(zu)、高纯(chun)度、高密度化，高效(xiao)率化(hua)。平(ping)板显示(shi)器对(dui) 于溅(jian)射靶材(cai)的(de)纯(chun)度和(he)技术要求仅次于半(ban)导(dao)体，一(yi)般在 4N 甚至(zhi) 5N（99.999%）以上。在(zai)溅(jian)射(she)靶材 应(ying)用(yong)领域(yu)中(zhong)，半导(dao)体(ti)芯片对(dui)溅射(she)靶材的金属材料纯度、内部(bu)微观结(jie)构等(deng)最为(wei)严苛。相较于半导体 芯(xin)片(pian)，平板显(xian)示器(qi)对于溅(jian)射靶材(cai)的(de)纯度和技(ji)术要(yao)求(qiu)略(lve)低一筹，但(dan)随(sui)着(zhe)靶(ba)材(cai)尺(chi)寸(cun)的(de)增大，对(dui)溅(jian)射(she)靶(ba) 材(cai)的(de)焊接结合率、平整(zheng)度等(deng)指(zhi)标提(ti)出了更(geng)高(gao)的要求(qiu)。
钼(mu)溅射(she)靶材作(zuo)为(wei) OLED 显示屏(ping)中(zhong)的关(guan)键核心(xin)原(yuan)材(cai)料，预计未(wei)来会(hui)有(you)较(jiao)快幅(fu)度的(de)增(zeng)长，据(ju) DSCC 测 算，到 2025 年，中国(guo)大(da)陆的(de) Gen6 OLED 产(chan)线(xian)将(jiang)消耗约(yue) 248Ton 高(gao)纯(chun) Mo。钼(mu)靶及其合计靶材作 为(wei) OLED 阴(yin)极(ji)常用材(cai)料(liao)，通(tong)常来看(kan)是(shi) OLED 屏幕使用(yong)最多的靶材原料(liao)，2019 年之(zhi)前(qian)，钼(mu)溅(jian)射靶 材由(you)国(guo)外供应(ying)商(shang)独(du)家供(gong)应，国(guo)产(chan)化(hua)率极低，钼靶(ba)原材料(liao)的(de)瓶(ping)颈也阻碍这我国 OLED 显示行业(ye)的(de)发 展(zhan)。但近(jin)年来，金钼股份(fen)等国内(nei)企业已突(tu)破了钼(mu)溅(jian)射靶(ba)材行业壁垒(lei)。
如2020年(nian)，金钼股(gu)份通过自(zi)主进(jin)行工(gong)装(zhuang)技(ji)术(shu)设计(ji)、改(gai)造，先(xian)后攻克了超宽幅(fu)钼靶所(suo)用(yong)钼板坯的(de)规(gui) 格设(she)计(ji)、钼基(ji)板板(ban)型(xing)控(kong)制、大(da)规格板(ban)坯(pi)机加(jia)工精度控(kong)制等(deng)技术难(nan)题(ti)，成(cheng)功(gong)制备(bei)出宽 1800mm，长(zhang) 度 2300mm 的(de) G6 代钼靶材，产(chan)品各项指标(biao)已(yi)经达(da)到国(guo)际先进(jin)水(shui)平(ping)，成功将(jiang) G6 代钼整(zheng)靶(ba)推(tui)向(xiang)全 球(qiu)最先(xian)进(jin)的 OLED 生产线使用，如(ru)三(san)星、京(jing)东方。且公司(si)主要(yao)产(chan)品(pin)已(yi)经(jing)量产(chan)，并(bing)具(ju)有超大（宽(kuan)幅 ＞1800mm，单(dan)重超(chao) 600Kg）、超(chao)纯(chun)（Mo＞99.97%）、超细晶(jing)粒等特(te)点，制备(bei)难度(du)大，精(jing)度(du)要求高(gao)。
据(ju)悉 2019 年金(jin)钼股(gu)份(fen)钼靶(ba)材产品销售(shou)同比增长(zhang) 222%，跻(ji)身(shen)成(cheng)为三星(xing)全球第(di)二(er)大(da)供应(ying)商。2020 年(nian)钼(mu)靶材产(chan)品(pin)销(xiao)量同(tong)比增(zeng)加 47%。预计随(sui)着 OLED 的快速(su)崛(jue)起(qi)，钼(mu)靶未(wei)来(lai)将(jiang)保(bao)持(chi)较(jiao)高增长。参考(kao) DSCC 数据(ju)，预计(ji) 2025 年(nian)，中(zhong)国(guo)大(da)陆的(de) Gen6 OLED 产线大(da)约需(xu)要消(xiao)耗 46 Ton 的(de) Al 和 248 Ton 高纯 Mo。其(qi)中京东方、深(shen)天马和(he)华星大(da)致(zhi)会消(xiao)耗(hao)总(zong)量的(de) 37%、20%和(he) 17%。
此(ci)外，得益于优(you)异的(de)电学性能，铜(tong)靶(ba)将在(zai)显(xian)示(shi)屏生产得(de)到(dao)广泛运用，据 DSCC 测(ce)算(suan)，中(zhong)国(guo)大(da)陆(lu) Gen 10.5 工厂(chang)对(dui)高纯(chun) Cu 的需求会(hui)从 2021 年 599 吨(dun)，逐步(bu)增(zeng)加(jia)到(dao) 2025 年(nian)的 976 吨。G8.5+产(chan)线 对高(gao)纯 Cu 的需求(qiu)将(jiang)会超过 8000 吨。据(ju)悉(xi)，为满足超高(gao)清(qing)电视性能需要(yao)和未来 4K、8K 产业规(gui) 划，现(xian)在国(guo)内所有的(de) Gen 10.5 代(dai)产(chan)线均(jun)已(yi)采(cai)取(qu)铜(tong)制程。同(tong)时，也(ye)为了进(jin)一步增加高端 IT 产品(pin)的(de)刷(shua)新率和分(fen)辨率，一(yi)些较小的产(chan)线也(ye)逐(zhu)步开始(shi)进(jin)行 Cu 制(zhi)程(cheng)的改建，不(bu)少 Gen 8.5 和(he) Gen 8.5 代 线也在(zai)逐(zhu)渐(jian)的全(quan)部或者(zhe)部(bu)分转向Cu制程。预(yu)计(ji)到(dao)2025年(nian)，所有(you)G8.5+的产(chan)线(xian)均会(hui)采用(yong)Cu制(zhi)程。
