磁(ci)控溅(jian)射镀膜(mo)以其高(gao)速(su)、低温、低(di)损(sun)伤等特(te)点，可被用于(yu)溅(jian)射(she)半导(dao)体(ti)、金属、绝缘体(ti)等(deng)几(ji)乎任何(he)材料(liao)。因(yin)其(qi)具(ju)有制备简(jian)单(dan)、附着力(li)强、镀膜面(mian)积大及易(yi)于(yu)控(kong)制等(deng)优(you)点，广泛(fan)应(ying)用于电(dian)子行业、信息(xi)存储(chu)产业(ye)及其他(ta)领(ling)域，如(ru)激(ji)光存(cun)储器、集成(cheng)电(dian)路(lu)、信息存储、薄(bao)膜(mo)电阻、电子控(kong)制器(qi)件(jian)、磁记录、玻(bo)璃镀膜、表面(mian)工(gong)程(cheng)及(ji)高(gao)档(dang)装饰(shi)等问(wen)。磁(ci)控(kong)溅(jian)射高纯铬(ge)靶材是近年(nian)来(lai)新(xin)研(yan)制(zhi)和开(kai)发(fa)的(de)一种(zhong)靶材(cai)，保守估(gu)计(ji)年(nian)需(xu)求量(liang)40-50t,市场规(gui)模仍在(zai)不(bu)断扩大。因而针(zhen)对市(shi)场(chang)大(da)量需(xu)求，选择合理(li)的(de)制备(bei)方法，有(you)效(xiao)控制批(pi)产成(cheng)本(ben)，制(zhi)备高品(pin)质(zhi)的(de)铬靶材就(jiu)显(xian)得尤为重要。
1、高(gao)纯(chun)铬溅射(she)靶材(cai)的(de)制(zhi)备(bei)方法(fa)
目(mu)前(qian)制备铬靶材方(fang)法(fa)主要(yao)有(you)熔炼铸锭(ding)法和(he)粉末(mo)冶(ye)金法(fa)，二(er)者(zhe)各有(you)优(you)缺(que)点。
1.1熔炼铸(zhu)锭法(fa)
熔(rong)炼(lian)铸(zhu)锭(ding)法(fa)是制(zhi)备铬(ge)溅射靶材(cai)的主要方(fang)法(fa)之(zhi)一，通过(guo)该(gai)方(fang)法可获(huo)得(de)较高(gao)纯度、高(gao)度(du)致密性(xing)的靶(ba)材。图1所(suo)示(shi)为(wei)熔炼(lian)铸锭(ding)法制备铬(ge)溅射(she)靶(ba)材(cai)的(de)工艺流(liu)程(cheng)示(shi)意(yi)图(tu)。首(shou)先(xian)将(jiang)铬棒(bang)通(tong)过(guo)单(dan)联或(huo)双联(电(dian)弧熔炼(lian)、真(zhen)空(kong)感(gan)应熔炼、电渣(zha)重熔(rong))工艺进(jin)行(xing)熔炼，然后(hou)将得到(dao)的纯度较(jiao)高(gao)的(de)铸(zhu)锭或坯(pi)料(liao)进(jin)行(xing)热锻(duan)、退火、轧(ya)制(zhi)、成(cheng)品退(tui)火(huo)等二次(ci)加工，最(zui)后(hou)精(jing)加(jia)工成(cheng)所(suo)需靶(ba)材。
熔炼锭或(huo)坯料(liao)晶(jing)粒(li)粗大,热锻(duan)可改善铸(zhu)造(zao)组织(zhi)，使(shi)气(qi)孔(kong)或偏(pian)析扩(kuo)散(san)、消(xiao)失(shi)，再通过(guo)再结晶退火，可以得到(dao)100pm以(yi)下的(de)晶粒(li)。
贾(jia)国斌等人通过多年的技(ji)术(shu)积累(lei)和不断的科(ke)研创新，自(zi)主(zhu)研制(zhi)出第一台大型高(gao)效电(dian)子(zi)束(shu)冷床(chuang)熔(rong)炼(lian)炉(lu)，并成功(gong)生产出高(gao)质(zhi)量(liang)的铬棒(bang)和(he)钛(tai)棒(bang)，尺寸为0300mmxl500mm,该(gai)技术解(jie)决(jue)了(le)难熔金属(shu)熔炼铸(zhu)锭(ding)行业的(de)难(nan)题。
