近(jin)年来，微电子(zi)技术的日新(xin)月(yue)异(yi)推动了社会智能化(hua)和信息(xi)化的(de)快速发(fa)展。钙钛(tai)矿（ABO 3 ）结构(gou)的铁(tie)电(dian)功(gong)能材料在(zai)动(dong)态随(sui)机(ji)存(cun)储器和光波(bo)导(dao)器件(jian)领域(yu)广(guang)泛应(ying)用(yong)［1］ 。其中(zhong)，钛酸锶(si)钡(bei)（Bax Sr 1-x TiO 3 ，BST）铁(tie)电材(cai)料(liao)是(shi)钛(tai)酸锶和(he)钛(tai)酸(suan)钡的固溶(rong)体(ti)，具有高介电(dian)常数、低(di)损耗(hao)、居里温(wen)度随组(zu)分可(ke)调等显(xian)著(zhu)优(you)点［2-4］ ，薄(bao)膜材料(liao)由于(yu)适(shi)应器件(jian)集成(cheng)化(hua)和小(xiao)型化需求(qiu)，成为研(yan)究热点［5-9］ 。常用(yong)钛(tai) 酸 锶 钡 薄(bao) 膜 制 备(bei) 方 法(fa) 有 射(she) 频(pin) 磁(ci) 控(kong) 溅 射(she)（RF -MS）［10-11］ 、脉(mai)冲(chong)激光(guang)沉(chen)积（PLD） ［12-13］ 、金(jin)属有机物化(hua)学(xue)气(qi)相沉(chen)积(ji)（MOCVD）［14-15］ 、溶胶(jiao)-凝(ning)胶(jiao)（Sol-Gel） ［16-19］ 等。
射(she)频(pin)磁控溅射在靶(ba)材阴(yin)极加载(zai)射(she)频电(dian)压(ya)，等离子(zi)体(ti)区的(de)Ar离子(zi)和电子在(zai)电场(chang)驱动(dong)下向靶面(mian)移动，电(dian)子(zi)质量远小(xiao)于Ar离子，电子(zi)以(yi)很(hen)快速(su)度(du)飞(fei)向靶材快速积(ji)累(lei)，形(xing)成(cheng)负电位(wei)，Ar离(li)子被吸引加(jia)速(su)轰击(ji)靶(ba)材(cai)，溅射发(fa)生，溅(jian)射(she)粒子(zi)在基底(di)沉(chen)积(ji)成(cheng)膜层(ceng)。射频磁控溅(jian)射(she)衬底温(wen)度(du)较(jiao)低(di)、薄膜(mo)结(jie)晶(jing)度(du)高、均(jun)匀(yun)性(xing)好(hao)，易(yi)于(yu)工业(ye)化(hua)生(sheng)产，但(dan)该工(gong)艺参数(shu)众(zhong)多，不同(tong)参数(shu)对薄(bao)膜形(xing)貌影(ying)响(xiang)机理(li)尚(shang)不(bu)明确(que)［20］ 。作者通过工艺(yi)和参(can)数优(you)化，研(yan)究基片(pian)取向、溅射功(gong)率(lv)、基(ji)片(pian)温(wen)度(du)、靶(ba)基距、溅射(she)气(qi)压、气(qi)氛(fen)组(zu)成、溅(jian)射(she)时间(jian)、热处(chu)理温度(du)和(he)时间(jian)参(can)数(shu)对钛(tai)酸锶钡薄膜的表面形貌(mao)及(ji)生长过程影响(xiang)。测试(shi)薄膜(mo)在(zai) 1、10 、 100、1 000kHz频率下的(de)介电(dian)常(chang)数(shu)、介电损耗(hao)；测(ce)试(shi)薄膜在1 kHz频率(lv)下介电(dian)常(chang)数(shu)随(sui)外(wai)加(jia)偏(pian)置电场变化。
1、试(shi) 验(yan)
取不同Ba/Sr比Ba x Sr 1-x TiO 3 靶(ba)材(cai)（x为0.5、0.6、0.7、0.8），尺寸(cun)为ϕ125 mm×8 mm，取(qu)单晶Al 2 O 3 作(zuo)基(ji)片(pian)。基片(pian)用(yong)MVWH5-3045型(xing)超(chao)声清(qing)洗机清(qing)洗(xi)，该(gai)设(she)备可(ke)实现