随(sui)着 Cu 制(zhi)程(cheng)的(de)进(jin)一步(bu)推广，显(xian)示(shi)面(mian)板(ban)厂(chang)对 Cu 的(de)需求和(he)依(yi)赖(lai)也会(hui)进一步(bu)推(tui)高。根(gen)据 DSCC 测算， 中(zhong)国大陆(lu) Gen 10.5 工(gong)厂(chang)对(dui)高(gao)纯(chun) Cu 的需(xu)求将会从 2021 年(nian) 599 吨，逐步(bu)增(zeng)加到(dao) 2025 年(nian)的 976 吨。 若(ruo)考虑到 G8.5+产(chan)线(xian)，预(yu)计(ji)中(zhong)国大陆 G8.5+产线(xian)每年对高纯(chun) Cu 的需(xu)求(qiu)会(hui)超(chao)过(guo) 8000 吨(dun)。
与 Al 不同，Cu 的氧(yang)化物不(bu)能形(xing)成致密保(bao)护膜，耐腐(fu)蚀较差且(qie)扩(kuo)散(san)性(xing)较强(qiang)，所(suo)以(yi)在(zai)采(cai)取 Cu 工(gong)艺(yi) 时，一(yi)般会用 Mo 和(he) Ti 进(jin)行保(bao)护(hu)。据 DSCC 测算，假设 Gen 10.5 代(dai)线(xian)均(jun)以(yi) Ti 来保护 Cu 线，则 在 2025 年大致(zhi)一(yi)年会(hui)消耗 38 吨(dun)的(de)高纯(chun) Ti。若(ruo)考(kao)虑(lv)到 G8.5+产(chan)线(xian)，假设(she)在(zai) 2025 年(nian)，G8.5+的产 线(xian)一(yi)半采(cai)用(yong) Mo，而(er)一(yi)般(ban)采用(yong) Ti，则在(zai) 2025 年(nian)，大(da)约(yue)需(xu)要消(xiao)耗 640 吨(dun)高纯(chun) Mo，372 吨(dun)高纯(chun) Ti。
面(mian)板 ITO 靶材(cai)：预计整(zheng)体(ti)需求相对稳定，但高(gao)端 ITO 靶材国(guo)产(chan)替(ti)代需求强(qiang)劲。ITO 靶材技(ji)术难壁(bi) 垒(lei)高，长期以(yi)来(lai)一直被外(wai)商高(gao)度垄断(duan)，国(guo)产(chan)化(hua)进(jin)展十分(fen)缓慢(man)。目(mu)前(qian)中(zhong)国 ITO 靶材供应超一半左右(you) 依(yi)赖进口(kou)。本土(tu)厂商生(sheng)产(chan)的(de) ITO 靶材主要供(gong)应中低(di)端市(shi)场(chang)；而(er)高端 TFT-LCD、触摸(mo)屏用(yong) ITO 等(deng)靶(ba) 材几乎(hu)全(quan)部从日(ri)本(ben)、韩国(guo)进口(kou)。据 ResearchInChina 数(shu)据显(xian)示(shi)，2018 中国 ITO 靶材(cai)需求(qiu)已超(chao)过(guo) 1000 吨。但其中一(yi)半仍(reng)需进(jin)口(kou)，其中(zhong)多为高(gao)端 ITO 靶(ba)材(cai)，本(ben)土企(qi)业实现(xian)进口替代的(de)空(kong)间很大。但(dan) 考虑(lv)到 OLED 产(chan)业对于(yu) ITO 靶材需求相对(dui)较(jiao)小(xiao)，预计(ji)未(wei)来(lai)面板(ban)用(yong) ITO 靶(ba)材市场(chang)将维(wei)持(chi)相对稳定。
四、光(guang)伏(fu)靶(ba)材(cai)： Hit 量产(chan)元(yuan)年开启，靶材或迎成(cheng)长机(ji)遇(yu)期
（一）需(xu)求(qiu)：预(yu)计 25 年我国(guo)市(shi)场规(gui)模将接近 38 亿(yi)美(mei)元(yuan),21- 25 年(nian) CAGR 为(wei) 56.1%
1、光(guang)伏(fu)电池(chi)发展(zhan)趋(qu)势
光(guang)伏(fu)领(ling)域(yu)对(dui)靶(ba)材的(de)使(shi)用主要是薄膜(mo)电(dian)池和 HIT 光(guang)伏电(dian)池(chi)（本征薄膜异(yi)质结(jie)电(dian)池），目前市场(chang)主(zhu)流 的(de)晶体(ti)硅(gui)太阳(yang)能(neng)电(dian)池较少(shao)用到溅射(she)靶(ba)材。太阳(yang)能电(dian)池(chi)主要(yao)包括晶(jing)硅电池和(he)薄膜电池(chi)两大(da)类，但(dan)目(mu) 前市场(chang)主流的晶(jing)体(ti)硅(gui)太(tai)阳(yang)能电(dian)池不(bu)用(yong)溅(jian)射靶(ba)材(cai)，光伏领域对(dui)靶(ba)材(cai)的使(shi)用主(zhu)要是薄(bao)膜电池(chi)和(he) HIT 光(guang) 伏电(dian)池(chi)。其中(zhong)自(zi) 2015 年三(san)洋的(de) HIT 专(zhuan)利(li)保(bao)护结束(shu)后(hou)，技术壁(bi)垒(lei)消除(chu)，HIT 电(dian)池电池开(kai)始推广，近(jin) 年(nian)来发(fa)展(zhan)迅(xun)速。薄(bao)膜电池(chi)近年来(lai)在美国(guo)也(ye)受到(dao)了(le)政策(ce)的大(da)力(li)鼓励(li)。