熔炼铸(zhu)锭法是制(zhi)备铬靶(ba)材的(de)基(ji)本(ben)方(fang)法之一，制(zhi)备的靶材(cai)组(zu)织(zhi)致密、性(xing)能优异，但(dan)受(shou)制于成型(xing)方法不可避免会出现(xian)成(cheng)分(fen)偏析、晶粒尺寸和织(zhi)构均匀性(xing)较(jiao)难控(kong)制(zhi)、工序繁杂(za)等缺(que)点(dian)。
1.2粉末冶(ye)金法(fa)
粉(fen)末(mo)冶(ye)金法(fa)制备铬(ge)溅(jian)射(she)靶材(cai)的具(ju)体工艺主(zhu)要有无压(ya)烧(shao)结、热压(ya)(HP)、热(re)等(deng)静(jing)压(HIP)等。无(wu)压(ya)烧结方(fang)法(fa)的(de)优势在于(yu)工(gong)序简(jian)单、可以制(zhi)备致(zhi)密度(du)要求(qiu)不(bu)高的(de)大尺寸靶(ba)材(cai)；但(dan)受(shou)限(xian)于(yu)方(fang)法(fa)本身(shen)，产品(pin)致(zhi)密(mi)度(du)不高(gao)。如(ru)果(guo)产品致(zhi)密(mi)度要(yao)求较(jiao)高，可将(jiang)无(wu)压烧(shao)结(jie)与(yu)轧制(zhi)结合起来(lai)。热压法是制备纯铬(ge)靶(ba)材常用的(de)方(fang)法(fa)，由(you)于粉(fen)末或压坯只(zhi)是单向(xiang)加(jia)压(ya)，靶(ba)材不(bu)能完全致(zhi)密(mi)且存在密度(du)梯度(du)；该方法(fa)的优点(dian)在于(yu)工(gong)艺简单(dan)、成(cheng)本较(jiao)低，但只(zhi)能(neng)制备(bei)较小(xiao)尺(chi)寸(cun)靶材，生(sheng)产效(xiao)率(lv)较低。
张(zhang)新房(fang)间研(yan)究(jiu)了不(bu)同(tong)加工(gong)方(fang)法下(xia)溅(jian)射(she)铮(zheng)靶材的(de)密度，结果(guo)表明(ming)采用模(mo)压(ya)+烧(shao)结或冷(leng)等(deng)静(jing)压(ya)+烧(shao)结(jie)的(de)方(fang)法(fa)均可(ke)制(zhi)备(bei)Cr管(guan)靶材(cai)，两(liang)种(zhong)方法制(zhi)备(bei)的(de)管(guan)靶尺寸相当，其外径(jing)×内(nei)径×高为φ56.0mm×045.9mm×38.0mm,冷等(deng)静(jing)压+烧(shao)结的(de)方法在密度(du)和(he)纯(chun)度性(xing)能(neng)方面(mian)略优于模压+烧(shao)结，其(qi)最(zui)大密度为5.928×103kg/m3，最大(da)纯(chun)度(du)为82.3%；采用热压(ya)方(fang)法(fa)制备的(de)Cr合(he)金(jin)靶(ba)材(cai)，其(qi)尺(chi)寸为φ60mm×30mm,密(mi)度为8.363x103kg/n3,纯度为98.4%。张青(qing)来问(wen)等人(ren)采(cai)用(yong)氮气气体保护(hu)热(re)压法成功生(sheng)产了纯辂及(ji)铬(ge)合金(jin)靶材(cai)，主(zhu)要(yao)工艺参(can)数为(wei)加热(re)温度：1100〜1300°C,保(bao)温时(shi)间30~60min,随炉冷却至600°C以下出炉；靶坯(pi)有(you)明显(xian)收(shou)缩(suo)，但无(wu)裂纹(wen)、无(wu)胀形(xing)现(xian)象，致密(mi)度大(da)于(yu)98%。通(tong)过系列(lie)试(shi)验(yan)表(biao)明(ming)：在(zai)确(que)保(bao)靶(ba)环产(chan)品烧结(jie)密(mi)度(du)前(qian)提(ti)下，通(tong)过不(bu)断优化烧(shao)结(jie)工艺(yi)参数(shu)，靶(ba)环烧结成本可(ke)大大降(jiang)低(di)，降幅(fu)约(yue)达(da)30%以上(shang)。
