钛(tai)镍(nie)锆靶(ba)材(cai)的新分(fen)类(lei)方(fang)法

简单地说(shuo)，靶(ba)材(cai)就是高速荷能(neng)粒(li)子(zi)轰(hong)击的目标材料(liao)，通过(guo)更换(huan)不同的(de)靶(ba)材(cai)(如(ru)铝、铜、不锈(xiu)钢(gang)、钛、镍靶等)，即可(ke)得(de)到(dao)不(bu)同的膜(mo)系(xi)(如(ru)超(chao)硬(ying)、耐(nai)磨、防腐(fu)的合金膜等(deng))。

1、溅射靶材按照化(hua)学成分(fen)分(fen)为

1）金(jin)属(shu)靶(ba)材(cai)(纯金属(shu)铝(lv)、钛、铜(tong)、钽(tan)等(deng))

2）合(he)金(jin)靶材(镍(nie)铬合金、镍钴合(he)等)

3）陶瓷(ci)化合(he)物靶材(氧(yang)化物、硅(gui)化物(wu)、碳化物、硫(liu)化物等(deng))。

2、按开关不同可(ke)分(fen)为(wei)

长(zhang)靶、方靶(ba)、圆(yuan)靶(ba)。

3、按(an)应用(yong)领域不同可(ke)分(fen)为(wei)

半(ban)导体芯(xin)片靶(ba)材、平(ping)面显(xian)示(shi)器(qi)靶材(cai)、太(tai)阳能(neng)电池靶(ba)材(cai)、信息(xi)存(cun)储靶(ba)材、具改性靶材、电(dian)子器(qi)件(jian)靶材、其(qi)他靶材。

看到(dao)这(zhe)里(li)，大(da)家应该(gai)了解(jie)了高纯(chun)溅射(she)靶材(cai)，知道了金属靶(ba)材的(de)铝(lv)、钛、铜、钽，在半(ban)导(dao)体(ti)晶圆制造中(zhong)，200mm( 8寸(cun))及(ji)以下晶(jing)圆(yuan)制(zhi)造(zao)通(tong)常以(yi)铝(lv)制(zhi)程(cheng)为(wei)主，使(shi)用(yong)的靶材(cai)以铝(lv)、钛元素(su)为主。300mm( 12寸)晶圆制(zhi)造(zao)，多使(shi)用(yong)先(xian)进的(de)铜互连技术，主(zhu)要(yao)使(shi)用铜、钽(tan)靶材(cai)。

靶材是什么，大(da)家应该都看懂(dong)了(le)，总(zong)体来(lai)看(kan)，随着芯片的(de)使用范(fan)围(wei)越来(lai)越广泛，芯片(pian)市(shi)场(chang)需求(qiu)数(shu)量(liang)增(zeng)长(zhang),对于(yu)铝、钛(tai)、钽、铜这(zhe)四种(zhong)业界(jie)主流(liu)的(de)薄膜金属材料的需(xu)求(qiu)也一定会(hui)有增长。且目(mu)前(qian)还(hai)不能(neng)找到可以(yi)代(dai)替(ti)这(zhe)四(si)种(zhong)薄(bao)膜金属(shu)材料的(de)其他方案。

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