光伏(fu)电池(chi)用靶(ba)材(cai)形成背电(dian)极，靶(ba)材溅(jian)射镀膜(mo)形成的太阳能薄(bao)膜(mo)电(dian)池的背(bei)电级(ji)主要有(you)三(san)个(ge)用(yong)途：第 一，它是(shi)各单(dan)体电池的负(fu)极(ji)；第二(er)，它(ta)是各自(zi)电(dian)池(chi)串(chuan)联的导(dao)电通(tong)道(dao)；第三(san)，它(ta)可(ke)以(yi)增加(jia)太(tai)阳能电(dian) 池对光的反(fan)射(she)。目(mu)前(qian)太阳(yang)能(neng)薄(bao)膜电池(chi)用溅射靶(ba)材主要(yao)为(wei)方形板状(zhuang)，纯(chun)度要求(qiu)一(yi)般(ban)在(zai) 99.99%（4N） 以上(shang)。
其中薄膜(mo)电(dian)池(chi)较(jiao)为(wei)常(chang)用的(de)溅射靶(ba)材(cai)包(bao)括铝靶(ba)、铜(tong)靶(ba)、钼靶(ba)、铬(ge)靶以及 ITO 靶、AZO 靶(ba)(氧化(hua)铝锌) 等(deng)，HIT 电池则(ze)主(zhu)要使(shi)用(yong) ITO 靶(ba)材作为(wei)其透明导(dao)电(dian)薄膜。铝(lv)靶、铜靶主要用(yong)于(yu)导电层薄膜，钼靶(ba)、 铬靶(ba)用于(yu)阻挡(dang)层薄(bao)膜，ITO 靶、AZO 靶(ba)用于透(tou)明(ming)导电层(ceng)薄膜(mo)。
虽然(ran)薄膜(mo)电池及(ji) HIT 电池目前(qian)占比(bi)较(jiao)低(di)，但(dan)从(cong)目(mu)前(qian)的(de)发展趋(qu)势来看(kan)，CdTe 薄膜电(dian)池以(yi)及(ji) HIT 电(dian) 池(chi)成(cheng)长(zhang)潜(qian)力(li)较(jiao)大。传(chuan)统(tong)的(de)薄(bao)膜(mo)电(dian)池以(yi)硅(gui)基(ji)为(wei)主，但(dan)近(jin)年(nian)来转(zhuan)换效率(lv)技(ji)术(shu)遇(yu)到瓶(ping)颈(jing)，从产(chan)品性(xing)能(neng)与 生产成(cheng)本(ben)上(shang)相(xiang)较晶硅(gui)电池(chi)无明(ming)显(xian)优势，企业(ye)相(xiang)继(ji)退出(chu)、减(jian)产(chan)，因此(ci)传统薄膜电池(chi)在(zai)太阳(yang)能电(dian)池占(zhan) 比(bi)不断(duan)下降(jiang)。但(dan)随着(zhe)薄膜(mo)电池产品碲(di)化(hua)镉(ge)（CdTe）电(dian)池的(de)推出，薄(bao)膜(mo)电池(chi)有望迎来又(you)一轮(lun)的(de)高(gao)速 成(cheng)长期。
薄膜电(dian)池(chi)：从(cong)全球(qiu)来看，碲(di)化(hua)镉是目(mu)前(qian)为止(zhi)商(shang)业化最成功的(de)薄膜电池。CdTe 材(cai)料带(dai)隙(xi)宽(kuan)度(du)约 1.5eV，与太(tai)阳光(guang)谱(pu)更(geng)匹配，其理论效(xiao)率(lv)达 32%。且在(zai)建筑(zhu)光伏一(yi)体化(hua)趋势(shi)下(xia)，碲(di)化镉薄(bao)膜电池 相(xiang)对于传(chuan)统晶硅电(dian)池更(geng)容易(yi)满(man)足建筑(zhu)对(dui)色(se)彩(cai)的(de)多(duo)样(yang)化(hua)需求以及(ji)透光率可(ke)调，尺寸大小(xiao)定制(zhi)等(deng)要(yao)求(qiu)， 是(shi)建筑光(guang)伏(fu)一体(ti)化最(zui)优(you)选(xuan)择，随着(zhe)成(cheng)本(ben)的(de)下(xia)降(jiang)未(wei)来具(ju)有较(jiao)大的潜(qian)力(li)。
此(ci)外(wai)薄膜电(dian)池也是(shi)更(geng)清洁的(de)可(ke)再生能(neng)源，碲(di)化(hua)镉(ge)电(dian)池相(xiang)较(jiao)晶(jing)硅(gui)电池(chi)具备最小(xiao)的碳足(zu)迹(ji)、最快(kuai)的(de)能 源(yuan)回(hui)收(shou)时(shi)间和最(zui)低(di)的(de)行业生(sheng)命周期(qi)用(yong)水，在双碳背景下(xia)前景(jing)较(jiao)大(da)。据悉(xi)美国近(jin)年(nian)来(lai)正大(da)力(li)推广(guang)太(tai) 阳能(neng)薄(bao)膜电池技术，美国太(tai)阳(yang)能制(zhi)造商(shang) First Solar 公(gong)司也(ye)表(biao)示(shi)，将在(zai)俄亥(hai)俄州(zhou)西(xi)北部投(tou)资 6.8 亿(yi) 美(mei)元建设(she)第三家(jia)碲(di)化(hua)镉(ge)太阳能工厂(chang)。2025 年(nian)建(jian)成(cheng)后(hou)，该公(gong)司太阳能电池(chi)板(ban)产能将(jiang)达 6 吉(ji)瓦。为(wei)约(yue) 100 万(wan)美(mei)国家(jia)庭供(gong)电(dian)。另一家(jia)俄(e)亥(hai)俄州托莱多太阳(yang)能公(gong)司(si)正在(zai)生(sheng)产住宅屋顶碲(di)化镉(ge)电池(chi)板(ban)。
据(ju) CPIA 的统计，2020 年，全(quan)球 CdTe 组件产量已达 6.2GW，近(jin)年(nian)来快速增(zeng)长，有望(wang)带动薄(bao)膜 电池新(xin)一(yi)轮(lun)的(de)高(gao)速(su)成长(zhang)期。