热(re)等(deng)静(jing)压法是(shi)制备铬(ge)靶材(cai)的(de)有(you)效方(fang)法(fa)。由于该(gai)方法(fa)将(jiang)粉(fen)末(mo)成形(xing)和(he)烧(shao)结(jie)两步作(zuo)业合(he)并(bing)成一步(bu)，可以对粉体(ti)均(jun)匀(yun)施压(ya),产品密(mi)度接(jie)近材(cai)料(liao)理论(lun)密(mi)度，克服了(le)温度高(gao)的(de)缺(que)点，制(zhi)品晶(jing)粒细(xi)小，还可(ke)依(yi)据炉(lu)腔尺(chi)寸(cun)制备大尺(chi)寸(cun)靶(ba)材，具有(you)生(sheng)产效(xiao)率高、成本(ben)低的(de)优点。
图(tu)2为西(xi)安(an)嘉业航空科技(ji)有(you)限(xian)公司(si)采(cai)用(yong)热(re)等(deng)静压(ya)法(fa)制(zhi)备(bei)辂(lu)溅射(she)靶材(cai)的(de)工艺(yi)流(liu)程示意(yi)图(tu)。热等静(jing)压(ya)通(tong)常的制备(bei)流程为:①首(shou)先(xian)设计包套(tao),安(an)排(pai)合理(li)加工方法(fa)制(zhi)备(bei)包套(tao)。在无尘(chen)车间(jian)内(nei)将粉末填(tian)入包套(tao)，可(ke)采(cai)用(yong)边(bian)震(zhen)动(dong)边装(zhuang)粉或粉(fen)末先(xian)经冷(leng)等(deng)静(jing)压后(hou)再(zai)装(zhuang)入包套(tao)等方(fang)法(fa)提高(gao)粉(fen)末(mo)的(de)装填(tian)密(mi)度；②在热(re)处(chu)理(li)炉(lu)中高(gao)温下抽(chou)空(kong)包(bao)套，直至所(suo)需(xu)真(zhen)空度(du)，热态(tai)夹死(si)抽气管并(bing)封焊；③将(jiang)上(shang)述包套(tao)置于(yu)热(re)等静压(ya)炉(lu)中进行(xing)热等静(jing)压处理(li)；④热等静压(ya)处(chu)理后(hou)采(cai)用机加方(fang)法或电(dian)化学腐蚀去除包(bao)套(tao);⑤用(yong)线切(qie)割(ge)或(huo)水切(qie)方(fang)法切(qie)割(ge)靶(ba)材(cai)，获(huo)得所需尺寸的产(chan)品(pin)。
图3所示为西(xi)安(an)嘉业航空科(ke)技有(you)限公(gong)司(si)按上(shang)述(shu)流(liu)程(cheng)制(zhi)备的(de)HIP处(chu)理后纯(chun)铬靶(ba)材(cai)装配(pei)体，装(zhuang)配(pei)体总(zong)长(zhang)约(yue)650mm。图4为(wei)去(qu)除包(bao)套(tao)后纯辂(lu)靶材圆柱(zhu)体，经检(jian)测该(gai)圆(yuan)柱(zhu)体(ti)致密度(du)高达99.86%、晶(jing)粒(li)细小(xiao)、溅(jian)射(she)性(xing)能(neng)优(you)异(yi)。
2、高纯铬(ge)溅射靶(ba)材的特性
2.1纯(chun)度(du)
