高纯(chun)钛作(zuo)为电子信(xin)息领(ling)域重要(yao)的功(gong)能薄膜材料，近年来随(sui)着(zhe)我国(guo)集成(cheng)电路(lu)、平(ping)面(mian)显示、太(tai)阳(yang)能(neng)等产(chan)业(ye)的(de)快(kuai)速(su)发展(zhan)需求(qiu)量快速上升。磁(ci)控溅射(she)技(ji)术(shu)(PVD)技(ji)术是(shi)制备薄膜材料(liao)的关(guan)键(jian)技(ji)术之一，高(gao)纯钛(tai)溅射靶材是(shi)磁控溅(jian)射工艺(yi)中(zhong)的(de)关(guan)键(jian)耗(hao)材，具(ju)有广(guang)阔的市场应用前(qian)景(jing)。钛(tai)靶材(cai) 作为(wei)高附(fu)加值(zhi)的镀膜材料(liao)，在(zai)化学(xue)纯(chun)度、组织(zhi)性能等(deng)方(fang)面具(ju)有严(yan)格(ge)的(de)要求，技(ji)术含(han)量高(gao)、加工(gong)难(nan)度(du)大(da)，我国靶(ba)材(cai)制(zhi)造(zao)企(qi)业(ye)在(zai)优(you)异靶(ba)材制(zhi)造(zao)领(ling)域起(qi)步(bu)相(xiang)对(dui)较(jiao)晚(wan)，在(zai)基(ji)础原材(cai)料(liao)纯度方(fang)面(mian)相(xiang)对落后(hou)，靶材(cai)制备(bei)技术(shu)如(ru)组(zu)织(zhi)控制、工(gong)艺成(cheng)型(xing)等核心(xin)工艺(yi)技术(shu)方(fang)面与国(guo)外(wai)也(ye)存在一定的差距。针(zhen)对下(xia)游(you)优异(yi)应用(yong)，开(kai)发(fa)高(gao)性(xing)能钛(tai)溅射靶(ba)材(cai)，是实现(xian)电(dian)子(zi)信息(xi)制造(zao)业关(guan)键(jian)材(cai)料(liao)的自(zi)主研(yan)制和推动(dong)钛(tai)工(gong)业(ye)向(xiang)优异转(zhuan)型(xing)升级的重(zhong)要(yao)举措(cuo)。
1、钛靶材的(de)应用及性(xing)能要求(qiu)
磁控溅射Ti靶材主(zhu)要应用于电子及(ji)信(xin)息(xi)产业，如(ru)集成电(dian)路、平面(mian)显(xian)示(shi)屏和(he)家装汽(qi)车(che)行业(ye)装(zhuang)饰镀膜领(ling)域(yu)，如玻璃装饰(shi)镀(du)膜(mo)和(he)轮毂装(zhuang)饰镀(du)膜(mo)等。不同行(xing)业(ye)Ti靶(ba)材要(yao)求(qiu)也(ye)有(you)很(hen)大差别(bie)，主要包(bao)括：纯(chun)度(du)、微观组(zu)织(zhi)、焊接(jie)性(xing)能(neng)、尺寸精度几(ji)个(ge)方面(mian)，具(ju)体指(zhi)标要求(qiu)如下(xia)：
1）纯度(du) ：非集(ji)成(cheng)电路(lu)用(yong)：99.9％; 集(ji)成电(dian)路用：99.995％、99.99％。
2）微观组织(zhi)： 非(fei)集成电(dian)路(lu)用：平均晶(jing)粒(li)小(xiao)于100μｍ ;集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)用：平(ping)均晶(jing)粒(li)小于30μｍ、 超(chao)细晶平(ping)均晶(jing)粒(li)小(xiao)于(yu)10μｍ 。
3) 焊接性(xing)能(neng)： 非(fei)集(ji)成(cheng)电路用：钎(qian)焊(han)、单体； 集(ji)成电(dian)路(lu)用：单体(ti)、钎焊(han)、扩(kuo)散焊 。