超(chao)声(sheng)清洗(xi)后(hou)真空(kong)清(qing)洗、干(gan)燥一(yi)体(ti)化，有(you)效(xiao)避(bi)免(mian)清(qing)洗(xi)与干(gan)燥(zao)分(fen)离(li)而(er)引(yin)入(ru)的(de)二(er)次(ci)污染。用(yong)MMLab-Sputt I型(xing)射频磁(ci)控(kong)溅(jian)射(she)离子(zi)镀(du)膜(mo)机(ji)（RF magnetron sputtering）制(zhi)备(bei)BST薄(bao)膜。调节溅射(she)功(gong)率、基(ji)片(pian)温度、靶基(ji)距(ju)、溅(jian)射气压、气(qi)氛组成(cheng)、溅射时(shi)间(jian)等(deng)参(can)数和热处理条件，获得(de)不(bu)同制备(bei)工(gong)艺的(de)薄膜(mo)样(yang)品。用(yong)JEDL JSM-6060型(xing)扫(sao)描电(dian)镜（scanning electron microscope，SEM）对BST薄膜表面形貌(mao)表征(zheng)；用BDX3300多(duo)晶X射(she)线衍(yan)射仪(yi)（X-ray dif⁃fraction，XRD）对(dui) BST 薄膜(mo)的晶(jing)相(xiang)组成表(biao)征。在厚为(wei)0.254 mm 的(de)Al 2 O 3 基片上(shang)，用(yong)直流(liu)磁控(kong)溅射(she)法(fa)制备(bei)出Pt（100 nm）/Ti （60 nm）底(di)电极。用优化(hua)后的(de)射频磁控溅(jian)射工艺(yi)制备(bei)BST薄膜，O 2 气氛(fen)中晶化处理后(hou)在底(di)电(dian)极(ji)垂(chui)直(zhi)方(fang)向(xiang)上(shang)用(yong)蒸发(fa)法制备Pt （300 nm）/Ti （50 nm）上(shang)电极(ji)，得到BST薄(bao)膜(mo)电(dian)容器(qi)结构(gou)，如图(tu)1所(suo)示。测(ce)试薄膜(mo)电(dian)容(rong)器(qi)的介电损(sun)耗(hao)、介电(dian)常数(shu)、偏场(chang)可调(diao)性性能。
2、结果(guo)与讨论
2.1 基片对薄(bao)膜生长过(guo)程的影响
溅射(she)沉(chen)积(ji)的(de)BST薄膜为多(duo)晶(jing)薄(bao)膜(mo)，在(zai)基(ji)底生(sheng)长时遵(zun)从(cong)能(neng)量最低原理(li)，优先(xian)沿(yan)与(yu)基底(di)表面(mian)平行(xing)且表面能最低的方向(xiang)生(sheng)长(zhang)，使基(ji)底取(qu)向性对薄膜的(de)生(sheng)长取(qu)向有(you)一定诱导作用，出现(xian)择(ze)优取向(xiang)。图(tu)2为在(zai)单晶(jing)氧(yang)化(hua)铝基(ji)片(pian)上磁控(kong)溅(jian)射沉积(ji)BST薄(bao)膜的XRD图。可以(yi)看出，两(liang)个试(shi)样对应(ying)晶面谱峰(feng)的(de)相对(dui)强度有明显区别，一(yi)个(ge)最强(qiang)峰(feng)为(wei)（111）面(mian)，一(yi)个为（200）面。对(dui)多(duo)晶薄(bao)膜来(lai)说(shuo)，衍射峰(feng)强(qiang)度(du)反映不同(tong)取(qu)向(xiang)晶粒(li)在薄膜中的比(bi)重，强(qiang)度(du)越(yue)高(gao)，这个取(qu)向的(de)晶粒(li)占(zhan)大(da)多数(shu)，可反映晶(jing)粒择(ze)优取向生(sheng)长(zhang)。图2证(zheng)明(ming)了(le)基(ji)底取向对薄(bao)膜生(sheng)长有明显诱(you)导(dao)作(zuo)用。晶粒(li)尺(chi)寸、晶(jing)界(jie)、晶粒取向决(jue)定晶(jing)体(ti)的(de)畴(chou)结构(gou)，因而影响铁(tie)电(dian)多晶体(ti)电(dian)畴的(de)极(ji)化翻转(zhuan)。可见，通(tong)过基(ji)底(di)诱(you)导BST薄膜(mo)沿某(mou)一方向(xiang)择优生(sheng)长，是(shi)调(diao)节介(jie)电(dian)性能(neng)的方(fang)法(fa)之一，根据不同(tong)应(ying)用(yong)领(ling)域(yu)对介(jie)电常(chang)数(shu)、介电可调(diao)率性(xing)能要(yao)求选择(ze)晶粒择优(you)取向。
