一(yi)、前言
集成电路产业是(shi)信息技术(shu)领(ling)域(yu)的核(he)心(xin)产(chan)业(ye)，是(shi)事(shi)关经(jing)济社会发(fa)展和国家(jia)安全的战(zhan)略性、基(ji)础性、先导(dao)性产业(ye)。随着第五代移(yi)动通信(xin)、物联网、人(ren)工智(zhi)能等(deng)信息(xi)技术(shu)的迅速(su)发展，集(ji)成电路(lu)的重(zhong)要(yao)性更(geng)加凸显(xian)，相(xiang)关产业持续高增长。材(cai)料是集成(cheng)电(dian)路(lu)产(chan)业链的(de)上游环(huan)节(jie)，对(dui)集(ji)成电(dian)路制造业发(fa)展(zhan)与(yu)创新起(qi)着(zhe)至关重要的支(zhi)撑(cheng)作用(yong)[1]；一(yi)代(dai)技(ji)术(shu)依赖一代(dai)工(gong)艺(yi)，一代工(gong)艺(yi)依(yi)赖(lai)一代(dai)材料。在后(hou)摩尔(er)时(shi)代(dai)，无(wu)论(lun)是延续摩尔(er)定律，还(hai)是(shi)扩(kuo)展(zhan)摩(mo)尔定律(lv)，集成(cheng)电路性(xing)能(neng)提(ti)升(sheng)主(zhu)要(yao)依(yi)赖(lai)新材料(liao)、新工艺、新器件(jian)、新集(ji)成(cheng)技(ji)术[2,3]。为(wei)了制(zhi)造(zao)具有更(geng)高运(yun)转(zhuan)速(su)度(du)、增(zeng)强(qiang)性(xing)能(neng)特征(zheng)、更低功(gong)耗(hao)的新器(qi)件(jian)，需要开发高(gao)性能(neng)新(xin)材(cai)料。
高(gao)纯(chun)金(jin)属(shu)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)是集(ji)成电路金(jin)属化(hua)工(gong)艺(yi)中采用(yong)物理(li)气(qi)相(xiang)沉(chen)积(ji)方法(fa)制(zhi)备(bei)薄膜的关键材(cai)料。早(zao)期的(de)集成(cheng)电路主要(yao)使(shi)用(yong)铝(lv)及(ji)铝合金(jin)、钛(tai)及部分(fen)贵(gui)金(jin)属(shu)等(deng)作(zuo)为(wei)靶材(cai)；随着(zhe)集成电(dian)路(lu)先进逻辑、先(xian)进(jin)存(cun)储、先(xian)进封(feng)装以(yi)及(ji)其他新器件技术(shu)的发展(zhan)，使(shi)用靶(ba)材拓展(zhan)至(zhi)铜、钽、钴、镍、钨、钼、钒(fan)、金、银、铂、钌、钪(kang)、镧(lan)等(deng)有(you)色金(jin)属(shu)及合(he)金材料[4~6]。与(yu)平(ping)面(mian)显示、太阳能等(deng)领(ling)域相(xiang)比(bi)，集成(cheng)电(dian)路(lu)对(dui)靶材(cai)的(de)技(ji)术要求(qiu)最高(gao)，集(ji)成(cheng)电路用(yong)靶(ba)材的制备技(ji)术(shu)突(tu)破难度(du)最(zui)大[7~9]。为(wei)了提(ti)升靶(ba)材(cai)的(de)综(zong)合(he)性能，在(zai)高纯金(jin)属(shu)冶金(jin)提(ti)纯(chun)、熔铸(zhu)成(cheng)型(xing)、粉(fen)末(mo)烧(shao)结(jie)、微(wei)观(guan)组(zu)织调(diao)控、异(yi)质焊接，靶(ba)材(cai)结(jie)构优化(hua)设计(ji)、分析(xi)检测(ce)、应(ying)用评价等方面(mian)开展了系统研(yan)发[4~9]。