4) 尺寸(cun)精度(du)： 非(fei)集成电路(lu)用(yong)：0.1ｍｍ; 非(fei)集(ji)成电(dian)路(lu)用(yong)：0.01ｍｍ。
1.1集成(cheng)电(dian)路用(yong)Ti靶材(cai)
集成(cheng)电(dian)路(lu)Ti靶(ba)材纯(chun)度主要大(da)于(yu)99.995％ 以(yi) 上，目前主要依赖(lai)进口(kou)。2013年(nian)，我(wo)国集成电(dian)路(lu)产业实现销售收入2508亿元，进口(kou)额高达(da)2313亿美元(yuan)，成为我国(guo)最大(da)进口(kou)商(shang)品。2014年(nian)，集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)产业(ye)销售(shou)收(shou)入为2672亿元，进口(kou)额(e)仍(reng)达(da)到2176亿(yi)美元。集成(cheng)电路用(yong)靶材在(zai)全(quan)球(qiu)靶(ba)材市(shi)场中(zhong)占(zhan)较大份(fen)额。
Ti靶(ba)材原材料(liao)方面(mian)：高纯Ti生产主(zhu)要集(ji)中在 美 国、日(ri) 本(ben) 等(deng) 国 家，如(ru)美国(guo)Honeywell， 日本(ben)东(dong)邦、日本大(da)阪钛业(ye)；国内(nei)起步(bu)较晚，2010年后(hou)北(bei)京有色(se)金(jin)属研究(jiu)院、遵义钛业(ye)、宁(ning)波(bo)创(chuang)润等陆续(xu)推出国产的高纯 Ti产品，但是(shi)产品稳定(ding)性(xing)还(hai)待提(ti)高(gao)。
Ti靶材的(de)结构(gou)发(fa)展(zhan)方面：早期芯片代(dai)工厂(chang)利润(run)空(kong)间大，主(zhu)要使(shi)用100～150ｍｍ 磁(ci)控溅(jian)射机台，而且功(gong)率小，溅射(she)薄膜较(jiao)厚(hou)，芯片的(de)尺(chi)寸(cun)较大，单(dan)体靶材的(de) 性能能够满足当时(shi)机(ji)台的(de)使(shi)用(yong)要求，当时集(ji)成(cheng)电路 用 Ti靶(ba)材主要100～150ｍｍ 单(dan)体(ti)和组合型靶材(cai)， 如(ru)典(dian)型3180型，3290型(xing)靶材等(deng)。**阶(jie)段，按(an)照(zhao)摩(mo)尔定(ding)律发展(zhan)，芯片(pian)线宽(kuan)变窄(zhai)，芯片代工厂(chang)主要(yao)使用150～200ｍｍ 溅(jian)射机台(tai)，为(wei)提高利(li)润空(kong)间(jian)，机台的(de)溅射(she)功(gong)率提高(gao)，这(zhe)就要求(qiu)靶(ba)材(cai)尺(chi)寸加(jia)大，同时(shi)保(bao)持高导热(re)、低价(jia)格和(he)一定(ding)的强度，本(ben)时期(qi)Ｔi 靶(ba)材(cai)以铝合金(jin)背板扩(kuo)散焊接和铜(tong)合金背板钎(qian)焊焊(han)接两(liang)种结(jie)构(gou)为主，如典型(xing)TN、TTN 型，Endura5500型等(deng)靶材(cai)。第 三(san)阶(jie)段，随集成(cheng)电路发展(zhan)，芯片(pian)线(xian)宽(kuan)进(jin)一步(bu)变窄，此 时(shi)芯片代工厂(chang)主要(yao)使(shi)用200～300ｍｍ 溅射(she)机台，为进一步(bu)提(ti)高利(li)润(run)空(kong)间，机(ji)台(tai)的(de)溅(jian)射功率(lv)提高(gao)，这就(jiu)要求靶(ba)材(cai)尺(chi)寸(cun)加(jia)大，同时保(bao)持高导(dao)热(re)和(he)足(zu)够的强(qiang) 度(du)。本时(shi)期(qi) Ti 靶材以(yi)铜(tong)合(he)金背(bei)板扩散(san)焊 接 为 主，如主(zhu)流SIP型(xing)靶(ba)材(cai)。