基片温(wen)度(du)影(ying)响(xiang)沉(chen)积(ji)粒(li)子(zi)的(de)成核(he)与迁移(yi)过(guo)程，影响薄膜(mo)的(de)结(jie)晶(jing)度(du)、晶(jing)粒尺(chi)寸(cun)、平整(zheng)度等微观形貌，进(jin)而(er)影响薄(bao)膜(mo)的介(jie)电(dian)性能(neng)。作(zuo)者(zhe)尝(chang)试(shi)3种温度(du)，当(dang)基片温度为200 ℃时，如(ru)图(tu)3a所示(shi)。薄(bao)膜(mo)表面(mian)不(bu)平整(zheng)，有(you)附(fu)着的(de)小颗粒出现(xian)，这(zhe)是(shi)因为(wei)基(ji)片(pian)温(wen)度(du)过(guo)低(di)，沉积粒子(zi)在其(qi)上迁(qian)移(yi)不(bu)充(chong)分；当(dang)基(ji)片温(wen)度为(wei)300 ℃时(shi)（图(tu)3b），能获(huo)得致密平(ping)整(zheng)的薄(bao)膜；当(dang)基(ji)片温度为(wei)400 ℃时(shi)（图3c），薄膜表面(mian)出(chu)现孔(kong)洞，这(zhe)是因(yin)为(wei)基片(pian)温度(du)过高导(dao)致晶(jing)粒(li)生长不均(jun)匀(yun)，有(you)些(xie)晶(jing)粒异常长大。
2.2 溅(jian)射(she)参(can)数(shu)对薄膜形(xing)貌的影响(xiang)
溅射参(can)数主要(yao)包括(kuo)溅(jian)射功率(lv)、靶(ba)基(ji)距(ju)、溅射气压、气(qi)氛组(zu)成(cheng)、溅射时(shi)间(jian)等(deng)。溅射功(gong)率(lv)影响成膜(mo)速(su)率，溅射功(gong)率(lv)过(guo)小(xiao)则(ze)成膜(mo)速(su)率太慢(man)。功率(lv)过大(da)时(shi)，溅射(she)粒(li)子(zi)的(de)初(chu)始(shi)动(dong)量(liang)过(guo)大，到达基片(pian)表(biao)面后(hou)，在(zai)迁移成(cheng)核的同(tong)时(shi)，剩余(yu)的(de)动(dong)量对已沉积在(zai)基(ji)片上(shang)的(de)粒(li)子(zi)有轰(hong)击作(zuo)用，粒(li)子被轰击(ji)离(li)开基(ji)片(pian)表面后在薄(bao)膜表面(mian)留下(xia)孔(kong)洞，如(ru)图(tu)4a所(suo)示(shi)。当溅射(she)功率(lv)增大(da)到(dao)400 W时(shi)，薄膜表面(mian)出现明(ming)显(xian)的(de)孔洞(dong)，放大孔洞(dong)后能看到(dao)有(you)些(xie)晶(jing)粒(li)异(yi)常长大(da)成棒(bang)状（图4b）。本文(wen)溅射(she)功(gong)率(lv)在300~320 W调(diao)节时(shi)，粒子能获(huo)得合适动量而(er)稳定(ding)沉积在(zai)氧化铝(lv)基(ji)片成(cheng)膜，生成的BST薄膜(mo)结(jie)构较(jiao)致(zhi)密(mi)，晶(jing)粒生(sheng)长较(jiao)均匀，晶粒(li)尺(chi)寸分布较好。
靶(ba)基(ji)距是指靶(ba)材(cai)到基底的(de)距离，代(dai)表(biao)了溅射(she)离子迁移的(de)自(zi)由程。结果(guo)显示，靶基(ji)距(ju)为300 mm时(shi)，单(dan)独提(ti)高溅射(she)功率(lv)从(cong)300 W到400 W，或延(yan)长溅射时间从(cong)2h到6 h，薄膜厚度增加(jia)不(bu)明(ming)显。这(zhe)可(ke)能与设(she)备腔体结(jie)构(gou)及所(suo)用BST靶材(cai)的(de)性(xing)质(zhi)有关。为方(fang)便(bian)调(diao)整靶基(ji)距(ju)，对(dui)基座进行(xing)改造，当靶(ba)基距减小(xiao)到40 mm时(shi)，成(cheng)膜(mo)速(su)率(lv)显著(zhu)增加，但(dan)由于靶中心(xin)和(he)边缘溅射出的(de)离子(zi)速率不(bu)同(tong)，离子又无足够的(de)行程(cheng)进(jin)行碰撞和能(neng)量(liang)均匀(yun)化，制备的薄膜不够均一、平整(zheng)，不(bu)致密，存(cun)在孔洞，如图 5所(suo)示(shi)。经(jing)优(you)化(hua)，靶(ba)基距为(wei)100 mm时，可同(tong)时兼顾沉积(ji)速
