集(ji)成(cheng)电(dian)路液晶显(xian)示屏激光(guang)存(cun)储器等领域(yu)用溅(jian)射(she)高(gao)纯靶材(cai)的(de)性能(neng)要求(qiu)

钛(tai)靶(ba)材用(yong)量(liang)较(jiao)大(da)的(de)行业主(zhu)要有半导体(ti)集(ji)成电(dian)路(lu)、平板显(xian)示器(qi)、太(tai)阳能电(dian)池、磁(ci)记(ji)录介质(zhi)、光学(xue)器(qi)件等(deng)(这些就是(shi)按(an)应(ying)用分(fen)类的)，其中，高纯度(du)溅射(she)钛(tai)靶(ba)材主(zhu)要用(yong)于(yu)对材(cai)料(liao)纯(chun)度(du)、稳(wen)定(ding)性要求(qiu)更高的领(ling)域，如半导(dao)体、平板显(xian)示(shi)器(qi)、太阳(yang)能电池、磁记录介(jie)质等。

在所(suo)有(you)应(ying)用(yong)中，半导体对(dui)溅(jian)射靶(ba)材(cai)的技(ji)术要求(qiu)和纯度(du)最(zui)高，价(jia)格也最(zui)为昂贵(gui)，这(zhe)方(fang)面的(de)要求明(ming)显(xian)高于(yu)平(ping)面(mian)显示(shi)器、太阳能(neng)电(dian)池等其他(ta)应(ying)用(yong)领域(yu)，半(ban)导体(ti)芯片对溅射钛靶(ba)材(cai)的(de)金属(shu)材料(liao)纯度、内部(bu)微(wei)观结(jie)构(gou)等(deng)方面都(dou)设定(ding)了(le)极(ji)其苛刻(ke)的(de)标准，若(ruo)溅射靶材的(de)杂(za)质(zhi)含量(liang)过(guo)高，形成的薄膜(mo)就无(wu)法(fa)达到使(shi)用所(suo)要求的电(dian)性能(neng)，且在溅射过(guo)程中易在晶(jing)圆(yuan)上形成(cheng)微粒(li)，导致电路短路或损坏，将(jiang)严重影响薄(bao)膜(mo)的(de)性(xing)能。

芯片制造对(dui)溅(jian)射(she)靶(ba)材金属纯(chun)度(du)的(de)要求(qiu)最(zui)高，通常(chang)要(yao)达(da)到99.9995%以(yi)上，而平板(ban)显示器(qi)、太(tai)阳能(neng)电池(chi)分别(bie)要求达(da)到(dao) 99.999%、99.995%以上即可。

除(chu)了(le)纯(chun)度(du)之外，芯(xin)片对(dui)溅(jian)射(she)靶材(cai)内(nei)部微观(guan)结(jie)构等也(ye)设定了极(ji)其苛(ke)刻(ke)的(de)标(biao)准(zhun)。需要掌握生(sheng)产(chan)过(guo)程中的关键技术，并(bing)经过(guo)长(zhang)期(qi)实践(jian)才(cai)能制(zhi)成符合工(gong)艺要(yao)求的(de)产品(pin)。

超(chao)高纯度(du)金(jin)属(shu)及(ji)溅(jian)射(she)靶(ba)材是(shi)电子(zi)材(cai)料的(de)重(zhong)要组成(cheng)部分，溅(jian)射(she)靶材(cai)产业链(lian)主(zhu)要包括金属(shu)提(ti)纯(chun)、靶材(cai)制(zhi)造(zao)、溅射镀(du)膜和(he)终(zhong)端(duan)应(ying)用(yong)等环(huan)节。其(qi)中(zhong)，靶(ba)材制(zhi)造(zao)和溅射镀膜(mo)环(huan)节(jie)是(shi)整(zheng)个(ge)溅(jian)射靶(ba)材(cai)产(chan)业(ye)链(lian)中的(de)关键环(huan)节。

相(xiang)关(guan)链(lian)接(jie)