钛靶材(cai)加工(gong)制(zhi)造(zao)方(fang)面：早(zao)期国内外(wai)市(shi)场基(ji)本(ben)被(bei)美国、日(ri)本等大(da)的(de)靶(ba)材制造商(shang)垄(long)断(duan)，2000年后(hou)国内(nei)的(de)制(zhi)造(zao)业(ye)逐(zhu)步进(jin)入靶材(cai)市(shi)场，开始进口高纯 Ti原材(cai)料(liao)加工低 端(duan)的靶材，近(jin)几年(nian)国(guo)内 Ti靶材(cai)制(zhi)造企(qi)业(ye)发展(zhan)较快，市(shi)场(chang)份额逐步(bu)扩(kuo)大到(dao)台湾(wan)、欧(ou)美等市场(chang)。国(guo)内的(de)靶材制(zhi)造(zao)企业(ye)也(ye)正在和国(guo)内(nei)的(de)磁(ci)控(kong)溅(jian)射(she)机台制(zhi)造商(shang)联(lian)合开发(fa)靶(ba)材(cai)，推(tui)动(dong)国(guo)内集(ji)成(cheng)电(dian)路磁控(kong)溅(jian)射(she)产业(ye)的发展(zhan)。
1.2 平(ping)面显(xian)示器用(yong) Ti靶(ba)材(cai)
平(ping)面显(xian)示器(qi)包(bao)括：液(ye)晶(jing)显示(shi)器（LCD）、等(deng)离子(zi)体(ti)显(xian)示器(qi)（PDP）、场致发(fa)光(guang)显(xian)示(shi)器(E-L)、场(chang)发射(she)显示器（FED）。
目前(qian)，在(zai)平(ping)面显(xian)示器(qi)市(shi)场中以液晶显(xian)示器(qi)LCD市场(chang)*大，份(fen)额(e)高(gao)达90％以(yi)上(shang)。LCD被认(ren)为是(shi)目(mu)前(qian)*有应用(yong)前景的平板(ban)显(xian)示(shi)器件(jian)，它的(de)出(chu)现大大(da)扩(kuo)展(zhan)了显示(shi)器(qi)的(de)应(ying)用范(fan)围，从笔(bi)记(ji)本电(dian)脑显示器、台(tai)式电(dian)脑(nao)监(jian)视器、高清(qing)晰液晶(jing)电视(shi)以及移(yi)动通信，各(ge)种(zhong)新型LCD产(chan)品(pin)正在(zai)冲(chong)击着(zhe)人们的(de)生(sheng)活习(xi)惯(guan)，并(bing)推动(dong)着(zhe)世界信息产(chan)业(ye)的(de)飞速发(fa)展(zhan)。TFT－LCD技术是(shi)微(wei)电(dian)子(zi)技术与(yu)液(ye)晶技(ji)术(shu)巧妙结(jie)合(he)的(de)一 种技(ji)术，目前已经(jing)成(cheng)为(wei)平(ping)面显示主(zhu)流(liu)技术(shu)，其中又分 Al－Mo、Al－Ti、Cu－Mo等(deng)工艺。
平(ping)面(mian)显(xian)示(shi)器的(de)薄(bao)膜(mo) 多采(cai)用溅(jian)射成(cheng)形(xing) 。Al、Cu、Ti、Mo等靶材是(shi)目前(qian)平面显示器主(zhu)要金属(shu)靶(ba)材(cai)，平(ping)面显示(shi)器(qi)用 Ti 靶(ba)材(cai)纯度大于99.9％，此原(yuan)材(cai)料(liao)能(neng)够国(guo)产。TFT－LCD6代(dai)线用平(ping)面 Ti 靶(ba)材尺寸(cun)比较(jiao)大，结(jie)构采用铜(tong)合金(jin)水(shui)冷(leng)背(bei)板(ban)靶材，应(ying)用有(you)中(zhong)电熊(xiong)猫等(deng)。
2、磁(ci)控溅射(she) Ti靶(ba)材(cai)制备(bei)技术
