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        宝(bao)鸡靶材(cai)厂家介绍(shao)靶材溅(jian)射(she)镀(du)膜(mo)的(de)种分类(lei)及(ji)特点(dian)

        发(fa)布时(shi)间:2021-03-30 07:22:46 浏(liu)览(lan)次数(shu) :

        溅射靶(ba)材(cai)在(zai)生(sheng)产过程(cheng)过有(you)个环节是(shi)真空(kong)镀(du)膜(mo),在真空(kong)镀(du)膜(mo)中,方法(fa)主要有(you)蒸(zheng)发(fa)镀(du)膜和溅射镀(du)膜,其(qi)中溅射镀(du)膜又可(ke)以(yi)分为不同种类(lei),凯泽金(jin)属结合(he)各(ge)类(lei)靶(ba)材的深加(jia)工(gong)、销(xiao)售(shou)经验(yan)以及相(xiang)关(guan)资(zi)料,将(jiang)溅射(she)镀(du)膜靶(ba)材的(de)分类方法(fa)与特(te)点,整理如(ru)下(xia):

        一、按电(dian)极结构(gou)分类(lei)

        1、磁(ci)控(kong)溅(jian)射(she)

        磁控溅射(she)也可以(yi)叫做(zuo)高速低(di)温溅射,在(zai)与靶(ba)表(biao)面(mian)平行的方向(xiang)上(shang)施(shi)加磁(ci)场(chang),利(li)用电场(chang)和磁(ci)场(chang)相互垂(chui)直(zhi)的磁(ci)控(kong)管原(yuan)理减(jian)少(shao)电子(zi)对(dui)基(ji)的轰(hong)击(ji),使(shi)高(gao)速(su)溅(jian)射成(cheng)为(wei)可(ke)能(neng)。对(dui)Cu来说,溅(jian)射(she)沉积(ji)速率为(wei)1.8μm/min时,温升为2℃/μm。CU的(de)自(zi)溅射可在10-6Pa的(de)低压下进行(xing)。

        2、二(er)极(ji)溅(jian)射(she)

        二(er)级(ji)溅射(she)的特点是(shi)构(gou)造(zao)简单,在大(da)面(mian)积(ji)的(de)基板(ban)上(shang)可以(yi)制(zhi)取(qu)均(jun)匀(yun)的薄膜,放电(dian)电(dian)流流随气(qi)压和电(dian)压的变(bian)化而(er)变化(hua)。

        3、三(san)或四(si)极溅(jian)射(she)

        三或(huo)四(si)极(ji)溅(jian)射(she)特点为可实现(xian)低(di)气(qi)压(ya)、低电医(yi)溅射,放电(dian)电(dian)流(liu)和轰(hong)击靶(ba)的离子(zi)能(neng)量(liang)可(ke)独(du)立(li)调(diao)节控(kong)制(zhi)。可(ke)自(zi)动控制(zhi)靶(ba)的电流。也(ye)可(ke)进(jin)行(xing)射(she)频(pin)溅(jian)射。

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        二(er)、其(qi)他(ta)分(fen)类(lei)

        1、偏(pian)压(ya)溅(jian)射(she)

        (1)偏压(ya)溅(jian)射特点是在镀(du)膜(mo)过(guo)程中(zhong)同(tong)时(shi)清(qing)除基板(ban)上(shang)轻(qing)质(zhi)量的带电粒(li)子,从(cong)而(er)使(shi)基板中不(bu)含(han)有不纯(chun)气体,如(ru)H20、N2等(deng)残留(liu)气(qi)体(ti)等。

        (2)偏压溅(jian)射就是在(zai)成(cheng)膜(mo)的(de)基板(ban)上施加几百(bai)伏的负(fu)偏压(ya),可使(shi)膜(mo)层(ceng)致密(mi)、改(gai)善(shan)膜层的(de)性(xing)能(neng)。