率(lv)和薄(bao)膜质(zhi)量(liang)。
溅射气压(ya)体现气(qi)体分子(zi)在(zai)溅射(she)腔体内的(de)数量和(he)浓(nong)度，因(yin)此(ci)直接影(ying)响其(qi)与(yu)溅(jian)射产物的(de)碰撞频(pin)率(lv)，也(ye)就影(ying)响溅射产物(wu)在(zai)腔体中运动的平均自由程，因而直接影(ying)响溅射产(chan)物(wu)在基片上的能量(liang)及粒(li)子沉积(ji)速率。溅(jian)射(she)气压(ya)选(xuan)取0.5、0.6、0.8、0.9、1.0 Pa进行测(ce)试(shi)。发现溅(jian)射气压(ya)过(guo)大(da)或(huo)过(guo)小(xiao)，获(huo)得(de)的薄膜致密度和(he)均(jun)一性都较(jiao)差(cha)。溅(jian)射气(qi)压(ya)过大(da)，轰(hong)击靶材的(de)等(deng)离子体(ti)数(shu)量(liang)显(xian)著(zhu)增(zeng)多，靶材表面溅射出(chu)更多(duo)的原子(zi)，但同(tong)时(shi)溅(jian)射原子在往基底(di)迁(qian)移和(he)沉积途(tu)中也受到更(geng)多等离子(zi)体(ti)的(de)撞击，影(ying)响(xiang)沉积(ji)粒(li)子(zi)的(de)迁(qian)移(yi)。溅射气(qi)压过(guo)低(di)，轰击靶(ba)材(cai)的等离子(zi)体密度(du)小(xiao)，溅(jian)射出(chu)的(de)原(yuan)子数目少(shao)，影(ying)响(xiang)最终成(cheng)膜的致密(mi)度。
结(jie)果(guo)表明，溅射(she)气(qi)压为(wei)0.8 Pa时(shi)制(zhi)备(bei)的(de)薄(bao)膜致(zhi)密性和(he)均匀性(xing)较(jiao)好(hao)。
用(yong)氧(yang)化物靶(ba)材溅射(she)制备(bei)薄膜(mo)，须提(ti)供充(chong)足的氧分(fen)压(ya)，以(yi)抑制薄膜在(zai)成核(he)和生(sheng)长过(guo)程中氧空(kong)位(wei)产生(sheng)，同(tong)时(shi)改(gai)善晶(jing)粒生长均(jun)匀(yun)性，提高薄(bao)膜(mo)结(jie)晶程度(du)。固定溅(jian)射(she)气(qi)压(ya)为0.8 Pa，由(you)于气(qi)压恒定(ding)，溅(jian)射粒(li)子与腔(qiang)体内气(qi)体(ti)分子发生碰撞的概率不变，理(li)论上(shang)溅(jian)射(she)粒(li)子抵(di)达(da)基片经(jing)过(guo)的(de)平均自由(you)程不(bu)变。氧(yang)分压过高时(shi)氩分压必然(ran)相(xiang)对(dui)较低(di)，造成起(qi)辉(hui)较困(kun)难(nan)。同(tong)时，减(jian)小氩含量意(yi)味着降低等离(li)子体(ti)浓(nong)度(du)，减(jian)小(xiao)等(deng)离(li)子(zi)体轰击(ji)靶材生(sheng)成(cheng)溅(jian)射粒子(zi)速率，不仅降低(di)成(cheng)膜速(su)率也影响(xiang)溅射粒子(zi)沉(chen)积(ji)和(he)结晶过(guo)程，进而影(ying)响(xiang)薄膜(mo)微(wei)观结构(gou)。尝(chang)试氩(ya)氧比为8∶1、
5∶1、3∶1，结(jie)果(guo)表(biao)明(ming)，氩氧(yang)比(bi)为(wei)5∶1时制(zhi)备(bei)的(de)薄膜(mo)表(biao)面(mian)平(ping)整、结构(gou)致(zhi)密(mi)，后期(qi)测试(shi)呈较好(hao)的(de)介电(dian)性(xing)能(neng)。
