在(zai)微电子半导体集(ji)成(cheng)电路(lu),薄膜混(hun)合集成(cheng)电路, 片式(shi)元器件,特(te)别(bie)是光盘(pan)、磁(ci)盘及(ji)液晶(jing)平(ping)面显(xian)示器 LCD等(deng)技(ji)术领(ling)域 需(xu)使用(yong)各(ge)种性能各异(yi),要求(qiu)不同的溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai),例(li)如各(ge)种光碟、液(ye)晶显示器(qi)LCD及LSI等的产品(pin)数(shu)量(liang)已十分巨(ju)大,仅(jin)以我国台(tai)湾(wan)为例, 其CD -R 在1999年(nian)就(jiu)生(sheng)产约(yue)17.7亿(yi)片,2000年的(de)产量将达到(dao)47亿(yi)片(pian),CD-RW片2000年将(jiang)达(da)到18 亿片(pian),DV用(yong)碟片(pian)2000年也(ye)将超过(guo)1亿(yi)片(pian),TFTLCD的产(chan)值(zhi)20 00 年(nian)预计将达到900亿(yi)台(tai)币。 在这些电(dian)子产品(pin)生(sheng)产(chan)过程中(zhong),均(jun)须采(cai)用(yong)多种(zhong)溅射(she)技术(shu),溅(jian)射单层或多(duo)层(ceng)各(ge)种(zhong)不同材质的金(jin)属(shu)、半(ban)导(dao)体或(huo)非金(jin)属薄(bao)膜,以(yi)达(da)到产(chan)品的功(gong)能要求(qiu) 本(ben)文(wen)对(dui)靶(ba)材的制备工(gong)艺(yi)特(te)性(xing)及(ji)其(qi)在资讯(xun)产业方(fang)面(mian)的(de)应(ying)用作(zuo)一(yi)简要介(jie)绍,供广大(da)学习(xi)交(jiao)流(liu)。

靶材的(de)种(zhong)类(lei)与应(ying)用
靶材的(de)种(zhong)类(lei)按其(qi)组(zu)成可(ke)分(fen)为纯(chun)金(jin)属、合金(jin)和(he)化合物靶材(cai)三大(da)类(lei)。表1 示(shi)出了(le)靶材材(cai)质(zhi)的(de)种(zhong)类(lei),这些不(bu)同性质(zhi)的靶材在(zai)各种(zhong)产(chan)业(ye)上的应(ying)用(yong)情况,归(gui)结(jie)起(qi)来如(ru)表(biao)2所示(shi)。
表(biao)1 靶(ba)材(cai)种(zhong)类(lei)
| 分(fen)类(lei) | 组(zu)成(cheng) |
| 纯金属 | Al, Au, Cr , Co, Ni, Cu, Mo, Ti, Ta…… |
| 合金(jin) | Ni-Cr , Co-Ni, Co-Cr , Tb -Fe-Co, Gd-Fe-Co, M o-W , Cr -Si·-- |
| 化合物(wu) | 氧(yang)化物,硅(gui)化(hua)物, 碳化(hua)物(wu),硫(liu)化物… |
表(biao)2 溅射靶(ba)材在各(ge)种(zhong)产业(ye)的应用(yong)
| 领(ling)域 | 使(shi)用靶材(cai) |
| 微电子(zi) | 铝(lv)合金(jin)
(4N - 6N) | A I, A I- Si, A I-C u, A I- T i, A I- Si-C u, A !-S i-Pd, A 1- S i- T i, |
| 硅(gui)化(hua)物(5N ) | M o-S i,W -S i, Ti-Si, |
| 金(jin)(SN ) | A u, A u , A u- Sn, A u -Ge |
| 镍(nie)(4N ) | Ni Ni-Cr |
| 高熔点(dian)金(jin)属
(3N -6N) | M o-W , T i-W |
| 硅 | 加(jia)p 硅,加(jia)N 硅 |
| 铭(ming)(3N) | C r, C r-S i |
| 钜 (3N - ('N ) | Ta |
| 铜(tong)(4N-('N ) | C u |
| 钛(tai)(4N -5N ) | Ti |
| 磁记录(lu) | 钻(3N ) | Co-N t, Co-N 1-C r, Co-C r-T a, Co-C 广(guang)
P t, Co-C r |
| 镍 | Ni-Fe |
| 铁(tie)合金(jin) | Fe-Co Fe-,S -A I Fe-Ga-St |
| 铬(ge)(3N -4N ) | Cr |
| 光碟 | 啼 硒(xi)(4N ) | T e, Se, T b- Fe-Co, Dy -T b- Fe-Cb,
N d-D y- Fb-Co, Gd-T b-Fe -Co, D y- Fe- Co |
| 稀土(tu)-迁(qian)移
金属(shu)(3N ) | T b-Fe, T b-Fe-Co, D y-T b-Fe -Co, Dy-
Fe-Co, N ct-D y-Fb-Co Gd-T b-Fe-Co,
D v-Fe七o |
| 贵(gui)金属(shu) | 金银
(4N -5N ) | A u, Ag |
| 白(bai)金靶(ba)
(4N) | Pt , Pd |
| 簿膜电(dian)阻 | 镍(nie)合金(jin)(3N ) | N 1-C r, N 1-C r-S t, N 1-C r-A l, N i-C u |
| 钽(tan)(3N -(N ) | T a, T a-A I |
| 铬(ge) (3N ) | C r-S t |
| 导(dao)电(dian)膜(mo) | 铟(yin)(4N) | In -Sn , InO 2- SnO 2 |
| 表(biao)而改(gai)性 | 钛、锆(gao)(3N) | T i, Ti-A l, Zr, C r, V , Hf |
| 光(guang)罩(zhao)层 | (3N) | Cr, Ta |
| 装饰(shi)层 | (2N) | N i-T i-A I, Ti-A I-V , C r-M o-N i, Zr, Cr |
| EL 电(dian)极 | (4N) | ZnS |
| LCD 电极(ji) | (3N - 4N ) | Ta |
| 其它 | 氧(yang)化物
(3N) | Y-Ba-Cu -0 , B i-S r-Ca -Cu -0 , T i-Ba -
Ca-C u-0 ,…… |
| 石(shi)英(ying)(5N ) | SD 2 |
| 硅 | S1- Y-A I-O -N , SixO v |
| 钛锆(gao) | T N , T aN |
相关链(lian)接(jie)