Ti靶材(cai)的原(yuan)材料(liao)制备技(ji)术方法按(an)生产工艺可分(fen)为(wei)电子(zi)束(shu)熔炼坯（简(jian)称 EB坯(pi)）和真空(kong)自耗(hao)电(dian)弧(hu)炉熔炼(lian)坯（简称(cheng)（VAR）坯）两(liang)大(da)类，在(zai)靶材制备过程 中，除严(yan)格控制材料(liao)纯度、致(zhi)密(mi)度、晶(jing)粒度(du)以及结(jie)晶(jing)取(qu)向之外(wai)，对热处理(li)工艺(yi)条(tiao)件(jian)、后续(xu)成型加(jia)工(gong)过(guo)程亦需加以(yi)严(yan)格控(kong)制(zhi)，以(yi)保证(zheng)靶材(cai)的质量。
对(dui)于(yu)高纯(chun) Ti的原(yuan)材(cai)料通常先(xian)采用熔(rong)融电(dian)解(jie)的方法去(qu)除 Ti基(ji)体中高(gao)熔(rong)点(dian)的(de)杂质元(yuan)素，再采(cai)用(yong)真空电子(zi)束(shu)熔炼进(jin)一(yi)步提(ti)纯。真(zhen)空(kong)电(dian)子束(shu)熔炼(lian)就是(shi)采用高(gao)能量电子束(shu)流轰击(ji)金属(shu)表面后，随后温(wen)度(du)逐(zhu)渐升(sheng)高直至金(jin)属熔(rong)化，蒸(zheng)气压大(da)的(de)元(yuan)素(su)将(jiang)优(you)先挥发(fa)，蒸(zheng)气(qi)压(ya)小的(de)元素(su)存留(liu)于熔体中(zhong)，杂质(zhi)元素与(yu)基体(ti)的蒸(zheng)气压相差(cha)越大，提(ti)纯(chun)的(de)效(xiao)果越(yue)好(hao)。而(er)熔化(hua)后(hou)的(de)真(zhen)空(kong)精炼，其优点(dian)在于(yu)不引入(ru)其(qi)他(ta)杂(za)质(zhi)的(de)前(qian)提(ti)下去(qu)除(chu) Ti基(ji)体中的杂质(zhi)元素。因(yin)此(ci)，当在(zai)高(gao)真空(kong)环境(jing)下(xia)（1.0E-4以(yi) 上(shang)）电(dian)子束熔(rong)炼99.99％电解 Ti时(shi)，原(yuan)料中(zhong) 饱(bao)和蒸气(qi)压高于 Ti元素(su)本(ben)身(shen)饱和(he)蒸(zheng)气压(ya)的(de)杂质元(yuan)素（Fe、 Co、Cu）将优(you)先挥 发，使基体(ti)中(zhong)杂(za)质含(han)量(liang)减(jian)少，达(da)到提(ti)纯之(zhi)目(mu)的(de)。两种方法(fa)结(jie)合(he)使用(yong)可(ke)以(yi) 得(de)到纯度99.995以上的高(gao)纯金(jin)属(shu) Ti。
对于(yu)纯(chun)度在 99.9％Ｔｉ原(yuan)材料多采用０级(ji)海(hai)绵(mian) Ti经真空自(zi)耗(hao)电(dian)弧炉熔炼，再(zai)经过热(re)锻(duan)造开坯形(xing)成(cheng)小尺(chi)寸的(de)坯料。 这(zhe)两(liang)种方(fang)法制(zhi)备(bei)的金(jin)属(shu) Ti原(yuan)材(cai)料(liao)通(tong)过热(re)机(ji)械变(bian)形控制(zhi)其整个溅射表(biao)面(mian)微(wei)观组(zu)织(zhi)一致，然后经(jing)过(guo)机加工、绑(bang)定、清(qing)洗和包装等工(gong)序加(jia)工(gong)成(cheng)制(zhi)备(bei)集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)用磁控溅射Ｔｉ靶材，对(dui)于300ｍｍ机台要(yao)求(qiu)特(te)别(bie)高的(de) Ti靶材，在包(bao)装前靶材的溅(jian)射(she)面(mian)还要预溅射(she)减少(shao)靶(ba)材(cai)安装(zhuang)在(zai)溅射机台(tai)上(shang)烧(shao)靶(ba)时间(jian)（Burn－ingtime）。
