铬靶材在(zai)微电(dian)子(zi)领(ling)域的(de)应(ying)用(yong)特点

铬靶(ba)材(cai)料的(de)技术(shu)发(fa)展趋(qu)势(shi)与(yu)下游应(ying)用行(xing)业薄(bao)膜(mo)技(ji)术(shu)的发展趋(qu)势(shi)密(mi)切(qie)相(xiang)关(guan)。 随(sui)着应(ying)用行(xing)业(ye)中(zhong)薄膜(mo)产品(pin)或(huo)组件技术的(de)进步(bu)，铬(ge)靶(ba)目(mu)标技(ji)术(shu)也(ye)应(ying)随之改变。

微电子(zi)领(ling)域：在所有应用(yong)行业中(zhong)，半导体行(xing)业(ye)对目标溅射膜(mo)铬靶(ba)的质(zhi)量要求(qiu)较(jiao)为严(yan)格。 现(xian)在，已(yi)经制(zhi)造出(chu)12英(ying)寸(cun)（300插(cha)槽(cao)）的硅(gui)晶片。 但(dan)是(shi)，互连(lian)线的(de)宽(kuan)度正在减小。铬靶价格、铬(ge)靶批发(fa)制造(zao)商对铬靶的(de)要求是大尺寸(cun)，高纯(chun)度，低(di)偏(pian)析(xi)和(he)细晶粒，这(zhe)要(yao)求(qiu)所(suo)制造(zao)的(de)铬靶(ba)具(ju)有更(geng)好(hao)的微观(guan)结构(gou)。 铬(ge)靶(ba)的(de)结(jie)晶(jing)粒(li)径(jing)和均(jun)匀(yun)性被(bei)认(ren)为是影(ying)响膜沉(chen)积速率(lv)的关(guan)键(jian)因(yin)素。 

另外(wai)，薄(bao)膜的纯(chun)度(du)与(yu)靶(ba)材(cai)的(de)纯(chun)度有(you)很(hen)大(da)的关(guan)系(xi)。 

过去，纯度为(wei)99.995％（4N5）的(de)铜靶材(cai)可(ke)以(yi)满足铬(ge)靶(ba)价格、铬靶(ba)批发制造(zao)商(shang)对(dui)0.35pm工(gong)艺(yi)的(de)需求，但不能(neng)满足当(dang)前(qian)0.25um工艺(yi)要(yao)求。 对(dui)于(yu)0.18um技术甚至0.13m工(gong)艺(yi)，要求(qiu)的目(mu)标(biao)纯(chun)度(du)须(xu)达到(dao)5甚(shen)至6N或(huo)更高。 与铝相(xiang)比(bi)，铜(tong)具(ju)有(you)更(geng)高的耐电(dian)迁(qian)移(yi)性和(he)较(jiao)低的(de)电阻(zu)率。

铬靶(ba)导体技术(shu)需(xu)要低于(yu)0.25um的亚微米布线，但带(dai)来(lai)了(le)其他问题(ti)：铜与有机介电材(cai)料之间(jian)的粘(zhan)合(he)强(qiang)度低(di)。 而(er)且它(ta)很(hen)容易反应(ying)，导致(zhi)芯片的(de)铜(tong)互(hu)连(lian)在使用(yong)过(guo)程(cheng)中被(bei)腐蚀和(he)断(duan)开。 为(wei)了(le)解(jie)决(jue)这(zhe)些(xie)问题，需(xu)要(yao)在(zai)铜和(he)电(dian)介(jie)质(zhi)层之(zhi)间设(she)置阻挡(dang)层(ceng)。 阻(zu)挡(dang)层材料通常(chang)使(shi)用(yong)具有(you)高(gao)熔点(dian)和高(gao)电阻率的(de)金属及(ji)其化合(he)物(wu)。

铬(ge)靶材生(sheng)产厂家(jia)-凯(kai)泽(ze)金(jin)属告(gao)诉你，势垒(lei)层(ceng)的(de)厚(hou)度要求小于50nm，并(bing)且对铜(tong)和(he)电(dian)介(jie)质材(cai)料的(de)粘附(fu)性(xing)能良(liang)好(hao)。 铜(tong)互连(lian)和(he)铝互(hu)连的(de)阻(zu)挡层材料不同。 需(xu)要开发(fa)新的(de)目标(biao)材料(liao)。 铜互(hu)连(lian)阻(zu)挡层的目标(biao)材料包括(kuo)Ta，W，TaSi，WSi等。但是(shi)Ta和W都(dou)是(shi)难熔(rong)金(jin)属(shu)。 生产(chan)相(xiang)对(dui)困(kun)难。 如(ru)今(jin)，正在研究(jiu)钼(mu)，铬靶(ba)等作(zuo)为(wei)替代(dai)材料(liao)。

相(xiang)关(guan)链接