钛靶材的(de)主要性能(neng)

钛(tai)靶主(zhu)要分(fen)为圆(yuan)靶、板(ban)靶(ba)、管(guan)靶(ba)，凯(kai)泽(ze)金(jin)属常(chang)供(gong)牌(pai)号(hao)为TA0，TA1，TA2，TC4，TC6，TC11，GR5，TA7 。钛(tai)靶材主要(yao)应(ying)用于(yu)半导(dao)体分离器(qi)件(jian)、平(ping)面(mian)显示器(qi)、储存器(qi)电极(ji)薄(bao)膜、

溅(jian)射(she)镀膜、工(gong)件(jian)表面(mian)涂(tu)层(ceng)，玻(bo)璃镀膜(mo)工业等(deng)。有关(guan)钛靶材(cai)的性能，凯泽(ze)金(jin)属分享如下(xia)：

1、纯度(du)

纯度是靶材(cai)的(de)主要性能(neng)指(zhi)标之(zhi)一，因为(wei)靶材的(de)纯(chun)度(du)对(dui)薄(bao)膜(mo)的性(xing)能(neng)影响(xiang)很(hen)大。不过在实际应用中，对(dui)靶材的(de)纯(chun)度要求也不尽相同(tong)。例(li)如(ru)，随(sui)着(zhe)微电子行(xing)业的(de)迅速(su)发展，硅(gui)片尺寸(cun)由6", 8"发(fa)展(zhan)到12", 而布(bu)线宽度(du)由(you)0.5um减小到0.25um,0.18um甚至(zhi)0.13um，以前99.995%的(de)靶材纯度(du)可以(yi)满(man)足0.35umIC的(de)工艺要(yao)求(qiu)，而(er)制备(bei)0.18um线(xian)条对(dui)靶材(cai)纯(chun)度则要(yao)求(qiu)99.999%甚(shen)至(zhi)99.9999%。

2、杂(za)质(zhi)含量

靶材固(gu)体中的(de)杂(za)质和(he)气(qi)孔中(zhong)的氧气(qi)和(he)水(shui)气是沉(chen)积(ji)薄(bao)膜的主要(yao)污(wu)染源(yuan)。不(bu)同(tong)用途的靶(ba)材(cai)对不(bu)同杂质含(han)量(liang)的(de)要求也(ye)不(bu)同。例(li)如(ru)，半(ban)导体工业(ye)用的纯铝及(ji)铝合(he)金靶材(cai)，对(dui)碱金(jin)属(shu)含(han)量和放射性(xing)元(yuan)素(su)含(han)量都有(you)特(te)殊要求。

3、密度(du)

为(wei)了减少(shao)靶材固(gu)体中(zhong)的(de)气孔(kong)，提(ti)高(gao)溅射(she)薄(bao)膜(mo)的(de)性(xing)能，通常(chang)要(yao)求靶(ba)材(cai)具(ju)有(you)较高(gao)的密(mi)度。靶材(cai)的(de)密(mi)度(du)不(bu)仅(jin)影响(xiang)溅射(she)速率，还(hai)影响着(zhe)薄(bao)膜的电学(xue)和(he)光学性能(neng)。靶(ba)材(cai)密度(du)越(yue)高，薄(bao)膜(mo)的(de)性(xing)能越好(hao)。此外，提高(gao)靶材的(de)密度和(he)强(qiang)度使靶材(cai)能(neng)更好(hao)地(di)承受(shou)溅(jian)射过(guo)程中(zhong)的热(re)应(ying)力(li)。密(mi)度也(ye)是靶材(cai)的(de)关(guan)键(jian)性能指(zhi)标(biao)之一。

4、晶(jing)粒(li)尺(chi)寸及(ji)晶(jing)粒(li)尺寸分布

通(tong)常(chang)靶(ba)材为(wei)多(duo)晶结(jie)构(gou)，晶(jing)粒大小可(ke)由(you)微米到(dao)毫(hao)米量级(ji)。对于(yu)同(tong)一(yi)种靶(ba)材，晶粒细小(xiao)的靶的(de)溅(jian)射(she)速率(lv)比(bi)晶(jing)粒粗(cu)大的靶的(de)溅射(she)速率快;而晶粒尺(chi)寸相(xiang)差(cha)较小(xiao)(分(fen)布(bu)均匀(yun))的(de)靶(ba)溅(jian)射(she)沉(chen)积(ji)的薄(bao)膜的(de)厚(hou)度(du)分(fen)布更(geng)均(jun)匀(yun)。

相关(guan)链(lian)接