HIT 电(dian)池(chi)也(ye)因(yin)其(qi)无(wu)光(guang)衰(shuai)、高(gao)效的特性，近年来(lai)投资(zi)热情(qing)高(gao)涨，据 CPIA 预(yu)测(ce)，HIT 的(de)市场(chang)份(fen)额(e)将从 2020 年的(de) 3%增(zeng)加至 2025 年的(de) 20%左(zuo)右(you)，2020 年(nian)有(you)望(wang)成(cheng)为(wei) HIT 产业化(hua)元年(nian)。据(ju)北(bei)极(ji)星太(tai)阳能(neng) 光(guang)伏网，HIT 产(chan)能(neng)也有(you)望(wang)从(cong)目(mu)前(qian)的 2GW 增(zeng)长(zhang)至(zhi) 2024 年(nian)的 100GW 以(yi)上(shang)，目前布局 HIT 的企业越(yue) 来越多，产(chan)业(ye)化酝酿(niang)开启(qi)。2020 年，各(ge)企(qi)业宣布(bu)的 HIT 产能规(gui)划接(jie)近 50GW，目前已(yi)建成(cheng)的 HIT 产(chan)能在(zai)3-5GW，根(gen)据(ju)CPIA预(yu)测，HIT的(de)市场份额将(jiang)从(cong)2020年的3%增(zeng)加至2025年(nian)的(de)20%左右(you)。 HIT 电池预(yu)计(ji)也(ye)将带(dai)来巨(ju)额(e)的光(guang)伏靶材产能需求。
2、全(quan)球(qiu)光(guang)伏靶材(cai)市场规模预(yu)测(ce)
预计(ji) 2025 年全球(qiu)太阳能(neng)电池(chi)靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)规(gui)模(mo)有望达到 112 亿美(mei)元。2020-2025 年 CAGR 为(wei) 28.8%。 HIT 方面，参(can)考 CPIA 预测(ce)，我(wo)们假(jia)设(she) HIT 的市(shi)场份(fen)额将(jiang)从 2020 年的 3%增(zeng)加至 2025 年(nian)的(de) 20% 左(zuo)右(you)，同(tong)时假(jia)设(she)参考前(qian)瞻产业研(yan)究院 HIT 成长(zhang)变化情(qing)况(kuang)，我(wo)们(men)假(jia)设(she) HIT 靶(ba)材(cai)成(cheng)本(ben)缓(huan)慢(man)递减。2025 年下降(jiang)到 0.041 元(yuan)/w，薄(bao)膜(mo)电(dian)池方(fang)面(mian)，由于(yu)碲(di)化镉(ge)薄(bao)膜(mo)电(dian)池的(de)成功商业(ye)化(hua)，我(wo)们预(yu)计(ji)全(quan)球(qiu)薄膜电 池渗(shen)透率(lv)有望继续(xu)触底(di)回(hui)升，每年提(ti)升(sheng) 0.5%，同(tong)时鉴(jian)于 2020 年(nian)薄(bao)膜(mo)电池内部结(jie)构(gou)变化相对已(yi)趋 于稳定，我们(men)选取 2020 年薄膜电(dian)池成(cheng)本(ben)为 2021-2025 年(nian)基(ji)数，预(yu)计(ji) 2025 年全(quan)球(qiu)太(tai)阳(yang)能电(dian)池靶材 市(shi)场规模(mo)有望(wang)达(da)到 112 亿美元(yuan)。2020-2025 年 CAGR 为 28.8%。
3、中国(guo)光伏电(dian)池靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)规模预(yu)测(ce)
目前(qian)国(guo)内光(guang)伏(fu)电(dian)池主(zhu)要(yao)以硅(gui)片(pian)涂(tu)覆(fu)型(xing)太(tai)阳能(neng)电池(chi)为(wei)主，薄膜(mo)电池以及(ji) HIT 占比较低，但是(shi)未(wei)来(lai)增(zeng)长(zhang)潜力较大。
薄膜电池方面(mian)：政(zheng)策(ce)鼓励(li)叠(die)加销率(lv)提(ti)升(sheng)，我(wo)国薄膜电池预计将逐步(bu)进(jin)入加(jia)速发(fa)展阶段。我国(guo)的(de)薄 膜(mo)电池(chi)以(yi)硅基薄膜(mo)为(wei)主，碲(di)化(hua)镉与铜(tong)铟(yin)镓(jia)硒(xi)薄(bao)膜电(dian)池占(zhan)比(bi)小，但随着(zhe)薄膜电(dian)池尤其是碲(di)化镉电池(chi) 效(xiao)率(lv)提(ti)升叠加政策(ce)鼓(gu)励，我国(guo)薄(bao)膜(mo)电池(chi)预计(ji)将(jiang)逐(zhu)步(bu)进(jin)入(ru)加(jia)速发(fa)展阶段(duan)。
国内(nei)薄膜(mo)电池企业(ye)数(shu)量偏(pian)少，主要(yao)为成都中建(jian)材、杭州(zhou)龙焱和(he)中(zhong)山(shan)瑞科(ke) 3 家(jia)。其中龙焱(yan)能源碲(di)化 镉薄膜电(dian)池板(ban)已(yi)实(shi)现实验(yan)室(shi)转(zhuan)换(huan)效(xiao)率(lv) 20.1%，大组件(jian)转(zhuan)化(hua)效率超过 14.5%，逐(zhu)渐(jian)接(jie)近(jin)国(guo)外(wai)领先碲(di) 化(hua)镉电池(chi)水(shui)平和目前的(de)晶硅电(dian)池转(zhuan)换(huan)效(xiao)率(lv)，2021 年(nian) 10 月(yue)，住建部正(zheng)式(shi)发(fa)布了国家(jia)强制性(xing)规范 《建(jian)筑节(jie)能(neng)与可再(zai)生能(neng)源利(li)用通(tong)用规(gui)范(fan)》， BIPV 需求(qiu)也进(jin)一(yi)步(bu)提(ti)升。据 CPIA，目(mu)前国(guo)内(nei)量(liang)产碲(di) 化(hua)镉薄膜电池(chi)的(de)企业(ye)主要(yao)为成(cheng)都中建材、杭(hang)州(zhou)龙(long)焱、中山瑞(rui)科(ke)三(san)家，但目(mu)前产(chan)能(neng)规(gui)模相(xiang)对(dui)较小。