高(gao)纯(chun)度是(shi)溅(jian)射(she)铬(ge)靶(ba)材的首要(yao)条(tiao)件，纯度(du)的(de)高(gao)低(di)直(zhi)接影(ying)响(xiang)着(zhe)溅射(she)薄(bao)膜(mo)的性能，纯度(du)越(yue)高(gao)，性能(neng)越好(hao)。
不同(tong)用途(tu)的(de)靶(ba)材(cai)产(chan)品(pin)对(dui)纯度(du)要(yao)求也不(bu)一样(yang)，半(ban)导(dao)体、显(xian)示器等领(ling)域用的(de)靶(ba)材对纯度要求(qiu)十(shi)分严(yan)格(ge)，纯(chun)度要达(da)到99.95%(3N5)以上创(chuang)。一般工(gong)业(ye)用(yong)靶材(cai)对纯(chun)度要(yao)求并不高(gao)，达到(dao)99%以(yi)上即(ji)可(ke)使用。
制(zhi)备高(gao)纯(chun)的铬(ge)溅(jian)射靶材，首(shou)先(xian)是原(yuan)材料采(cai)用高(gao)纯(chun)的(de)铬粉(fen)，其(qi)次是(shi)在(zai)制(zhi)备(bei)过程(cheng)中防(fang)止(zhi)杂质(zhi)或异物的(de)进入(ru)，可(ke)在(zai)无(wu)尘(chen)车(che)间进行装(zhuang)粉(fen)作业(ye)。目前，国外制(zhi)备高(gao)纯的铬溅射靶(ba)材，所用的(de)铬(ge)原(yuan)材(cai)料(liao)粉末纯(chun)度已(yi)达到(dao)6N以(yi)上闻(wen)。然(ran)而由(you)于(yu)国内(nei)制(zhi)粉技(ji)术(shu)起(qi)步(bu)较晚(wan)，所(suo)制备(bei)的钻粉(fen)纯度还(hai)停(ting)留在4N水平(ping)，其(qi)中(zhong)西北(bei)地区(qu)制(zhi)粉技术较领(ling)先的公司有(you)：陕(shan)西斯瑞(rui)新(xin)材(cai)料股(gu)份(fen)有限(xian)公司(si)和西(xi)安(an)欧中材(cai)料(liao)科技(ji)有限(xian)公司，生产的铬粉纯(chun)度为99.995%。
2.2致密度(du)
为(wei)提(ti)高溅射薄膜(mo)性能(neng)，首(shou)当其冲需制(zhi)备致密度(du)较(jiao)高(gao)的(de)溅(jian)射辂靶材(cai)。高纯钻靶材的致(zhi)密(mi)度(du)主要由(you)制备(bei)工(gong)艺(yi)决(jue)定(ding)。受(shou)限于制(zhi)备(bei)条(tiao)件，无压(ya)烧(shao)结(jie)法制备的铬靶材中(zhong)极有可能(neng)含(han)有一(yi)定(ding)数量(liang)的气孔(kong)，气孔的存(cun)在会(hui)导(dao)致溅射时(shi)产生(sheng)不(bu)正常(chang)放(fang)电(dian)而产(chan)生杂质(zhi)粒(li)子，直(zhi)接影(ying)响(xiang)薄膜性能(neng)％热(re)压(ya)烧结(jie)制(zhi)备的(de)铬(ge)靶材虽然(ran)致(zhi)密(mi)度(du)有(you)一(yi)定(ding)提升(sheng)，但在靶材的横向(xiang)和(he)纵向(xiang)存(cun)在(zai)密
度不(bu)均(jun)匀(yun)现(xian)象，薄(bao)膜(mo)性能不均一(yi)。热(re)等静(jing)压(ya)法(fa)制备的(de)铬(ge)靶(ba)材组(zu)织(zhi)均(jun)匀、晶粒(li)细(xi)小(xiao)，密(mi)度(du)接近于(yu)理论密度。不同(tong)用(yong)途的(de)靶(ba)材产(chan)品(pin)对(dui)致(zhi)密度要求(qiu)也(ye)不(bu)一样(yang)，一般工业(ye)用靶材(cai)致(zhi)密(mi)度达到(dao)99.0%以上(shang)即(ji)可(ke)，其(qi)中西(xi)安嘉(jia)业(ye)航(hang)空科(ke)技有(you)限公(gong)司(si)采用(yong)热等静(jing)压(ya)方法(fa)制(zhi)备(bei)了纯(chun)辂(lu)靶(ba)材圆柱(zhu)体(ti)，致密(mi)度(du)高达(da)99.86%。
