钛(tai)靶(ba)材具有(you)纯(chun)度(du)高(gao)、密(mi)度高(gao)、组(zu)织(zhi)结构(gou)优(you)良、使(shi)用(yong)寿(shou)命(ming)长(zhang)的特点(dian),广(guang)泛(fan)应用于(yu)电(dian)子(zi)、五金、钟(zhong)表(biao)、眼镜(jing)、首(shou)饰(shi)、刀(dao)具、模(mo)具(ju)、玩具(ju)、厨具(ju)、器(qi)皿、机(ji)械、真(zhen)空(kong)镀膜(mo)等领域(yu)。有关(guan)靶材(cai)的三(san)种常(chang)见性能表述,凯(kai)泽金(jin)属(shu)整(zheng)理(li)如下(xia):
1、纯(chun)度
纯度(du)是(shi)靶材(cai)的(de)主(zhu)要性能(neng)指(zhi)标(biao)之一,因(yin)为(wei)靶材的(de)纯度(du)对薄膜(mo)的性能影响很(hen)大。不过(guo)在(zai)实(shi)际应(ying)用(yong)中(zhong),对靶(ba)材(cai)的(de)纯(chun)度(du)要(yao)求也不(bu)尽相(xiang)同。例(li)如(ru),随着(zhe)微电子行(xing)业的迅速发(fa)展(zhan),硅片尺寸(cun)由6”, 8“发展到(dao)12”, 而(er)布线(xian)宽(kuan)度(du)由(you)0.5um减(jian)小(xiao)到0.25um,0.18um甚(shen)至0.13um,以前99.995%的(de)靶材纯(chun)度可以满足0.35umIC的(de)工艺(yi)要(yao)求(qiu),而(er)制备0.18um线条对(dui)靶材纯度则(ze)要(yao)求(qiu)99.999%甚至(zhi)99.9999%。

2、杂(za)质(zhi)含量
靶材固(gu)体(ti)中(zhong)的杂(za)质和(he)气(qi)孔中(zhong)的氧(yang)气和(he)水(shui)气是沉(chen)积(ji)薄(bao)膜的主(zhu)要污(wu)染源(yuan)。不同用途的靶材对(dui)不(bu)同杂质含(han)量(liang)的(de)要求(qiu)也(ye)不(bu)同(tong)。例如(ru),半导(dao)体(ti)工业用(yong)的(de)纯铝(lv)及(ji)铝(lv)合(he)金(jin)靶(ba)材,对碱金(jin)属含(han)量和(he)放射性元素(su)含(han)量(liang)都有(you)特(te)殊要求(qiu)。
3、密(mi)度
为(wei)了减(jian)少(shao)钛靶材(cai)固体中(zhong)的气孔(kong),提(ti)高溅(jian)射(she)薄膜(mo)的(de)性能(neng),通常要(yao)求靶材具(ju)有较高的(de)密度。靶材的(de)密(mi)度(du)不仅影响(xiang)溅射速(su)率(lv),还(hai)影(ying)响着薄膜(mo)的电学和光(guang)学(xue)性(xing)能。靶材(cai)密度越高(gao),薄(bao)膜(mo)的(de)性(xing)能越好。此(ci)外(wai),提高(gao)靶(ba)材(cai)的(de)密度和(he)强(qiang)度(du)使靶材能更好(hao)地(di)承(cheng)受(shou)溅(jian)射过程中的热(re)应力(li)。密(mi)度也是(shi)靶(ba)材(cai)的(de)关(guan)键(jian)性能(neng)指(zhi)标之一。
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