HIT 电池(chi)方(fang)面，目(mu)前(qian)通威股(gu)份(fen)、爱康(kang)科技、彩(cai)虹新(xin)能源、汉能(neng)等上市公司(si)相(xiang)继布局 HIT 电(dian)池(chi)。其(qi) 中通(tong)威(wei)股(gu)份(fen)拟(ni)在(zai)四(si)川成(cheng)都投资(zi)建设(she) 2GWHJT 电(dian)池(chi)产(chan)线，并(bing)宣(xuan)布(bu)与捷佳(jia)伟(wei)创(chuang)合(he)作研(yan)发(fa) 200MW，迈(mai) 为股(gu)份(fen)合作(zuo)研发 200MW 产线(xian)；爱(ai)康科技拟(ni)于江苏湖州建设(she) 5GWHJT 电(dian)池产线。国(guo)内(nei)厂商晋能、 陕西煤业、中智等均(jun)在进(jin)行 HIT 的(de)尝试。
我(wo)们(men)假(jia)设(she) 2025 年中(zhong)国(guo)薄(bao)膜电(dian)池产(chan)品(pin)类(lei)型(xing)结构(gou)开(kai)始与全球(qiu)趋(qu)同(tong)，且 HIT 电池与薄膜电池(chi)渗(shen)透(tou)率(lv)中 国(guo)与(yu)全球逐(zhu)步趋(qu)同(tong)，预估 2025 年(nian)中国太阳(yang)能电(dian)池靶(ba)材(cai)市场规(gui)模(mo)预(yu)计(ji)将(jiang)达(da)到(dao)约 38 亿美元(yuan)，20-25 年(nian) CAGR 为(wei) 58.2%。
（二(er)）供给：薄膜电池(chi)及 HIT 电池(chi)市(shi)场规(gui)模尚小，国内光伏 靶材(cai)亦(yi)多处(chu)于起(qi)步(bu)阶(jie)段
国外头(tou)部(bu)企(qi)业一直(zhi)在增强自身(shen)对太阳能(neng)电(dian)池(chi)的(de)开发与(yu)供应(ying)。JX日(ri)矿(kuang)金属与爱(ai)发(fa)科(ke)等在行业内处于 领先位置。如如 JX 日矿金属(shu)目前已(yi)拥有了用于(yu)形(xing)成 CIGS 薄膜(mo)太阳(yang)能(neng)电池(chi)吸(xi)收(shou)层(ceng)的(de) In 靶(ba)材(cai)（4N） 和 CuGa 靶(ba)材(cai)（3N~5N）。爱发(fa)科在(zai)太(tai)阳能(neng)电(dian)池(chi)靶材(cai)方(fang)面也(ye)在不断加(jia)强(qiang)产能(neng)建(jian)设，据(ju) 2017 年爱(ai) 发科电子材料（苏(su)州）有限(xian)公(gong)司靶(ba)材(cai)生(sheng)产技术改造(zao)项目环境(jing)影响(xiang)报告表数(shu)据(ju)显示(shi)，技(ji)改(gai)后(hou)爱发科(ke) （苏(su)州）共(gong)拥(yong)有半导(dao)体及(ji)太(tai)阳能(neng)电池(chi)靶(ba)材(cai)产(chan)能 1200 枚(mei)/年(nian)。
国(guo)内薄(bao)膜(mo)电(dian)池(chi)及(ji) HIT 电池(chi)市(shi)场规(gui)模尚(shang)小(xiao)，相(xiang)关企(qi)业(ye)也较(jiao)少，多(duo)处(chu)于(yu)起(qi)步阶(jie)段，其(qi)中(zhong)先导(dao)稀材(cai)、江(jiang) 丰电子等产(chan)能规模(mo)相对较(jiao)大。由于我(wo)国薄(bao)膜电(dian)池(chi)及(ji) HIT 电(dian)池(chi)市(shi)场规模尚小，相(xiang)关(guan)上(shang)游生产企(qi)业也(ye) 较(jiao)少(shao)，目前(qian)国(guo)内(nei)企(qi)业(ye)中涉及(ji)太阳能电池靶材(cai)生产的(de)企(qi)业(ye)主(zhu)要有江(jiang)丰电(dian)子、先(xian)导稀(xi)材(cai)、四(si)丰(feng)电子(zi)、 新疆众(zhong)合等(deng)企业，其中(zhong)江丰(feng)电(dian)子(zi) 2020 年太阳能(neng)电池(chi)靶材(cai)营收(shou)仅(jin)为(wei) 0.216 亿(yi)元，占(zhan)比(bi) 1.85%，毛(mao)利 率(lv)为13.76%，由(you)于太阳(yang)能(neng)电(dian)池靶(ba)材(cai)要求(qiu)较(jiao)低，因此毛(mao)利率较(jiao)其他产品也(ye)较(jiao)低(di)。此(ci)外(wai)新(xin)疆众(zhong)合(he)的铝(lv) 靶、四丰电(dian)子的(de)非(fei)靶(ba)材类(lei)钨、钼(mu)制品也广泛(fan)应(ying)用(yong)于光伏(fu)太(tai)阳能行(xing)业(ye)。先导稀材(cai)子(zi)公(gong)司先(xian)导薄膜材 料在(zai)清远(yuan)拥(yong)有新型显示(shi)及(ji) HIT 异(yi)质结(jie)太阳能用(yong)靶材 160 吨，在(zai)合(he)肥(fei)具有(you) 750 吨太阳能(neng)靶(ba)材产能。
此(ci)外(wai)由于 HIT 电(dian)池(chi)用 ITO 靶(ba)材与面(mian)板(ban)用(yong)技术互通，隆(long)华(hua)科技等部分(fen)显示面板(ban)靶材企业(ye)也已开始布 局相关(guan)产业龙头(tou)。如隆(long)华(hua)科技(ji)司已(yi)向(xiang) HIT 电池龙头隆基(ji)送样(yang)并(bing)开(kai)展联(lian)合测(ce)试开发(fa)项(xiang)目，目前(qian)已(yi)经(jing) 通过隆基(ji)认(ren)证，与(yu)下游(you)企业(ye)的紧(jin)密合作(zuo)也(ye)将(jiang)助力(li)公(gong)司光(guang)伏用 ITO 靶材业务(wu)的(de)高速增(zeng)长，确(que)立(li)先(xian)发(fa) 优(you)势，高(gao)筑行(xing)业(ye)壁(bi)垒。