2.3晶(jing)粒尺(chi)寸
通常铬(ge)靶材(cai)为多(duo)晶(jing)结(jie)构，晶(jing)粒尺寸的(de)大小直(zhi)接(jie)影响着(zhe)溅(jian)射(she)速(su)度。研究表明晶粒(li)细(xi)小的(de)靶(ba)材溅射速(su)率要比(bi)晶粒(li)粗(cu)大的(de)快，并且(qie)晶(jing)粒尺(chi)寸整(zheng)体(ti)差异较(jiao)小的钻(zuan)靶(ba)材通(tong)过(guo)溅射(she)后(hou)沉积(ji)的薄膜(mo)厚度(du)分布比(bi)较均(jun)匀(yun)㈣。目前(qian)国内生产的(de)铬(ge)靶材(cai)平(ping)均(jun)晶粒(li)度(du)为100μm左(zuo)右。西安(an)嘉(jia)业(ye)航空科(ke)技有限公司(si)生(sheng)产的铬靶材致密度(du)高(gao)达99.86%,组织(zhi)均(jun)匀(yun)细小，平均(jun)晶粒度为(wei)
80μm,产品质(zhi)量(liang)处(chu)于(yu)国内(nei)领先水平(ping)。
2.4结晶取(qu)向
金属辂(lu)晶体(ti)结构是体心(xin)立方。在(zai)靶材(cai)磁(ci)控溅(jian)射过(guo)程(cheng)中，晶(jing)粒(li)取向(xiang)越趋于一(yi)致(zhi)，溅(jian)射(she)时(shi)薄(bao)膜(mo)沉(chen)积速率越(yue)快，并(bing)且薄膜(mo)厚(hou)度(du)均匀性越好。原(yuan)子(zi)容易(yi)沿(yan)六方最(zui)紧(jin)密(mi)排(pai)列方向择优溅(jian)射岀(chu)来(lai)，因此(ci)可采(cai)用(yong)不(bu)同的成型(xing)方(fang)法及热处理(li)工艺控(kong)制靶材(cai)结(jie)晶(jing)结构，获得(de)一定结晶(jing)取向的靶材(cai)来(lai)提高(gao)溅(jian)射速率。
2.5几何形状(zhuang)
铬靶(ba)材(cai)后(hou)期(qi)机(ji)械(xie)加(jia)工(gong)精(jing)度(du)和(he)加工表面质量亦影响(xiang)薄(bao)膜性能(neng)。如果(guo)靶(ba)材(cai)表面存(cun)在尖端或凸起，在(zai)溅(jian)射过程(cheng)中(zhong)存在尖(jian)端(duan)效(xiao)应(ying)，这些尖(jian)端(duan)或凸起的(de)电势(shi)大(da)幅提高(gao)，从(cong)而(er)击穿介质放(fang)电。在(zai)磁控(kong)溅(jian)射(she)前，需(xu)将(jiang)靶(ba)材与(yu)导(dao)电(dian)性好的无(wu)氧(yang)铜(tong)或铝(lv)等其(qi)他材料做(zuo)成(cheng)的底(di)座连(lian)接(jie)在(zai)一(yi)起(qi)，保(bao)证(zheng)溅射(she)过程(cheng)时(shi)靶(ba)材与底(di)盘具有良(liang)好(hao)的(de)导(dao)电导热(re)性(xing)能(neng)问。结合的(de)溅(jian)射靶(ba)材(cai)经过超声波(bo)检(jian)测(ce)，需(xu)保证两(liang)者(zhe)的(de)不(bu)结合(he)区(qu)域(yu)小(xiao)于2%,才(cai)能(neng)满(man)足大(da)功率溅(jian)射(she)要求。
3、高纯(chun)铬溅射(she)靶(ba)材存在(zai)问(wen)题(ti)及发(fa)展趋势