        (3)偏(pian)压(ya)溅射(she)与(yu)二极溅(jian)射的区(qu)别(bie)在于(yu)基片上施加固(gu)定(ding)直流偏(pian)压,若施加(jia)的是负偏压(ya),则在薄(bao)膜(mo)淀(dian)积过(guo)程(cheng)中(zhong),基(ji)片表面都将受到气体(ti)离(li)子的稳定(ding)轰(hong)击(ji),随(sui)时(shi)清(qing)除(chu)可(ke)能(neng)进入薄(bao)膜表(biao)面的气体(ti),有(you)利于(yu)提(ti)高薄(bao)膜(mo)的(de)纯度(du),另(ling)外偏(pian)压溅(jian)射还(hai)可(ke)以(yi)改(gai)变(bian)淀积(ji)薄膜(mo)的结构(gou)。

        2、对向(xiang)靶(ba)溅射(she)

        对向靶(ba)溅射特(te)点是两(liang)个靶对(dui)向(xiang)布(bu)置(zhi),在直(zhi)于(yu)靶(ba)的(de)表(biao)面(mian)方(fang)向加(jia)上(shang)磁(ci)场(chang),基板(ban)位(wei)于磁(ci)场(chang)之(zhi)外(wai)。可以(yi)对(dui)磁(ci)性材(cai)料行高速低温溅(jian)射。对(dui)向(xiang)靶(ba)溅(jian)射的(de)优点是(shi)溅(jian)射速(su)率高(gao),基板(ban)温度(du)低(di),可(ke)淀积磁性薄膜(mo)。

        3、射(she)频(pin)溅射(she)

        (1)射(she)频溅(jian)射(she)特(te)点(dian)是开始是为了制取(qu)绝缘(yuan)体如石(shi)英(ying)、玻(bo)璃(li)、Al2O3的薄膜而研制的。也(ye)可射镀制金属(shu)膜。靶(ba)表(biao)面(mian)加磁(ci)场可以进行磁(ci)控射频溅射。

        (2)射(she)频(pin)溅(jian)射是利用射(she)频(pin)放电等离(li)子(zi)体(ti)中(zhong)的(de)正(zheng)离(li)子轰(hong)击靶材(cai)、溅(jian)射(she)出靶(ba)材原(yuan)子(zi)从而沉(chen)积在接(jie)地(di)的(de)基(ji)板(ban)表面的技术。射频溅(jian)射几(ji)乎(hu)可以用(yong)来(lai)沉积(ji)任(ren)何固(gu)体(ti)材料的薄膜(mo),获得(de)的(de)薄膜(mo)致(zhi)密、纯度(du)高、与(yu)基片(pian)附着(zhe)牢固、建设(she)速(su)率(lv)大、工(gong)艺重复(fu)性(xing)好(hao)。常用来(lai)沉(chen)积(ji)各(ge)种合金膜、磁(ci)性膜(mo)以及其(qi)他(ta)功(gong)能膜(mo)。

        (3)射(she)频(pin)溅(jian)射是在(zai)射频电压作用下(xia),利用(yong)电(dian)子和(he)离(li)子(zi)运动特征(zheng)的不(bu)同,在(zai)靶的表面(mian)感(gan)应(ying)出负的直(zhi)流脉冲(chong),而产(chan)生(sheng)溅射现(xian)象(xiang),能对绝缘体进(jin)行溅(jian)射镀(du)膜。

        4、离(li)子束溅射(she)