五(wu)、记录媒体靶材：趋势(shi)难逆(ni)，磁(ci)记(ji)录(lu)靶(ba)材预计(ji)将逐步(bu)转向(xiang)存(cun)储芯片(pian)靶材
（一(yi)）HDD 转向数据(ju)中心存储获(huo)新生，磁记(ji)录(lu)靶材(cai)目前(qian)仍保(bao)持(chi)高(gao)速(su)增(zeng)长
数(shu)据(ju)存(cun)储(chu)可分为(wei)光(guang)存(cun)储(chu)、磁(ci)存(cun)储(chu)与半(ban)导(dao)体(ti)存(cun)储(chu)，目(mu)前(qian)全(quan)球数据存储(chu)依然以(yi)磁(ci)记(ji)录(lu)为主，SSD 短(duan)期(qi) 仍然(ran)难(nan)以替代。数(shu)据(ju)存(cun)储可(ke)分(fen)为光存储、磁(ci)存(cun)储(chu)与半(ban)导体存储(chu)，近(jin)年(nian)来(lai)半(ban)导体(ti)存(cun)储(chu)发(fa)展(zhan)迅速(su)，预(yu) 计(ji)光(guang)磁记(ji)录媒(mei)体(ti)市场(chang)会受(shou)到一定(ding)侵蚀。但(dan)从(cong)数据(ju)存储量(liang)来(lai)看(kan)，目(mu)前磁(ci)记(ji)录(lu)仍然(ran)占(zhan)据主导(dao)记(ji)录， SSD 短(duan)期仍然(ran)难以替代。传(chuan)统的磁存储(chu)设备机械硬盘（HDD）由于(yu)其(qi)储(chu)存容(rong)量大(da)、储存(cun)时(shi)间长(zhang)且 相(xiang)对于(yu) SSD 更(geng)加安(an)全稳定的(de)优点(dian)使得(de)其(qi)在冷(leng)数据存储（占全(quan)部数据(ju)的(de) 80%）中(zhong)方(fang)面优(you)势(shi)较大， 目前(qian)数(shu)据(ju)中心(xin)存储也依(yi)然以机(ji)械硬盘为(wei)主.伴随(sui)着(zhe)全球(qiu)数(shu)据(ju)量(liang)的快(kuai)速增长，机(ji)械硬(ying)盘(pan)出(chu)货(huo)容量也保 持快(kuai)速增(zeng)长(zhang)。2020年全球(qiu)机械硬(ying)盘(pan)出(chu)货(huo)容(rong)量(liang)已(yi)超(chao) 1ZB。
光存储技术(shu)是(shi)用(yong)激(ji)光照(zhao)射介(jie)质，通过(guo)激光与(yu)介(jie)质的(de)相互(hu)作(zuo)用使介质(zhi)发生物理(li)、化学变化，将信(xin)息 存储下(xia)来的(de)技术，主(zhu)要(yao)包(bao)括 CD、VCD、DVD、BD 蓝(lan)光等技术(shu)。整(zheng)体(ti)上(shang)来(lai)看 CD 等技术占存(cun)储(chu)比(bi) 例(li)较低。
磁(ci)记录(lu)靶(ba)材则多(duo)以溅射(she)法(fa)制(zhi)作，常用(yong)材料为(wei)钴(gu)（3N）/镍(nie)/铁合(he)金/铬/碲(di)、硒（4N）/稀土- 迁(qian)移金(jin) 属（3N）等(deng)，主要(yao)包括铬(ge)靶(ba)、镍靶、钴靶(ba)。由(you)于(yu)光记录媒(mei)体(ti)出(chu)货容(rong)量占比较(jiao)小(xiao)，因此我(wo)们本(ben)文仅 考(kao)虑(lv)磁记录情(qing)况，按记录媒体(ti)的机械形(xing)状(zhuang)和驱动(dong)方(fang)式(shi)的不(bu)同，磁记(ji)录可(ke)分为磁(ci)鼓、磁(ci)带（录音(yin)机、 录(lu)像机、数据(ju)记(ji)录）、磁(ci)盘(pan)（硬(ying)盘、软(ruan)盘）、磁卡(ka)等(deng)，其(qi)中，高(gao)密度硬(ying)盘领(ling)域(yu)的磁性薄膜(mo)几(ji)乎(hu)都(dou) 是(shi)以(yi)溅射法制(zhi)作的，这(zhe)些磁(ci)记录(lu)薄(bao)膜材(cai)料有(you)很高的记录密(mi)度(du)。因(yin)此也要求溅射(she)靶(ba)材(cai)具有高纯度、 低气体含(han)量、细晶(jing)微结(jie)构、均匀的(de)金(jin)相(xiang)、高磁穿(chuan)透(tou)和使用率(lv)、优(you)异(yi)的(de)电(dian)性与机械(xie)特性(xing)等(deng)特点。磁 记录靶(ba)材(cai)常(chang)用(yong)材(cai)料为(wei)钴（3N）/镍(nie)/铁(tie)合(he)金/铬/碲、硒（4N）/稀土(tu)- 迁移(yi)金(jin)属(shu)（3N）等(deng)，主(zhu)要(yao)包括(kuo) 铬靶(ba)、镍(nie)靶、钴(gu)靶。
我国磁(ci)记(ji)录靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)也(ye)依(yi)然以(yi)海(hai)外(wai)供(gong)应为主，中国(guo)生(sheng)产(chan)磁(ci)记(ji)录(lu)靶材(cai)企业数量(liang)和产(chan)能(neng)也非常(chang)有(you)限(xian)。 全(quan)球(qiu)机械(xie)键(jian)盘产(chan)量(liang)主要(yao)集(ji)中在东(dong)芝、西部数(shu)据、希捷(jie)三(san)家企业(ye)，中(zhong)国机(ji)械(xie)键(jian)盘(pan)产量(liang)较小，因此(ci)我国磁记(ji)录(lu)靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)也(ye)依然(ran)以海(hai)外(wai)供(gong)应为(wei)主。