集(ji)成(cheng)电路 Ti 靶(ba)材制(zhi)备(bei)方法(fa)制(zhi)备(bei)的靶(ba)材工艺复(fu)杂(za)，成本(ben)相对较(jiao)高(gao)。
3、Ti靶材的技(ji)术要(yao)求
为(wei)确保(bao)沉积(ji)薄膜的(de)质量，靶材的(de)质量必须严格(ge)控制(zhi)，经大(da)量(liang)实(shi)践(jian)，影响 Ti靶材(cai)质量(liang)的(de)主要因素包括(kuo)纯度(du)、平均晶粒(li)尺(chi)寸、结晶取向(xiang)与(yu)结构(gou)均匀(yun)性、几何(he)形状与(yu)尺寸(cun)等。
3.1 纯度
Ti 靶材(cai)的纯度对溅(jian)射(she)薄(bao)膜的性(xing)能(neng)影响很大(da)。
Ti靶材(cai)的(de)纯(chun)度越(yue)高(gao)，溅射 Ti 薄(bao)膜(mo)的(de)中的(de)杂(za)质(zhi)元(yuan)素(su)粒(li)子(zi)越(yue)少(shao)，导(dao)致薄膜性(xing)能(neng)越(yue)好，包括(kuo)耐蚀性(xing)及(ji)电(dian)学、 光学(xue)性(xing)能(neng)越好。不过(guo)在(zai)实(shi)际(ji)应用(yong)中(zhong)，不同用途 Ti靶(ba)材(cai)对(dui)纯(chun)度要求不一样(yang)。例如(ru)，一般装饰镀膜(mo)用 Ti靶材(cai)对(dui)纯度的要求(qiu)并(bing)不苛(ke)求(qiu)，而集成(cheng)电(dian)路、显示(shi)器(qi)体等(deng)领(ling)域(yu)用(yong) Ti靶(ba)材(cai)对纯度(du)的(de)要(yao)求高(gao)很(hen)多(duo)。靶材(cai)作(zuo)为(wei)溅(jian)射中(zhong)的阴极(ji)源，材(cai)料(liao)中的杂质(zhi)元(yuan)素和气(qi)孔(kong)夹杂(za)是沉(chen)积薄(bao)膜的(de)主(zhu)要(yao)污染源。气(qi)孔(kong)夹(jia)杂(za)会(hui)在(zai)铸锭(ding)无损探(tan)伤的(de)过程中基(ji)本(ben)去(qu)除，没(mei)有(you)去(qu)除的(de)气(qi)孔夹杂在溅(jian)射(she)的(de) 过程(cheng)中会产生**放电现象（Arcing），进而(er)影(ying)响(xiang)薄(bao)膜的(de)质量(liang)；而(er)杂质元(yuan)素(su)含(han)量(liang)只(zhi)能(neng)在(zai)全(quan)元(yuan)素分(fen)析(xi)测(ce)试(shi)结(jie)果中(zhong)体(ti)现，杂质(zhi)总含(han)量(liang)越低， Ti靶(ba)材纯度(du)就(jiu)越高。早期(qi)国内没(mei)有(you)高纯(chun)钛溅射(she)靶(ba)材的(de)标准，都(dou)是(shi)参(can)照(zhao)国(guo)内外的(de) Ti靶(ba)材(cai)制 造(zao)公(gong)司(si)的(de)要求(qiu)，2013年(nian)后(hou)颁布(bu)标(biao)准(zhun)《YS／T893－2013 电子薄膜(mo)用高纯(chun)钛溅(jian)射(she)靶(ba)材》， 规(gui)定(ding)3个纯度(du) Ti靶(ba)材单(dan)个杂质含量及(ji)总杂(za)质(zhi)含(han)量 不同(tong)的(de)要(yao)求，此(ci)标准(zhun)正在(zai)逐步规范繁(fan)乱(luan) Ti靶(ba)材市(shi)场(chang)纯度(du)需求(qiu)。
