靶材(cai)的(de)应用(yong)领(ling)域比(bi)较(jiao)广(guang)泛(fan)在半(ban)导(dao)体(ti)领域、面(mian)板显示领(ling)域、光(guang)伏(fu)电池领(ling)域等领(ling)域(yu)中(zhong)都有一(yi)定作(zuo)用(yong)，而在(zai)半导(dao)体领(ling)域(yu)中应用(yong)的(de)靶材就(jiu)叫做(zuo)半(ban)导(dao)体靶(ba)材(cai)，半(ban)导体靶(ba)材的(de)应(ying)用要(yao)求比(bi)较严(yan)苛，对于靶(ba)材的(de)成分(fen)、组(zu)织(zhi)、性能(neng)都有(you)一(yi)定的要(yao)求，那么半导体靶材(cai)是(shi)什(shen)么(me)呢(ne)，有(you)什(shen)么种类？凯泽金(jin)属带(dai)大(da)家来了(le)解(jie)一(yi)下(xia)。
一(yi)、半(ban)导(dao)体(ti)靶材(cai)是(shi)什么
半(ban)导体靶(ba)材也是溅射靶(ba)材(cai)的(de)一(yi)种，是(shi)主(zhu)要应(ying)用(yong)在半导(dao)体领域(yu)使(shi)用的(de)靶材。在半(ban)导(dao)体(ti)芯片的(de)硅(gui)片(pian)制造、晶(jing)圆(yuan)制造、芯片封(feng)装等(deng)几个(ge)制(zhi)作环(huan)节中，晶圆(yuan)制(zhi)造和芯(xin)片(pian)封装(zhuang)都(dou)是(shi)需(xu)要(yao)使用半(ban)导体靶材的。
半(ban)导体靶材的主(zhu)要(yao)作用(yong)就是在(zai)芯片上(shang)制作(zuo)能传递信(xin)息的金属(shu)导(dao)线(xian)，具体的制(zhi)作(zuo)过(guo)程(cheng)是先(xian)利用高速(su)离(li)子流在真(zhen)空的(de)条(tiao)件(jian)下(xia)去(qu)轰击(ji)不同种(zhong)类(lei)的溅(jian)射靶材表(biao)面(mian)，这个过(guo)程(cheng)主要作(zuo)用是将(jiang)各(ge)种(zhong)靶材(cai)表面(mian)的原子(zi)一(yi)层层(ceng)地沉积到(dao)半导(dao)体(ti)芯片(pian)的表(biao)面(mian)，之(zhi)后将在(zai)芯片表(biao)面上(shang)沉积(ji)的金属薄膜(mo)刻成(cheng)纳(na)米(mi)级(ji)别(bie)大小的(de)金属线，并(bing)使用(yong)这个(ge)金(jin)属(shu)线(xian)连(lian)接(jie)芯片内部(bu)的微(wei)型晶体(ti)管(guan)，达(da)到传递(di)信号的(de)功能(neng)。
二、半(ban)导(dao)体(ti)靶材的分类(lei)
1、铜(tong)靶(ba)
铜(tong)靶(ba)材主(zhu)要(yao)应用(yong)在导电(dian)层，因为(wei)高(gao)纯铜材(cai)料(liao)的电阻比较(jiao)低，对(dui)于芯片(pian)的(de)集成度(du)提(ti)高(gao)比(bi)较有效，因此在(zai)110nm下的(de)技(ji)术(shu)节(jie)中(zhong)多被作为布(bu)线材(cai)料来(lai)使用
2、钽(tan)靶
钽(tan)靶材(cai)用在阻挡层(ceng)，主要(yao)用(yong)在(zai)12英寸(cun)晶圆(yuan)片(pian)90nm以下的(de)半(ban)导体芯片中。
3、铝靶(ba)
铝靶(ba)材(cai)应用(yong)在(zai)导电层(ceng)，高(gao)纯(chun)铝(lv)靶(ba)在(zai)制作半导体(ti)芯片导(dao)电(dian)层中(zhong)应用(yong)比(bi)较(jiao)广，但(dan)因为(wei)响应(ying)速度问题，在110nm以下的(de)技术节(jie)点中应用(yong)较少。
4、钛靶
钛(tai)靶主要(yao)应(ying)用在阻挡(dang)层(ceng)，高纯钛靶在(zai)8英寸晶圆(yuan)片(pian)130nm和(he)180nm的(de)技术节点(dian)上(shang)多有(you)应用(yong)。
5、钴靶
钴(gu)靶应(ying)用在接触层(ceng)，这(zhe)种(zhong)靶(ba)材能够在芯片表面(mian)的(de)硅层(ceng)上形(xing)成(cheng)一层(ceng)薄膜(mo)，起到一(yi)定的(de)接触作用。
6、钨(wu)靶(ba)
钨(wu)靶主要(yao)是应用(yong)在(zai)半导(dao)体(ti)芯片(pian)存(cun)储器领域中。
7、钨钛合金靶
这类(lei)靶材应用在接(jie)触层，因(yin)为(wei)钨(wu)钛(tai)合金有(you)着(zhe)电子迁(qian)移(yi)率低的优(you)点(dian)，因(yin)此(ci)可以(yi)作(zuo)为(wei)接触层(ceng)的材料用在(zai)芯(xin)片的(de)门电路(lu)中。
以上就(jiu)是(shi)凯(kai)泽金(jin)属(shu)给大(da)家(jia)带(dai)来的有(you)关(guan)半导(dao)体靶(ba)材是(shi)什(shen)么及半(ban)导体(ti)靶(ba)材(cai)的种类(lei)介绍(shao)，相(xiang)信(xin)您(nin)在读完(wan)上(shang)述(shu)文章(zhang)后对(dui)半(ban)导体(ti)靶(ba)材有了(le)一(yi)定的(de)了(le)解(jie)。随着技术(shu)的(de)不(bu)断进(jin)步(bu)，半(ban)导(dao)体靶(ba)材(cai)之后的应(ying)用前景还是(shi)比较广(guang)阔的(de)，如(ru)果(guo)您还想(xiang)了解(jie)更(geng)多有(you)关靶(ba)材(cai)的相(xiang)关信(xin)息(xi)，欢(huan)迎(ying)向(xiang)我们(men)留(liu)言(yan)咨(zi)询。
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