目(mu)前(qian)制(zhi)备高纯(chun)铭靶材(cai)存(cun)在(zai)的(de)问题(ti)主(zhu)要(yao)有：国内(nei)制备超(chao)高(gao)纯(chun)粉(fen)末(mo)原(yuan)材料(liao)技(ji)术落后(hou)、产品(pin)纯(chun)度不(bu)高、大(da)尺寸(cun)靶材难以(yi)制(zhi)备(bei)、靶材(cai)生(sheng)产(chan)效率低(di)及成(cheng)本(ben)高(gao)、使用(yong)过(guo)程中(zhong)靶(ba)材利用(yong)率(lv)低等(deng)问题，这些问(wen)题限(xian)制了靶(ba)材(cai)的进一步应(ying)用。
3.1制备(bei)大(da)尺(chi)寸(cun)溅(jian)射(she)铮(zheng)靶(ba)材(cai)
随(sui)着电(dian)子行(xing)业(ye)突飞(fei)猛(meng)进(jin)发展(zhan)，平(ping)面(mian)显(xian)示(shi)器(qi)的尺(chi)寸逐渐增大，溅(jian)射靶材所需的(de)基(ji)板(ban)尺(chi)寸(cun)也越来(lai)越大(da)型化(hua)，因(yin)此相(xiang)应溅(jian)射靶材的(de)尺寸规(gui)格(ge)也相(xiang)应增大网(wang)。
这(zhe)时，确(que)保大尺(chi)寸(cun)溅射靶材(cai)的(de)尺(chi)寸(cun)规(gui)格、晶粒细(xi)小均(jun)一、高(gao)度致密，就(jiu)成(cheng)为(wei)铬靶材(cai)制造厂商所(suo)需要解决的最大问(wen)题(ti)。选择合(he)适的(de)制(zhi)造大尺(chi)寸、高(gao)品(pin)质(zhi)的靶材(cai)技术(shu)迫在眉(mei)睫(jie)。热(re)等静(jing)压(ya)技术(shu)可(ke)有效(xiao)解决以上(shang)难题(ti)。
热等静压技术可依(yi)据(ju)客(ke)户(hu)要求和(he)炉腔(qiang)尺(chi)寸，灵(ling)活设(she)计(ji)生(sheng)产圆靶、管靶(ba)、方靶。西(xi)安嘉(jia)业航(hang)空科技(ji)有(you)限(xian)公司(si)在(zai)制备圆(yuan)柱(zhu)体铬(ge)靶材时，每炉最大生(sheng)产(chan)产(chan)品(pin)重量约1T,提高(gao)生产效率的同(tong)时降低(di)了(le)成本。
3.2超(chao)高(gao)纯(chun)溅(jian)射铬靶材(cai)开(kai)发(fa)
根据(ju)目(mu)前市场上高(gao)纯铬溅射(she)靶(ba)材(cai)的(de)研究现(xian)状，由(you)于(yu)国内制备(bei)粉(fen)末(mo)原材料(liao)技(ji)术(shu)略晚(wan)于(yu)国(guo)外，因而(er)生产(chan)的(de)高(gao)纯(chun)金(jin)属(shu)原材料(liao)粉(fen)末与(yu)国外(wai)发达国(guo)家还有(you)一(yi)定差距。目前，国(guo)内生(sheng)产的多数高(gao)纯(chun)金属粉末(mo)仅达(da)到4N水平，个别企(qi)业(ye)可(ke)达到(dao)5N水平(ping)，还(hai)不能(neng)够满足高(gao)端(duan)或(huo)超(chao)高(gao)端(duan)薄膜溅射靶材的质量要(yao)求(qiu)。因(yin)此(ci)，对于国(guo)内而(er)言，发展(zhan)超(chao)高纯的(de)辂溅(jian)射薄膜(mo)靶(ba)材(cai)任(ren)重(zhong)而道(dao)远。
3.3提(ti)高(gao)语(yu)溅射(she)靶材利(li)用率(lv)