受益(yi)于数(shu)据(ju)存(cun)储需(xu)求(qiu)快速增(zeng)长，全球(qiu)磁记录媒(mei)体(ti)靶材(cai)依然维持较高(gao)增速(su)，预估(gu) 2025 年全球(qiu)记(ji)录 媒体(ti)靶(ba)材(cai)金(jin)额(e)约(yue)为(wei) 101 亿美(mei)元(yuan)，2020-2025 年年(nian)均(jun)复(fu)合增速约(yue)为 10.6%。2013-2016 年单(dan)位(wei)机(ji)械 硬(ying)盘(pan)容量所(suo)需靶材金(jin)额(e)约为(wei) 0.049、0.048、0.053、0.056 亿(yi)美(mei)元(yuan)/EB，整体上(shang)相对稳定，因此(ci)我(wo) 们(men)假设 2017-2020 年该金(jin)额与 2016 年(nian)相(xiang)同，可计算出(chu) 2020 年的全球记(ji)录媒体(ti)靶材金(jin)额(e)约(yue)为 61 亿美(mei)元，2013-2020 年年均(jun)复(fu)合增(zeng)速约(yue)为(wei) 15.6%。若假设单位(wei)机械硬盘容(rong)量(liang)所(suo)需靶材(cai)金额继续(xu)维 持(chi)不变(bian)，参考(kao)全球(qiu) HDD 出(chu)货(huo)量情况，预(yu)估 2025 年的全球(qiu)记(ji)录(lu)媒(mei)体靶(ba)材金额(e)约(yue)为(wei) 101 亿美(mei)元， 20-25 年年(nian)均复合(he)增(zeng)速(su)约为 10.6%。
预估 2020 年我国(guo)记录媒体(ti)溅射靶材(cai)市(shi)场(chang)规(gui)模为(wei)到 97 亿元（折(zhe)合 14 亿(yi)美元），2013-2020 年年 均(jun)复(fu)合(he)增(zeng)速约(yue)为 8.9%。由于(yu)机(ji)械(xie)硬盘国(guo)产化水(shui)平极(ji)低，因(yin)此(ci)我(wo)们预(yu)计(ji)我国(guo)机(ji)械(xie)硬(ying)盘(pan)靶材(cai)市(shi)场也增 长(zhang)较为缓慢，参(can)考(kao) 2013-2016 年记录(lu)媒(mei)体靶材同(tong)比(bi)情况，我们(men)假(jia)设(she)假(jia)设(she) 2017-2020 年增速仍(reng)然(ran)维(wei) 持(chi)在(zai) 9%左右(you)。预(yu)估(gu) 2020 年我(wo)国记(ji)录(lu)媒(mei)体溅(jian)射靶(ba)材市(shi)场规模已达到(dao) 97 亿(yi)元(yuan)（折(zhe)合(he) 14 亿美(mei)元）， 我国(guo)记录媒(mei)体(ti)靶材市场(chang)规模较(jiao)小，主(zhu)要(yao)系我(wo)国(guo)机(ji)械硬盘(pan)国(guo)产化水(shui)平(ping)极(ji)低(di)，以(yi)及记(ji)录(lu)媒(mei)体(ti)研(yan)发重(zhong)心(xin) 主(zhu)要(yao)在(zai)半导体(ti)存储 SSD，对(dui)传(chuan)统(tong)的(de)机(ji)械(xie)硬(ying)盘形(xing)成(cheng)了(le)一(yi)定(ding)替代(dai)。
（二）趋(qu)势难逆(ni)，传(chuan)统(tong)光磁(ci)记录(lu)媒(mei)体(ti)正(zheng)转向半导体存储
固态(tai)硬盘(pan)替代机(ji)械硬(ying)盘(pan)已(yi)是(shi)大(da)势(shi)所趋(qu)，传统光磁记录(lu)媒体靶材(cai)预计(ji)将逐(zhu)步(bu)向(xiang)半(ban)导(dao)体存(cun)储(chu)芯片靶(ba)材(cai) 转(zhuan)移(yi)。作为新一(yi)代(dai)硬盘，SSD 在性(xing)能、体(ti)积(ji)、噪音(yin)、震动(dong)等(deng)方面(mian)均远胜(sheng)于 HDD。近(jin)几年(nian)随着(zhe) NAND 闪存技术(shu)的不(bu)断(duan)发(fa)展(zhan)，基于闪存(cun)存储的(de) SSD 性能(neng)不断提(ti)升(sheng)，不仅寿命(ming)足以(yi)支持各(ge)类应用(yong)场 景，其(qi)价(jia)格(ge)也在(zai)持(chi)续(xu)回落恢(hui)复(fu)到(dao)市场所认同(tong)的(de)高(gao)性(xing)价比(bi)。但(dan)短期来(lai)看，HDD 在数据中(zhong)心(xin)等方(fang)面(mian)的(de) 优(you)势依然较为突(tu)出(chu)，SDD仍有部分(fen)缺(que)陷(xian)尚(shang)待攻(gong)克(ke)，受(shou)益于(yu)全(quan)球(qiu)数据(ju)存储(chu)需求的高(gao)速(su)增(zeng)长，HDD与(yu) SSD 在存储容量方(fang)面均(jun)将保持较(jiao)快增速，但(dan) SSD 对(dui) HDD 逐(zhu)步形(xing)成侵(qin)蚀(shi)已(yi)成(cheng)必然(ran)。也将(jiang)带动(dong)传统 光(guang)磁(ci)记(ji)录(lu)媒(mei)体(ti)靶(ba)材预(yu)计(ji)将(jiang)逐步(bu)向半(ban)导体(ti)存(cun)储芯(xin)片(pian)靶(ba)材(cai)转移。