薄(bao)膜(mo)厚(hou)度与溅(jian)射(she)时间存在(zai)指数(shu)关系：
d = Aexp(tB) + D 。 （1）
式(shi)中：d为薄(bao)膜(mo)厚度(du)，nm；t为(wei)溅(jian)射(she)时(shi)间(jian)，min；A、B、D为归(gui)一(yi)化常数。只有(you)在溅射功(gong)率、靶基距等(deng)参(can)数合适(shi)的(de)前提(ti)下(xia)，该(gai)公式才成立(li)。在其他参数选定后(hou)，调整溅(jian)射(she)时间，可(ke)获(huo)得不同厚度(du)的(de)BST薄膜。尝试溅(jian)射(she)时(shi)间(jian)1~6 h，发现溅(jian)射(she)时(shi)间(jian)低于2 h，薄膜(mo)厚(hou)度较(jiao)薄(bao)，XRD测(ce)试(shi)探(tan)测到(dao)Al 2 O 3 基(ji)底(di)的(de)衍(yan)射(she)峰；溅(jian)射(she)时(shi)间长(zhang)至(zhi)6 h，得(de)到(dao)的(de)膜层(ceng)厚(hou)度约为(wei)1.2 μm，但与(yu)基(ji)底剥离(li)（图(tu)6a），不(bu)满足(zu)应用要(yao)求(qiu)。溅射(she)时(shi)间(jian)控(kong)制在(zai)2~4 h，得(de)到(dao)的薄(bao)膜厚(hou)度(du)在0.8~1.0 μm，未(wei)出现与(yu)基底(di)剥离(li)现(xian)象（图6b）。
2.3 退(tui)火(huo)条件(jian)对(dui)薄膜结(jie)晶(jing)程度的(de)影响
射频溅射制备(bei)的BST薄(bao)膜(mo)需通(tong)过热处理提(ti)高薄(bao)膜(mo)结(jie)晶(jing)度(du)，减小薄膜(mo)内应力。图7为(wei)不(bu)同退火温(wen)度(du)得到样品的(de)XRD图(tu)。可知(zhi)，退火(huo)温度为(wei)450 ℃时(shi)，未(wei)出现(xian)晶(jing)体对(dui)应的(de)衍(yan)射(she)峰，薄膜(mo)仍为(wei)非(fei)晶态。当(dang)温度升高到(dao)500 ℃时(shi)，晶(jing)体(ti)（110）面对(dui)应(ying)的衍射峰开(kai)始(shi)出现，薄(bao)膜(mo)开(kai)始(shi)晶(jing)化。温度(du)提高(gao)到550 ℃时(shi)，晶体(ti)（100）、（220）面(mian)对应(ying)的(de)衍(yan)射(she)峰也开(kai)始(shi)出(chu)现。当温度达(da) 600 ℃时(shi)，（100）、（110）、（111）、（200）、（220）对应(ying)晶面(mian)的(de)衍射峰狭窄而(er)尖锐(rui)，薄膜(mo)完全晶(jing)化(hua)，SEM结果(guo)显(xian)示(shi)，薄膜(mo)结(jie)构(gou)致(zhi)密、晶(jing)粒大小(xiao)均(jun)匀。当温(wen)度(du)继续升(sheng)高造(zao)成晶粒(li)的异常长(zhang)大(da)，甚(shen)至(zhi)析出第(di)二(er)相(xiang)。
退火过(guo)程(cheng)是(shi)非(fei)晶态向(xiang)晶(jing)态转(zhuan)化(hua)和晶(jing)粒(li)长(zhang)大(da)的(de)过(guo)程，除(chu)退(tui)火(huo)温度(du)外，退(tui)火时间也十(shi)分(fen)关(guan)键，时间过短，不能(neng)实现完(wan)全晶(jing)化；时(shi)间(jian)过(guo)长(zhang)，晶(jing)粒明(ming)显(xian)长大。当(dang)保温时间为10 min时，BST晶(jing)化(hua)过(guo)程不完(wan)全(quan)，如(ru)图8a所示。而(er)时(shi)间延(yan)长到(dao)50 min，出(chu)现一(yi)些异常长(zhang)大(da)的(de)晶粒，同(tong)时由于(yu)膜(mo)层(ceng)中内(nei)应(ying)力(li)过大，造(zao)成膜层从(cong)基片剥(bo)落（图8c）。
