按(an)照(zhao)应(ying)用领域不(bu)同,电(dian)子溅(jian)射靶(ba)材(cai)可以分为半导体(ti)靶(ba)材(cai)、平面靶材(cai)、镀膜(mo)玻(bo)璃靶材(cai)、太(tai)阳(yang)能(neng)光(guang)伏靶材等(deng),不同(tong)应(ying)用领(ling)域对金属(shu)材料(liao)的(de)选择和性能要(yao)求存在一定的(de)差(cha)异(yi),其(qi)中半导(dao)体集成(cheng)电路用的溅(jian)射(she)靶材技术要求高,质量要(yao)求最苛刻(ke)。以下(xia)由(you)靶(ba)材(cai)生产厂(chang)家-凯泽金(jin)属(shu),结(jie)合(he)多年(nian)的(de)半(ban)导体(ti)、平面、镀(du)膜(mo)等(deng)用钛镍锆铝(lv)靶材的(de)深(shen)加(jia)工及销售(shou)经(jing)验(yan),将靶材的分类(lei),从(cong)应用(yong)、种(zhong)类等维(wei)度,细(xi)分如下:
靶材(cai)的(de)主要种(zhong)类与(yu)用(yong)途(tu)一(yi)览表(biao)
| 靶(ba)材种类(lei) | 应用(yong) | 种类(lei) | 性能(neng)要求(qiu) |
| 半导体 | 制备集(ji)成(cheng)电路(lu)核(he)心材(cai)料(liao) | W、钨钛(Wti)、Ti、Ta、Al合金、Cu等(deng),纯度在(zai)4N或(huo)5N以上 | 技术(shu)要求(qiu)高、超高纯(chun)度金(jin)属(shu)、高(gao)精(jing)度尺寸、高集成度 |
| 平(ping)面(mian)显示 | 溅射(she)技(ji)术(shu)保(bao)证(zheng)生产薄(bao)膜均匀性(xing),提高(gao)生(sheng)产(chan)率(lv)降低(di)成(cheng)本(ben) | 铌靶(ba)、硅(gui)靶、Cr靶(ba)、钼靶(ba)、MoNb、Al靶(ba)、铝(lv)合(he)金靶(ba)、铜靶(ba)、铜(tong)合(he)金 | 技术要(yao)求高(gao)、高纯(chun)度(du)材(cai)料、材(cai)料面积大(da)、均匀性(xing)程(cheng)度高 |
| 装饰 | 用(yong)于产品表(biao)面镀膜(mo),起(qi)美(mei)化(hua)耐(nai)磨耐(nai)腐蚀的效(xiao)果(guo) | 铬靶、钛靶、锆(gao)(Zr)、镍、钨、钛(tai)铝(lv)、CrSi、CrTi、CrAlZr、不(bu)锈钢靶(ba) | 技术要(yao)求(qiu)一般(ban),主要(yao)用于(yu)装(zhuang)饰(shi)、节(jie)能(neng)等 |
| 工具 | 工具(ju)、模具表面(mian)强(qiang)化(hua),提(ti)高(gao)寿命与(yu)被制造(zao)零(ling)件质(zhi)量(liang) | TiAl靶、铬(ge)铝靶、Cr靶、Ti靶(ba)、TiN、TiC、Al203等(deng) | 性(xing)能(neng)要求(qiu)较(jiao)高、使(shi)用寿命(ming)延长(zhang) |
| 太(tai)阳(yang)能(neng)光伏(fu) | 溅(jian)射薄(bao)膜(mo)技(ji)术(shu)用于(yu)第四(si)代薄(bao)膜(mo)太(tai)阳(yang)能(neng)电池(chi)的制(zhi)作(zuo) | 氧(yang)化(hua)锌(xin)铝(lv)靶、氧化锌(xin)靶(ba)、锌(xin)铝(lv)靶、钼(mu)靶、硫(liu)化(hua)镉(ge)(CdS)靶(ba)、铜(tong)铟(yin)镓硒(xi)等 | 技(ji)术要(yao)求(qiu)高(gao)、应用(yong)范(fan)围(wei)大(da) |
| 电(dian)子器(qi)件(jian) | 用于(yu)薄(bao)膜(mo)电阻、薄(bao)膜(mo)电(dian)容(rong) | NiCr靶(ba)、镍(nie)铬(ge)硅靶(ba)、铬(ge)硅靶(ba)、钽(Ta)靶、镍铬铝靶(ba)等 | 要求电子(zi)器(qi)件尺寸小(xiao)、稳(wen)定(ding)性(xing)好、电阻(zu)温(wen)度系(xi)数小 |
| 信息(xi)存(cun)储(chu) | 用(yong)于制作(zuo)磁储(chu)存器(qi) | Cr基、钴(Co)基、钴(gu)铁基、Ni基等(deng)合金(jin) | 高储存密度、高传输速度(du) |

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