        离子(zi)束溅(jian)射(she)又称离(li)子(zi)束(shu)沉积,是(shi)在(zai)离(li)子(zi)束技术基础上(shang)发(fa)展起来的新的(de)成膜技术,特(te)点(dian)在(zai)高(gao)真空下(xia),利(li)用离(li)子(zi)束溅(jian)射镀(du)膜(mo),是(shi)非(fei)等离子体状态下的(de)成膜(mo)过(guo)程。靶接(jie)地(di)电位(wei)也可(ke),丕可(ke)以(yi)进行反(fan)应(ying)离(li)子束溅射(she)。虽(sui)然这种(zhong)镀膜技术所设计到(dao)现(xian)象比(bi)较(jiao)复(fu)杂,但(dan)通(tong)过(guo)核实的(de)选(xuan)择靶材及(ji)例(li)子(zi)能量、种类(lei)等,可(ke)以(yi)比较容(rong)易地(di)制(zhi)取(qu)各种不(bu)同(tong)的金(jin)属、氧化(hua)物、氮(dan)化物(wu)及其(qi)他(ta)化合(he)物等(deng)薄膜(mo),特别适(shi)合制(zhi)作多(duo)组(zu)元(yuan)金属(shu)氧化物薄膜(mo)。目(mu)前这(zhe)一(yi)技术已在(zai)磁性材(cai)料、超导材(cai)料(liao)以及其他电子(zi)材(cai)料(liao)的薄膜(mo)制备(bei)方面(mian)得到应用(yong),

        5、反(fan)应溅(jian)射

        反(fan)应溅(jian)射(she)是(shi)指在存在反应(ying)气(qi)体的情(qing)况(kuang)下,溅(jian)射(she)靶材(cai)时(shi),靶(ba)材会与(yu)反(fan)应气(qi)体(ti)反应(ying)形成(cheng)化合物,如(ru)氮化(hua)物(wu)或(huo)氧(yang)化(hua)物(wu),在惰性气体溅射化合(he)物靶(ba)材(cai)时由于(yu)化(hua)学不稳(wen)定性往往导致(zhi)薄膜(mo)较(jiao)靶材(cai)少一个(ge)或更多组(zu)分,此(ci)时(shi)如(ru)果(guo)加(jia)上(shang)反应气体(ti)可以补偿所缺(que)少(shao)的组分(fen),这种(zhong)溅(jian)射(she)也可以视(shi)为(wei)反(fan)应溅射(she)。反应物(wu)之间(jian)产(chan)生(sheng)反(fan)应(ying)的必要(yao)条件是,反(fan)应物分子必(bi)须(xu)有足够高(gao)的(de)能(neng)量(liang)以克(ke)服分子间(jian)的势垒。

        以(yi)上(shang)就(jiu)是靶材(cai)溅(jian)射镀膜的种(zhong)类(lei)及特(te)点介绍,希望能(neng)帮助大家对靶材行(xing)业(ye)有所(suo)了解。在(zai)按(an)电极结构(gou)分类(lei)中磁(ci)控(kong)溅射(she)是在二(er)级溅(jian)射和(he)三(san)级(ji)溅射的(de)基础上发展(zhan)起来的(de),由(you)于(yu)磁控溅射可(ke)在(zai)低(di)温和低损(sun)伤(shang)条件下实现高(gao)速沉(chen)积(ji),已(yi)成(cheng)为(wei)目(mu)前(qian)靶(ba)材生(sheng)产的主要(yao)方(fang)式。宝鸡(ji)市凯(kai)泽金(jin)属(shu)材料有(you)限(xian)公(gong)司(si)是(shi)一(yi)家研发(fa)生(sheng)产(chan)钛(tai)靶(ba)、铬靶(ba)、锆(gao)靶(ba)、镍(nie)靶、钛(tai)铝(lv)靶(ba)、钛丝、钛(tai)加工(gong)件(jian)、钛锻件等金(jin)属(shu)材(cai)料(liao)为主的(de)高(gao)新(xin)技(ji)术企业(ye),十余年专(zhuan)注(zhu)于(yu)溅射(she)靶材(cai)、镀膜(mo)靶材、平(ping)面(mian)多(duo)弧(hu)靶材研(yan)发(fa)、生(sheng)产(chan),靶(ba)材(cai)组织(zhi)结(jie)构(gou)均(jun)匀(yun)、溅射(she)成膜(mo)性能(neng)优异(yi),如(ru)果(guo)您(nin)对靶材有疑(yi)问(wen)或(huo)需(xu)要(yao),欢(huan)迎联(lian)系(xi)凯(kai)泽(ze)金(jin)属。

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