此(ci)外存(cun)储芯片(pian)需(xu)求的上升(sheng)预(yu)计(ji)将(jiang)带(dai)来钴靶、钨(wu)靶(ba)、钽靶(ba)等(deng)靶(ba)材(cai)需求(qiu)上(shang)升。据电(dian)子工(gong)程世(shi)界(jie) 2018 年《进(jin)口靶材免(mian)税(shui)“天窗”即将到(dao)期，或增加 17%关(guan)税利好(hao)国(guo)内厂商(shang)》一(yi)文介绍(shao)，存储器芯(xin)片靶(ba) 材使(shi)用和逻(luo)辑(ji)芯(xin)片(pian)的使(shi)用种类(lei)有(you)很大区别(bie)。逻(luo)辑里用(yong)量大的(de)是(shi)铜、钽、钛(tai)、铝(lv)、钴(gu)、镍铂等，这(zhe) 几(ji)种(zhong)材料占到所(suo)有份(fen)额(e)的 95%以上(shang)，其中铜(tong)和钽(tan)占采(cai)购(gou)份额(e)的(de) 85%。铜和(he)钽是(shi)逻辑(ji) FAB 里(li)面用(yong) 量最(zui)大的(de)两(liang)种(zhong)产品，若能掌握铜(tong)、钽靶材(cai)的生(sheng)产(chan)工艺(yi)，则(ze)主(zhu)导逻辑 FAB 靶材。
存储(chu)器芯(xin)片(pian)则(ze)分为两个(ge)方向，一(yi)个是(shi) DRAM，一个(ge)是 NAND。
1） DRAM 厂主要(yao)种(zhong)类是(shi)钨(wu)、钛(tai)、钽(tan)、铝、钴、铜，用(yong)量最大的是钛靶和(he)铝靶，但单块(kuai)金(jin)额较 低(di)。如(ru)能掌(zhang)握(wo)钴(gu)靶(ba)、钨靶、钽(tan)靶(ba)的研发能(neng)力(li)，预测(ce)便能掌(zhang)握较大的 DRAM 份额(e)。铝(lv)靶(ba)、钛(tai)靶的行(xing) 业壁(bi)垒相(xiang)对(dui)较低(di)，使用较(jiao)为(wei)成熟，国内(nei)的(de)江丰、有(you)研(yan)等在(zai) FAB 采购(gou)份(fen)额(e)也(ye)均占(zhan)有(you)一(yi)定的比例，对 于(yu)高端(duan)的钨(wu)、钴、钽靶材供(gong)应(ying)商主(zhu)要(yao)还是以 nikko、Tosol 和 honeywell 等(deng)国外企(qi)业为(wei)主，铜的用(yong) 量则(ze)相(xiang)对不大。
2）3D NAND 领域(yu)主要(yao)使用的靶(ba)材(cai)为(wei)钨，其(qi)次是钛，再(zai)其(qi)次(ci)是(shi)铜(tong)和钽(tan)的用(yong)量，钨靶的(de)采(cai)购额占据(ju) 3D NAND 工(gong)厂的 70%以上份(fen)额(e)，钽(tan)靶 Tosol 的(de)市场份(fen)额还(hai)是(shi)有(you)很大的(de)竞争力(li)，Nikko 在(zai)钽(tan)靶方面 前(qian)期(qi)做(zuo)的(de)不(bu)如(ru)其(qi)他家(jia)，但(dan)是(shi)Nikko收购了(le)钽靶的原(yuan)材(cai)料(liao)供应商(shang)，预(yu)计(ji)后(hou)期Nikko竞争力相对较(jiao)强(qiang)。 此外我(wo)国的长(zhang)江(jiang)存(cun)储(chu) 32 层(ceng)堆(dui)栈 3D NAND 闪存量(liang)产在(zai)即，国产(chan) 3D-NAND 加(jia)速崛(jue)起，钨(wu)靶在国内(nei) 市场需(xu)求较(jiao)大(da)，也是目(mu)前(qian)我国(guo)亟需(xu)突破(po)的一款靶(ba)材。江丰电(dian)子(zi)与章(zhang)源(yuan)钨(wu)业也在(zai)高(gao)纯钨(wu)及靶(ba)材方面(mian) 取(qu)得(de)了(le)较大(da)进步。
六(liu)、投资(zi)分析
综上，靶(ba)材作(zuo)为(wei)半(ban)导(dao)体(ti)、显示(shi)面板、光(guang)伏(fu)电池(chi)等的关(guan)键原(yuan)料，预计(ji) 2025 年全(quan)球市场(chang)规模(mo)将达 333 亿美元(yuan)，但目前(qian)四(si)家(jia)日(ri)美(mei)巨(ju)头占(zhan)据 80%靶材市(shi)场，国(guo)产替(ti)代(dai)需求强(qiang)烈。近年来(lai)随(sui)着下游(you)产(chan)业(ye)向(xiang)国(guo) 内(nei)转移以(yi)及国内(nei)靶(ba)材工(gong)艺(yi)和原(yuan)料提纯(chun)工艺的突(tu)破，国产铝(lv)、铜(tong)、钼、ITO 等品(pin)种已(yi)取(qu)得(de)定向(xiang)突(tu)破， 并(bing)进入下游主流(liu)客(ke)户供应体系。从(cong)下(xia)游(you)来(lai)看(kan)，我们认(ren)为(wei)半(ban)导体靶材(cai)市场(chang)、显示面(mian)板(ban)靶材(cai)市(shi)场(chang)以及 光伏面板(ban)靶材(cai)市(shi)场(chang)未来成长(zhang)空间(jian)较(jiao)大(da)，预(yu)计 2025 年我(wo)国(guo)半(ban)导(dao)体(ti)靶(ba)材(cai)市(shi)场(chang)规(gui)模将达(da)到 6.7 亿(yi)美(mei)元(yuan)， 21-25 年 CAGR 为 9.2%。显示面(mian)板(ban)靶(ba)材市场规模(mo)约(yue)为 50 亿(yi)美(mei)元(yuan)，21-25 年 CAGR 为(wei) 18.9%。光(guang) 伏靶材(cai)市场规模将接近 38 亿美元(yuan),21-25 年(nian) CAGR 为(wei) 56.1%。
（本(ben)文仅(jin)供(gong)参(can)考，不(bu)代表(biao)我们(men)的任何投资建议(yi)。如需使用相关(guan)信(xin)息，请参阅(yue)报告原文。）
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