陶(tao)瓷(ci)靶(ba)材在现(xian)有的(de)复(fu)杂(za)电子产品制造中(zhong),只(zhi)不(bu)过占工(gong)程的较少(shao)部分(fen),但起(qi)到了信息产(chan)业(ye)基础(chu)先(xian)导(dao)材料的作(zuo)用(yong)。我(wo)国(guo)电子信息(xi)产业(ye)发(fa)展很(hen)快(kuai),陶(tao)瓷(ci)溅射(she)靶材(cai)的需求逐年(nian)增多,未(wei)来(lai)对陶瓷溅射靶材(cai)的研究和(he)开(kai)发,是我(wo)国靶材(cai)供应商(shang)的(de)一个重(zhong)要(yao)的(de)课题(ti)。

随着(zhe)电(dian)子产(chan)业(ye)的(de)发(fa)展(zhan),高(gao)技术材(cai)料逐(zhu)渐向薄膜(mo)转移(yi),镀(du)膜(mo)期(qi)间随之发展(zhan)迅速(su),靶(ba)材(cai)是一(yi)种(zhong)具有高(gao)附加(jia)值(zhi)的(de)特(te)种电子材(cai)料,是溅(jian)射(she)薄(bao)膜材(cai)料(liao)的(de)源(yuan)较。陶瓷靶材(cai)作(zuo)为非金(jin)属薄膜产(chan)业发(fa)展(zhan)的基础(chu)材料(liao),已得(de)到从未(wei)有(you)过的发展(zhan),靶(ba)材市场(chang)规模日(ri)益膨胀。国(guo)内(nei)的陶瓷(ci)平面靶(ba)材(cai)主(zhu)要采用烧结(jie)及(ji)绑定工艺(yi),可生产(chan)非(fei)常大长度600mm,非常(chang)大宽度(du)400mmm,非常(chang)大厚(hou)度30mm,圆角、斜边、台(tai)阶等(deng)异形根(gen)据客户(hu)要(yao)求(qiu)加(jia)工(gong)。
陶(tao)瓷靶(ba)材(cai)的特(te)性要求(qiu):
(1)纯度(du):陶(tao)瓷靶(ba)材(cai)的纯度(du)对溅(jian)射(she)薄膜(mo)的(de)性能影(ying)响很(hen)大,纯(chun)度(du)越(yue)高(gao),溅(jian)射(she)薄膜(mo)的均(jun)匀(yun)性(xing)和(he)批量(liang)产(chan)品的质量(liang)的一(yi)致性(xing)越好(hao)。几年(nian)来,随(sui)着微电(dian)子(zi)产业的(de)发展(zhan),对(dui)成膜(mo)面积的薄(bao)膜均(jun)匀性(xing)要(yao)求十分严格(ge),其纯(chun)度必(bi)须大(da)于4N。平(ping)面显(xian)示用(yong)的(de)ITO靶材(cai)In2O3和(he)Sn2O3的纯(chun)度都大(da)于4N。
(2)密度(du):为了(le)减少(shao)陶瓷靶(ba)材(cai)的气(qi)孔(kong),提高(gao)薄膜性(xing)能(neng),要求溅射陶(tao)瓷靶材具(ju)有高(gao)密度(du)。靶(ba)材(cai)越(yue)密实,溅射颗(ke)粒(li)的(de)密(mi)度月底,放电(dian)现(xian)场就越(yue)弱,薄膜的性能(neng)也越好。
(3)成(cheng)分(fen)与(yu)结(jie)构均匀性(xing):为(wei)保(bao)证(zheng)溅射(she)薄(bao)膜均匀,尤特在(zai)复(fu)杂的(de)大面(mian)积镀(du)膜(mo)应(ying)用中,必须做到(dao)靶材成分(fen)与(yu)结(jie)构均(jun)匀(yun)性好。
溅射陶瓷(ci)靶(ba)材(cai)的制备,常用的(de)成型方(fang)法有(you)干压成型、冷(leng)等静(jing)压成型(xing)等(deng)。冷等(deng)静压(ya)成型(xing)由(you)于具(ju)有坯(pi)体(ti)密(mi)度(du)高而(er)且均(jun)匀(yun),磨具制(zhi)作方便(bian),成(cheng)本(ben)较(jiao)低(di)等优点,故而成(cheng)为(wei)较(jiao)常(chang)用的成型方(fang)法(fa)。陶瓷靶材的(de)烧结(jie)常(chang)采用(yong)常(chang)压(ya)烧结(jie)、热压烧结(jie)及(ji)气(qi)氛烧(shao)结等(deng)方(fang)法(fa)。
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