随着(zhe)集(ji)成(cheng)电路(lu) 7 nm 及(ji)以下(xia)先进逻(luo)辑(ji)器件(jian)、新型存储器(qi)件、三(san)维集(ji)成(cheng)等(deng)先(xian)进器(qi)件及(ji)技(ji)术的创(chuang)新突破(po)[3]，靶材(cai)技术(shu)性(xing)能提升(sheng)方(fang)面(mian)的需(xu)求(qiu)更(geng)显迫(po)切，同(tong)时(shi)下(xia)游应用(yong)验(yan)证的难(nan)度(du)进(jin)一步(bu)增(zeng)大(da)。
客观(guan)来看，目(mu)前(qian)全球集成(cheng)电路(lu)用高(gao)纯金属(shu)溅(jian)射(she)靶(ba)材市(shi)场由(you)美国、日(ri)本(ben)企业占(zhan)据主导地位(wei)；虽然我(wo)国(guo)有(you)色金(jin)属(shu)行业(ye)具有规(gui)模优势(shi)，但(dan)在(zai)电(dian)子(zi)信息领(ling)域的(de)高(gao)纯金属(shu)新(xin)材(cai)料开发(fa)方(fang)面滞后于下(xia)游产业的(de)发展需(xu)求，有(you)关(guan)材料(liao)亟待突(tu)破(po)并实(shi)现自主(zhu)可(ke)控(kong)。当前(qian)，国家(jia)级(ji)发展规划(hua)已将高纯(chun)金属和溅射(she)靶(ba)材(cai)列为新(xin)一(yi)代信(xin)息(xi)技(ji)术(shu)产(chan)业发(fa)展(zhan)的(de)重(zhong)要材料(liao)类型。在此(ci)背(bei)景下(xia)，本文针(zhen)对集(ji)成电(dian)路用(yong)高(gao)纯(chun)金属(shu)溅射靶材，分析(xi)需(xu)求、梳理现状(zhuang)、剖(pou)析问(wen)题(ti)，进而明(ming)确重(zhong)点(dian)方(fang)向、提(ti)出(chu)保障建议(yi)，以为高纯金(jin)属(shu)溅射靶(ba)材的(de)科技(ji)进(jin)步、行业(ye)升(sheng)级以及相(xiang)应材料(liao)基(ji)础研究提供(gong)参考(kao)。
二、集(ji)成(cheng)电路用(yong)高纯金属(shu)溅射靶材应(ying)用需(xu)求分(fen)析
（一）材(cai)料(liao)功能(neng)需求
高(gao)纯(chun)金属(shu)溅射(she)靶材(cai)在集成电路(lu)前道(dao)晶(jing)圆(yuan)制造(zao)、后道封(feng)装的金属(shu)化工艺(yi)中(zhong)有着广(guang)泛应(ying)用，主(zhu)要用(yong)于制作互连(lian)线、阻挡层(ceng)、通(tong)孔(kong)、接触层(ceng)、金(jin)属栅以(yi)及润(run)湿(shi)层(ceng)、黏(nian)结(jie)层(ceng)、抗(kang)氧化层(ceng)等薄(bao)膜(mo)[4,6]。在晶(jing)圆(yuan)制(zhi)造中，对于逻辑器件，互连(lian)、接(jie)触(chu)、栅(zha)极等所需关(guan)键薄膜材料(liao)，随着技术节点的(de)缩(suo)小而(er)在不断演变。① 早(zao)期的(de)铝(lv)互(hu)连(lian)工艺，铝(lv)及(ji)铝(lv)合金(jin)用作互(hu)连(lian)线(xian)材(cai)料，钛用作对应的阻(zu)挡(dang)层材(cai)料(liao)；在(zai)90 nm 节(jie)点(dian)后，铜互连工艺成(cheng)为主流，铜及铜合金(jin)用作(zuo)互连线材料，钽(tan)用(yong)作对应的(de)阻(zu)挡层(ceng)材料(liao)；对于(yu)7 nm 及以(yi)下(xia)节(jie)点，晶(jing)体(ti)管(guan)结(jie)构(gou)的(de)变(bian)革(ge)使(shi)得钴(gu)、钌(liao)、
