金(jin)属钛和钛溅射(she)靶(ba)材(cai)基本相同(tong)，均(jun)由钛(tai)元素(su)组(zu)成。区别在于金属钛更像原材料，而(er)钛(tai)靶材(cai)更像(xiang)钛产品。钛作为原料可以通过(guo)几(ji)种方(fang)法制(zhi)成钛(tai)溅(jian)射(she)靶材(cai)，它们(men)广泛(fan)用(yong)于电(dian)子(zi)，信息(xi)工业，家(jia)庭装(zhuang)饰，汽(qi)车(che)玻(bo)璃制(zhi)造(zao)等高科(ke)技(ji)领(ling)域。在(zai)这(zhe)些(xie)行业(ye)中(zhong)，钛靶(ba)材(cai)主要用(yong)于(yu)镀(du)膜集(ji)成电(dian)路，平(ping)板等部件的表(biao)面面(mian)板显示器，或作为装(zhuang)饰及(ji)玻(bo)璃镀(du)膜等(deng)。
不(bu)同(tong)的(de)行业(ye)对钛靶材(cai)有不同(tong)的(de)要求(qiu)。让(rang)我们(men)以钛电(dian)路为例。通(tong)常(chang)，我们(men)使(shi)用(yong)以下性能(neng)评(ping)估指(zhi)标(biao)来确定(ding)溅(jian)射靶(ba)材是否满足要(yao)求(qiu)：
非(fei)集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)用(yong)钛靶 集(ji)成电(dian)路(lu)用钛(tai)靶
纯度 99.90% 99.99%, 99.995%
微观结(jie)构(gou)（晶(jing)体尺寸(cun)） <100 nm <30 nm
焊接(jie)性(xing)能及(ji) 钎焊(han)，单(dan)体 单体(ti)、钎焊(han)、扩散焊
尺(chi)寸(cun)精(jing)度(du) 0.1 mm 0.01 mm
如(ru)上(shang)表(biao)所示，非(fei)集成电(dian)路和集(ji)成电(dian)路对钛(tai)溅(jian)射靶(ba)的(de)要(yao)求(qiu)是不同(tong)的。一(yi)般而(er)言，集(ji)成电路(lu)对涂层(ceng)材(cai)料(liao)有(you)很高的要(yao)求，例(li)如更(geng)高的(de)纯度(du)，更(geng)小(xiao)的(de)晶(jing)粒(li)尺寸以(yi)及(ji)更精确的(de)尺寸精度(du)。这(zhe)只(zhi)是一(yi)个例子，但(dan)它(ta)揭(jie)示了(le)不同行业对钛靶(ba)材的要(yao)求(qiu)不同(tong)。在为项(xiang)目(mu)寻(xun)找(zhao)钛(tai)靶(ba)时，请(qing)确(que)保(bao)您(nin)知(zhi)道所(suo)需(xu)产(chan)品(pin)的(de)确(que)切(qie)规(gui)格(ge)，这(zhe)有(you)助于(yu)节省时间和(he)金钱。
集成(cheng)电(dian)路中(zhong)使用的(de)钛靶材
从上(shang)表中可(ke)以(yi)看出(chu)，集成(cheng)电(dian)路钛靶(ba)的纯度(du)要求(qiu)主(zhu)要是大于99.995％，高于(yu)非集成电(dian)路(lu)中所(suo)用的纯度。
平(ping)板(ban)显示(shi)器(qi)包(bao)括液(ye)晶显(xian)示(shi)器（LCD），等离(li)子显(xian)示(shi)器(qi)（PDP），电致发(fa)光显示(shi)器（EL）和(he)场发(fa)射显(xian)示(shi)器(qi)（FED）。溅射镀膜(mo)技(ji)术(shu)通常用(yong)于沉(chen)积平(ping)板显(xian)示(shi)器的(de)薄(bao)膜。Al，Cu，Ti和Mo是平板(ban)显示(shi)器的主(zhu)要金(jin)属溅射靶材。用于平板(ban)显示器的钛靶(ba)材的纯度通常(chang)需(xu)要大(da)于(yu)99.9％。
钛(tai)靶的结构发(fa)展(zhan)
第一阶段：
早期(qi)的(de)芯片(pian)代(dai)工厂(chang)有(you)很(hen)高(gao)的(de)利(li)润(run)率(lv)。他(ta)们(men)主(zhu)要使用功(gong)率较(jiao)小(xiao)的100-150mm磁控溅射(she)机。溅射(she)膜(mo)厚(hou)，芯(xin)片(pian)尺(chi)寸大。当(dang)时，集(ji)成电(dian)路用(yong)钛靶材主要是(shi)100-150mm单体(ti)和复合(he)靶。
第(di)二(er)阶段(duan)：
在(zai)第二阶(jie)段(duan)，根据摩(mo)尔定(ding)律(lv)，芯片线(xian)宽度变(bian)窄(zhai)。为了增(zeng)加(jia)利(li)润(run)，芯片(pian)代工厂增加(jia)了该设备的(de)溅(jian)射功(gong)率(lv)，主(zhu)要使用(yong)了(le)150-200mm的溅射(she)设备。这需要在(zai)保持高(gao)导(dao)热(re)率，低(di)价格和(he)一(yi)定强度(du)的(de)同(tong)时(shi)增加靶的(de)尺寸。在(zai)此期(qi)间(jian)，钛靶材主(zhu)要(yao)由铝合(he)金(jin)背(bei)板(ban)扩散焊接和铜合金(jin)背(bei)板钎焊(han)和焊(han)接组成。
第(di)三(san)阶(jie)段(duan)：
在(zai)第三(san)阶(jie)段，随(sui)着集成电(dian)路的(de)发(fa)展，芯(xin)片线(xian)的(de)宽(kuan)度进一(yi)步(bu)变窄。这(zhe)时，芯片(pian)代工厂主要(yao)使(shi)用200-300mm的(de)溅射(she)机(ji)，对(dui)靶材的要求(qiu)更(geng)加(jia)严(yan)格。在(zai)此(ci)期(qi)间(jian)，Ti靶材(cai)主(zhu)要(yao)由(you)铜合(he)金(jin)背(bei)板(ban)扩(kuo)散(san)焊接制(zhi)成。
相(xiang)关链(lian)接