传统的(de)平(ping)面(mian)磁控溅(jian)射(she)靶材的利用率(lv)较(jiao)低，只有50%左右。近年(nian)来(lai)，随(sui)着技(ji)术(shu)的升级,磁(ci)控(kong)溅射(she)设(she)备(bei)逐步(bu)改善，相(xiang)应(ying)管(guan)状(zhuang)旋(xuan)转(zhuan)靶(ba)材结构设计应运(yun)而生，溅射靶材的(de)利(li)用率已(yi)达(da)到(dao)80%以上㈣。因此(ci)，提(ti)高(gao)靶材(cai)利(li)用率的(de)关(guan)键(jian)在(zai)于实现(xian)溅射(she)设备的更(geng)新换(huan)代和(he)新(xin)型(xing)结(jie)构(gou)靶(ba)材的(de)开发，如何提(ti)高(gao)溅射(she)靶材(cai)利(li)用率仍然(ran)是(shi)今(jin)后研究设计(ji)靶(ba)材(cai)和溅射(she)设备(bei)的(de)主要发(fa)展方(fang)向(xiang)之(zhi)一(yi)。
4、展望(wang)
随(sui)着(zhe)电(dian)子(zi)行业(ye)、信息存(cun)储产业、太阳能(neng)电池等(deng)高技术产(chan)业(ye)的快(kuai)速发展，预(yu)计LCD射(she)靶材(cai)的消(xiao)费(fei)量年(nian)增长率(lv)约(yue)为(wei)20%,中(zhong)国靶(ba)材(cai)市场(chang)已逐渐(jian)成为世(shi)界(jie)薄(bao)膜(mo)靶材(cai)的最大(da)需求(qiu)地(di)区(qu)之(zhi)一，这(zhe)为高纯(chun)铬(ge)溅射靶材(cai)制(zhi)造业提供了(le)机遇(yu)和(he)挑战。
如何(he)解决(jue)目前(qian)高(gao)纯(chun)常(chang)靶材(cai)制(zhi)备(bei)过程(cheng)中存在(zai)的纯度不(bu)高、大尺(chi)寸(cun)靶材难(nan)以(yi)制备(bei)、靶(ba)材(cai)生产(chan)效(xiao)率低及(ji)成本高(gao)、使(shi)用过程中(zhong)靶(ba)材利用率(lv)低、先进(jin)磁控溅射(she)设(she)备开发等(deng)问题，为(wei)国内(nei)外客户提供高性(xing)价(jia)比的溅(jian)射靶材(cai)，是国(guo)内(nei)材(cai)料(liao)工(gong)作(zuo)者迫(po)在眉睫(jie)的(de)现(xian)实问题(ti)。因此(ci)，为(wei)提(ti)高(gao)我(wo)国高(gao)纯、超(chao)高(gao)纯铬靶(ba)材所(suo)属的(de)新(xin)材料领(ling)域(yu)竞争力(li)，需要(yao)得(de)到国(guo)家的(de)高度重(zhong)视，从原材(cai)料生产到(dao)产业中游(you)设(she)备制造再到靶(ba)材制(zhi)备(bei)最(zui)后到(dao)下游(you)镀膜应用，整(zheng)个(ge)产业(ye)链必(bi)将(jiang)带动行(xing)业的发展,创造(zao)可观的经济(ji)效益和(he)社会价(jia)值(zhi)。
参(can)考(kao)文(wen)献：
[1]贾国斌，冯寅楠，贾(jia)英•磁控溅射(she)用难熔(rong)金(jin)属(shu)靶(ba)材(cai)制作、应用(yong)于发(fa)展(zhan)卩].金属功能(neng)材料,201623(6)：49-51.
[2]董(dong)亭义，万小(xiao)勇(yong)，章程(cheng)，等(deng).磁控溅(jian)射钛(tai)靶材(cai)的(de)发展概述[J].金(jin)属(shu)功(gong)能(neng)材(cai)料(liao),2017,24(5):57-61.
[3]贾国斌，尹中(zhong)荣(rong).电子(zi)束(shu)技术(shu)在(zai)难熔(rong)金(jin)属行业(ye)的(de)应用(yong)[J].稀有(you)金属(shu)材料(liao)与(yu)工程,2012,41(2):113.
