在(zai)微电(dian)子(zi)半(ban)导体集成(cheng)电(dian)路(lu)，薄(bao)膜混(hun)合集(ji)成电(dian)路， 片(pian)式(shi)元器(qi)件(jian)，特(te)别(bie)是光盘(pan)、磁盘(pan)及液晶平(ping)面显示(shi)器 LCD等技(ji)术(shu)领(ling)域(yu) 需使(shi)用(yong)各(ge)种(zhong)性(xing)能(neng)各异，要(yao)求(qiu)不同(tong)的溅射靶材(cai)，例(li)如(ru)各(ge)种(zhong)光碟、液晶显示器LCD及LSI等的(de)产品数量(liang)已十分巨(ju)大(da)，仅以(yi)我国台(tai)湾为(wei)例， 其CD -R 在1999年就生(sheng)产约17.7亿片，2000年的(de)产(chan)量将达(da)到47亿(yi)片，CD-RW片2000年将达(da)到(dao)18 亿(yi)片(pian)，DV用(yong)碟片2000年(nian)也(ye)将(jiang)超过1亿(yi)片(pian)，TFTLCD的产值20 00 年(nian)预计(ji)将达(da)到(dao)900亿台币。 在(zai)这些电(dian)子产(chan)品生(sheng)产过(guo)程中(zhong)，均(jun)须采用(yong)多(duo)种(zhong)溅射(she)技(ji)术(shu)，溅射单(dan)层(ceng)或(huo)多层各种(zhong)不(bu)同材(cai)质(zhi)的(de)金属(shu)、半导体或非金属薄膜，以达(da)到产品(pin)的(de)功(gong)能(neng)要求 本文对靶(ba)材的(de)制(zhi)备工(gong)艺特性及(ji)其(qi)在资(zi)讯产(chan)业方(fang)面(mian)的(de)应用作一简(jian)要(yao)介绍(shao)，供广大学习(xi)交(jiao)流(liu)。
靶(ba)材的种(zhong)类(lei)与应(ying)用(yong)
靶材(cai)的(de)种类(lei)按(an)其(qi)组成可分为(wei)纯金(jin)属(shu)、合金和(he)化(hua)合物(wu)靶(ba)材(cai)三大(da)类(lei)。表(biao)1 示出(chu)了靶(ba)材材(cai)质(zhi)的种(zhong)类，这(zhe)些(xie)不(bu)同性(xing)质(zhi)的靶(ba)材(cai)在各(ge)种产(chan)业(ye)上(shang)的应用情(qing)况(kuang)，归(gui)结起(qi)来(lai)如(ru)表(biao)2所示。
表(biao)1 靶(ba)材(cai)种类(lei)
| 分(fen)类 | 组成(cheng) |
| 纯(chun)金(jin)属 | Al, Au, Cr , Co, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta…… |
| 合(he)金(jin) | Ni-Cr , Co-Ni, Co-Cr , Tb -Fe-Co, Gd-Fe-Co, M o-W , Cr -Si·-- |
| 化(hua)合物 | 氧化物，硅(gui)化物， 碳化(hua)物(wu)，硫化物(wu)… |
表(biao)2 溅射(she)靶(ba)材(cai)在各(ge)种产(chan)业的应(ying)用
| 领域(yu) | 使(shi)用(yong)靶(ba)材 |
| 微电(dian)子(zi) | 铝合(he)金(jin)
(4N - 6N) | A I, A I- Si, A I-C u, A I- T i, A I- Si-C u, A !-S i-Pd, A 1- S i- T i, |
| 硅化物(5N ) | M o-S i,W -S i, Ti-Si, |
| 金(jin)(SN ) | A u, A u , A u- Sn, A u -Ge |
| 镍(nie)(4N ) | Ni Ni-Cr |
| 高熔点金属(shu)
(3N -6N) | M o-W , T i-W |
| 硅(gui) | 加(jia)p 硅(gui)，加(jia)N 硅 |
| 铭(3N) | C r, C r-S i |
| 钜 (3N - ('N ) | Ta |
| 铜(tong)(4N-('N ) | C u |
| 钛(4N -5N ) | Ti |
| 磁记录 | 钻(3N ) | Co-N t, Co-N 1-C r, Co-C r-T a, Co-C 广(guang)
P t, Co-C r |
| 镍 | Ni-Fe |
| 铁合(he)金 | Fe-Co Fe-,S -A I Fe-Ga-St |
| 铬(3N -4N ) | Cr |
| 光(guang)碟 | 啼 硒(xi)(4N ) | T e, Se, T b- Fe-Co, Dy -T b- Fe-Cb,
N d-D y- Fb-Co, Gd-T b-Fe -Co, D y- Fe- Co |
| 稀土(tu)－迁(qian)移(yi)
金属(shu)(3N ) | T b-Fe, T b-Fe-Co, D y-T b-Fe -Co, Dy-
Fe-Co, N ct-D y-Fb-Co Gd-T b-Fe-Co,
D v-Fe七o |
| 贵(gui)金属(shu) | 金(jin)银
(4N -5N ) | A u, Ag |
| 白(bai)金靶
(4N) | Pt , Pd |
| 簿(bu)膜电(dian)阻(zu) | 镍合金(3N ) | N 1-C r, N 1-C r-S t, N 1-C r-A l, N i-C u |
| 钽(tan)(3N -(N ) | T a, T a-A I |
| 铬(ge) (3N ) | C r-S t |
| 导(dao)电(dian)膜 | 铟(4N) | In -Sn , InO 2- SnO 2 |
| 表而改(gai)性(xing) | 钛、锆(gao)(3N) | T i, Ti-A l, Zr, C r, V , Hf |
| 光(guang)罩(zhao)层 | (3N) | Cr, Ta |
| 装饰层 | (2N) | N i-T i-A I, Ti-A I-V , C r-M o-N i, Zr, Cr |
| EL 电极(ji) | (4N) | ZnS |
| LCD 电(dian)极(ji) | (3N - 4N ) | Ta |
| 其(qi)它 | 氧(yang)化物(wu)
(3N) | Y-Ba-Cu -0 , B i-S r-Ca -Cu -0 , T i-Ba -
Ca-C u-0 ,…… |
| 石(shi)英(ying)(5N ) | SD 2 |
| 硅 | S1- Y-A I-O -N , SixO v |
| 钛(tai)锆 | T N , T aN |
相(xiang)关(guan)链(lian)接