3.2平(ping)均(jun)晶(jing)粒尺(chi)寸(cun)
通(tong)常(chang) Ti靶材(cai)为多(duo)晶结构，晶粒大(da)小可由(you)微米(mi)到(dao)毫(hao)米量(liang)级(ji)，细小尺(chi)寸晶(jing)粒靶的(de)溅(jian)射(she)速(su)率(lv)要比粗晶粒靶快，在溅(jian)射面(mian)晶粒尺寸(cun)相(xiang)差较(jiao)小(xiao)的(de)靶(ba)，溅(jian)射沉(chen)积薄(bao)膜的厚(hou)度分布也(ye)较(jiao)均(jun)匀(yun)。研(yan)究发(fa)现(xian)，若将(jiang)钛靶(ba)的晶(jing)粒尺(chi)寸控(kong)制 在100μｍ 以下，且晶(jing)粒大(da)小(xiao)的变(bian)化(hua)保(bao)持在(zai)２０％以内，其溅射(she)所得(de)薄膜(mo)的(de)质(zhi)量可(ke)得(de)到(dao)大幅度(du)改善(shan)。集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)用(yong) Ｔｉ靶(ba)材 平(ping) 均(jun)晶(jing)粒尺寸 一(yi)般(ban)要(yao)求(qiu)在30μｍ 以(yi)内，超细(xi)晶 Ti靶材平(ping)均晶(jing)粒(li)尺寸(cun)在10μｍ 以(yi)下。
3.3 结(jie)晶(jing)取向
金属Ti是(shi)密排(pai)六方(fang)结构(gou)，由(you)于在(zai)溅射时 Ti靶材原(yuan)子容易沿(yan)着(zhe)原(yuan)子(zi)六(liu)方*紧密(mi)排列(lie)方向优先(xian)溅射(she)出来，因此，为达(da)到*高溅(jian)射速率，可通过改(gai)变(bian)靶(ba)材结晶结构(gou)的(de)方(fang)法来(lai)增(zeng)加(jia)溅射(she)速(su)率(lv)。目前(qian)大(da)多(duo)数(shu)集成(cheng)电(dian)路Ti靶(ba)材(cai)溅(jian)射(she)面｛1013｝晶(jing)面族(zu)为(wei)60%以上，不同(tong)厂家生(sheng)产的(de)靶(ba)材晶粒(li)取向(xiang)略(lve)有不同， Ti靶材的结(jie)晶(jing)方向对(dui)溅(jian)射膜层(ceng)的厚度(du)均匀性(xing)影(ying)响(xiang)也较大 。平(ping)面(mian)显(xian)示(shi)和(he)装饰镀(du)膜(mo)的薄(bao)膜(mo)尺(chi)寸(cun)偏厚(hou)，所以对(dui)应(ying) Ti靶(ba)材(cai)对(dui)晶(jing)粒(li)取(qu)向(xiang)要(yao)求比较(jiao)低。
3.4 结构(gou)均匀(yun)性
结构均匀(yun)性(xing)也是考察靶材(cai)质(zhi)量(liang)的重要(yao)指标(biao)之一(yi)。对于(yu) Ti靶(ba)材(cai)不仅要(yao)求(qiu)在(zai)靶材的溅(jian)射平(ping)面(mian)，而且在(zai)溅(jian)射(she)面的法向方(fang)向(xiang)成(cheng)分、晶(jing)粒取(qu)向和(he)平均晶粒度均(jun)匀(yun)性。只(zhi)有(you)这样(yang) Ti靶(ba)材在使(shi)用(yong)寿命(ming)内(nei)，在(zai)同(tong)一(yi)时 间(jian)内能(neng)够(gou)得到(dao)厚(hou)度均匀、质量可(ke)靠(kao)的、晶(jing)粒(li)大小一(yi)致的(de) Ti薄膜(mo)。
3.5 几何(he)形(xing)状与(yu)尺寸(cun)