[4]张新房(fang).粉(fen)末(mo)冶(ye)金法(fa)制(zhi)高(gao)纯(chun)溅(jian)射铬靶(ba)材的方法(fa)[J].山(shan)西(xi)冶金(jin)，2014,37(4):13-14.
[5]张青(qing)来，贺(he)继(ji)弘.粉(fen)末冶金(jin)高纯铬和(he)铅(qian)合(he)金(jin)溅射(she)靶材烧结(jie)工艺研(yan)究(jiu)[J].金属(shu)成(cheng)形工(gong)艺,2003,21(6):83-85.
[6]Kun-MingChen,Deng-AnTsai,Hao-ChiaLiaoetc.InvestigationofAl-Cralloytargetssinteredbyvariouspowdermetallurgymethodsandtheirparticlegenerationbehaviorsinsputteringprocess[J].JournalofAlloysandCompounds,2016,663(5):52-59.
[7]张(zhang)世贤(xian)，谭中(zhong)熊(xiong)，李(li)世(shi)钦，等(deng).热等静压(ya)Cr-Si靶材的(de)特(te)性及(ji)微(wei)结构(gou)研(yan)究[J].粉末冶(ye)金(jin)材(cai)料(liao)科学(xue)与(yu)工程(cheng),2007,12(5):276-283.
[8]MakhtariA,LaViaF,Rainneri,etal.Structuralcharacterizationoftitaniumsiliconcarbidereaction[J].MicroelectronicEngineering,2001,55(1):375.
[9]安(an)耿(geng)，李晶，刘仁(ren)智(zhi)，等(deng).钳溅(jian)射靶(ba)材的(de)应(ying)用、制(zhi)备(bei)及(ji)发展[J].中(zhong)国钳(qian)业,2011,35(2):45-46.
[10]郝(hao)小雷•组织(zhi)均匀(yun)锂溅(jian)射靶材(cai)的制备(bei)现(xian)状(zhuang)[J].山(shan)东(dong)工业技(ji)术，2017,63(2):158-159.
[11]杨(yang)帆，王快(kuai)社，胡(hu)平，等.高(gao)纯钮溅射靶(ba)材(cai)的(de)研(yan)究现(xian)状(zhuang)及发展(zhan)趋(qu)势[J].热加(jia)工工艺(yi),2013,42(24):10.
[12]陈(chen)建(jian)军(jun)，杨庆(qing)山(shan)，贺(he)丰收(shou).溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的种(zhong)类(lei)、应(ying)用、制(zhi)备及(ji)发(fa)展(zhan)趋势(shi)[J].湖南(nan)有(you)色金(jin)属,2016.16(4):38-40.
[13]郑金(jin)凤，扈百(bai)直，杨(yang)国启，等.高纯铉溅(jian)射靶材制(zhi)备工艺进(jin)展(zhan)[J].湖南(nan)有色金属,2016,32(4):54-58.
[14]迟伟(wei)光，张(zhang)凤戈，王铁(tie)军(jun)，等•溅射靶材(cai)的(de)应(ying)用及发展(zhan)前(qian)景(jing)[J].新(xin)材料产(chan)业(ye),2010,11(2):6-8.
[15]王(wang)国栋，王(wang)艳，李(li)高林，等(deng).溅射(she)用(yong)优质锭(ding)靶(ba)材的制(zhi)备(bei)[JJ.稀有金属材料科(ke)学(xue)与(yu)工程(cheng),2008,37(4)：532-533.
[16]赵(zhao)宝(bao)华(hua)，范(fan)海波(bo)，孙院军，等.TFT-LCD制造(zao)用(yong)钮(niu)薄(bao)膜溅射及(ji)其(qi)靶材[J].中国钳业(ye),2011,35(1):7-10.
[17]张冷，张维佳(jia)，宋登元，等.铜(tong)钢(gang)傢(jia)硒(xi)薄(bao)膜(mo)的真(zhen)空制备及靶材研究现状[J].功(gong)能(neng)材(cai)料(liao),2013,44(14):1990-1994.
相关(guan)链接