经(jing)优化(hua)，保温时间(jian)为 30 min，获得的(de)薄(bao)膜形貌最好（图(tu)8b）。
2.4 BST薄膜(mo)的介电(dian)性(xing)能(neng)
表(biao)1为不同(tong)测(ce)试频(pin)率下BST薄(bao)膜的(de)介电(dian)常数(shu)、介(jie)电损耗。可以看(kan)出，介电常数(shu)随(sui)测试(shi)频率升(sheng)高略有(you)下降(jiang)，介电(dian)损(sun)耗(hao)随(sui)测试(shi)频(pin)率(lv)升高(gao)明显(xian)增大(da)。在交(jiao)变电(dian)场(chang)作用下(xia)，BST铁电薄膜的(de)极(ji)化(hua)弛豫(yu)时间(jian)不(bu)同，低(di)频下，电子(zi)、离子(zi)、偶极子极(ji)化的响应(ying)时间都(dou)能跟(gen)上电场(chang)的(de)频(pin)率(lv)，而当(dang)频率接近1 000 kHz并(bing)继续(xu)增大时，偶极子(zi)取向(xiang)极化(hua)逐(zhu)渐来不(bu)及(ji)响(xiang)应(ying)，对介电常数的贡献(xian)变(bian)弱，因(yin)此(ci)介电(dian)常数(shu)降低。介(jie)电(dian)损(sun)耗是由(you)介(jie)质电(dian)导(dao)和(he)弛(chi)豫(yu)极化(hua)引起的电导(dao)造(zao)成损耗不(bu)随(sui)频(pin)率(lv)变化(hua)，某些极化由(you)于频(pin)率升高难(nan)以形成而(er)变(bian)成(cheng)松(song)弛极(ji)化(hua)，极(ji)化(hua)反转克(ke)服空(kong)间势垒需要(yao)的能量增(zeng)大(da)，表(biao)现(xian)为随(sui)频(pin)率(lv)升(sheng)高介(jie)电(dian)损耗增(zeng)大。图9为(wei)室温(wen)下(xia)1 kHz时BST薄膜(mo)的(de)介电(dian)常(chang)数(shu)随外(wai)加(jia)偏(pian)置电(dian)场的(de)变(bian)化(hua)曲线(xian)。可以看(kan)出(chu)，BST铁电薄膜(mo)展现(xian)出(chu)较好的(de)偏(pian)场(chang)可(ke)调(diao)特性(xing)。
3、结 论(lun)
1）单(dan)晶氧化(hua)铝(lv)基片的晶体(ti)取向(xiang)可诱(you)导(dao)BST薄膜择(ze)优(you)生(sheng)长；溅(jian)射(she)功率(lv)在300~320 W时，沉积(ji)速(su)率适中，薄(bao)膜致密性(xing)好；基片(pian)温度(du)设为(wei)300 ℃，能(neng)获(huo)得致密(mi)平(ping)整薄膜(mo)；靶基(ji)距(ju)为(wei)100 mm时(shi)，形成的膜(mo)层气(qi)孔(kong)少；溅射气压为0.8 Pa时制备(bei)的(de)薄膜(mo)致(zhi)密性(xing)和(he)均匀(yun)性(xing)较好；氩氧(yang)比为(wei)5 ∶ 1时晶(jing)粒生长均匀，薄(bao)膜结晶(jing)程(cheng)度(du)提高；溅射时(shi)间(jian)控制在(zai)2~4 h，得到的薄(bao)膜(mo)厚(hou)度为0.8~1.0 μm；600 ℃热处理30 min，BST薄(bao)膜(mo)完全(quan)晶化(hua)为(wei)结(jie)构(gou)致(zhi)密(mi)的(de)纳(na)米(mi)晶薄膜(mo)。
2）BST薄膜介(jie)电常数(shu)随(sui)测试(shi)频(pin)率升高略(lve)下(xia)降，介(jie)电损(sun)耗(hao)随测试频率(lv)升高明显(xian)增(zeng)大(da)，介电常数随外加(jia)偏置(zhi)电场(chang)变(bian)化(hua)展现了较(jiao)好(hao)的偏场(chang)可调特(te)性(xing)。
4、 参(can)考(kao)文(wen)献(xian)
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相(xiang)关链(lian)接