主(zhu)要体(ti)现在加工(gong)精(jing)度(du)和加工质(zhi)量(liang)方面(mian)，如加(jia)工(gong)尺(chi)寸(cun)、表(biao)面(mian)平整度、粗糙度(du)等(deng)。如(ru)安(an)装(zhuang)孔(kong)角(jiao)度偏差过大(da)，无法正(zheng)确(que)安装(zhuang)；厚(hou)度尺寸(cun)偏小会(hui)影(ying)响靶(ba)材(cai)的使用(yong) 寿(shou)命；密封面(mian)和密(mi)封(feng)槽(cao)尺寸过(guo)于粗糙会导致靶材安(an)装(zhuang)后真(zhen)空出现问题(ti)，严(yan)重的导致(zhi)漏(lou)水；靶(ba)材溅射(she)面粗(cu)糙化(hua)处理(li)可使靶材表面(mian)布满丰(feng)富的凸(tu)起**，在(zai)**效(xiao)应(ying)的作用下(xia)，这(zhe)些凸起**的(de)电(dian)势(shi)将大(da)大提高， 从而(er)击(ji)穿(chuan)介(jie)质(zhi)放电(dian)，但(dan)是(shi)过(guo)大的(de)凸起对(dui)于溅(jian)射的(de)质(zhi)量(liang)和(he)稳(wen)定(ding)性(xing)是(shi)不利的(de)。
3.6焊(han)接(jie)结合
目(mu)前(qian)关于 Ti/Al异(yi)种(zhong)金属(shu)扩散焊接(jie)研究的(de)论文(wen)较多，通常(chang)对(dui)于(yu)高(gao)熔(rong)点钛(tai)与低(di)熔(rong)点铝材(cai)料(liao)的(de)扩散(san)焊(han)接，主(zhu)要是基于单(dan)向(xiang)或(huo)者双向(xiang)加(jia)压的真空(kong)扩(kuo)散(san)连接(jie)技(ji)术进行(xing)研究或采(cai)用热等(deng)静压(ya)技(ji)术实(shi)现(xian)钛(tai)、铝(lv) 金属(shu)材(cai)料(liao)的(de)高(gao)压(ya)中低(di)温(wen)直(zhi)接扩(kuo)散(san)连(lian)接。 Ti／Cu及Cu合金焊接(jie)国内厂(chang)商(shang)应用(yong)很多，但是(shi)研(yan)究论(lun)文较少。
4、Ti靶(ba)材(cai)展望(wang)
Ti靶(ba)材(cai)作为(wei)一种具有特(te)殊(shu)用(yong)途的(de)材(cai)料，具(ju)有(you)很强的 应用目的(de)和(he)明(ming)确的应(ying)用背(bei)景(jing)。脱离(li)金属 Ti的(de)冶金(jin)提(ti)纯(chun)技(ji)术、EB真空(kong)熔炼技术(shu)、 Ti锭(ding)无(wu)损探(tan)伤(shang)技(ji)术、 高(gao)纯(chun) Ti的杂质(zhi)分(fen)析技术、 Ti靶材(cai)的制备技(ji)术、溅射机(ji)台(tai)制备(bei)技术(shu)、溅射工(gong)艺和薄(bao)膜性能测试(shi)技(ji)术(shu)单纯地(di)研(yan)究(jiu)钛靶(ba)材(cai)本身没有(you)任何(he)意(yi)义(yi)。 Ti靶(ba)材的研发生(sheng)产(chan)及(ji)后续(xu)的应用改进涉(she)及(ji)一(yi)个(ge)从(cong)上(shang)游(you)原(yuan)材料(liao)到(dao)产(chan)业中游(you)设备制造商(shang)和(he)靶材制(zhi)造(zao)商(shang)共同研发(fa)、下(xia)游(you)Ti靶材(cai)镀(du)膜芯(xin)片(pian)应用(yong)的 整(zheng)个产业链。 Ti靶(ba)材(cai)性能(neng)与溅(jian)射薄(bao)膜(mo)性能(neng)之(zhi)间的(de)关系，既(ji)有(you)利(li)于(yu)获(huo)得(de)满足应用(yong) 需要的薄膜(mo)性(xing)能(neng)，又有利于更好(hao)的(de)使(shi)用靶(ba)材，充分发挥其作(zuo)用，促进靶材产业发展。
相关(guan)链(lian)接(jie)