钼(mu)、钨等(deng)金(jin)属及(ji)合(he)金(jin)等成(cheng)为更具潜(qian)力的(de)互连线或(huo)阻(zu)挡层材(cai)料(liao)[10~12]。② 关于(yu)晶(jing)体管(guan)源(yuan)、漏和(he)栅极与金(jin)属连线(xian)之间(jian)的接(jie)触层(ceng)材料，随着(zhe)技术节点(dian)的缩(suo)小(xiao)也(ye)从(cong)早期(qi)钛、钴的(de)硅化物(wu)逐渐发展(zhan)为以镍(nie)（掺(can)铂）为主(zhu)的硅化(hua)物(wu)[13]。③ 在晶(jing)体管缩小的过程(cheng)中，自 45 nm节(jie)点(dian)引入高介(jie)电(dian)金(jin)属栅(zha)极后，采用(yong)钛、钽等金(jin)属(shu)及(ji)氮化物材(cai)料取(qu)代(dai)多(duo)晶硅(gui)制作(zuo)金属(shu)栅(zha)极(ji)，获(huo)得了(le)合(he)适(shi)的有效(xiao)功函(han)数(shu)和(he)高的热(re)稳(wen)定(ding)性(xing)[6]。
存(cun)储(chu)器件包括动态随(sui)机(ji)存(cun)取(qu)内存(cun)、闪存(cun)等主流(liu)存储芯片(pian)，磁(ci)性(xing)随(sui)机存(cun)储(chu)器、相(xiang)变(bian)随机存(cun)储(chu)器等(deng)新型(xing)存(cun)储(chu)芯片；除了技(ji)术节点(dian)缩小(xiao)带(dai)来的互连、接触(chu)等(deng)材料演变外(wai)，在(zai)存储功(gong)能(neng)方面对材料(liao)提出了(le)新(xin)的更高(gao)要求，因(yin)而(er)钨及(ji)钨(wu)合(he)金(jin)、镧(lan)、钴铁(tie)硼、锗锑碲(di)等(deng)金(jin)属及合(he)金材料(liao)在栅极层(ceng)、磁性层、相变(bian)层(ceng)等功能薄(bao)膜(mo)构建方面将(jiang)发挥重要(yao)作用[3,6]。对(dui)于后(hou)道(dao)封装(zhuang)，随着(zhe)集成电路(lu)先进封装(zhuang)技术的发展(zhan)，在(zai)凸(tu)点下金(jin)属层、重布线层、硅(gui)通(tong)孔等(deng)工艺(yi)中，铝、钛(tai)、铜、钽、钨(wu)钛(tai)、金(jin)、银(yin)、镍(nie)钒等材(cai)料广泛用于薄(bao)膜(mo)制(zhi)备，实(shi)现(xian)芯片与(yu)芯(xin)片(pian)、芯片(pian)与(yu)基板
之(zhi)间(jian)的(de)高密度可(ke)靠互连[6,7]。
高纯(chun)金属是(shi)制备靶(ba)材的(de)原材(cai)料(liao)，化学纯(chun)度是影(ying)响(xiang)薄膜(mo)材(cai)料(liao)性能(neng)的(de)关键因素(su)之(zhi)一。集(ji)成(cheng)电路用(yong)高(gao)纯金(jin)属(shu)靶(ba)材纯度通(tong)常(chang)在4N5以(yi)上(shang)，对(dui)碱(jian)金(jin)属、碱(jian)土金属(shu)、放射(she)性金属(shu)元(yuan)素、气(qi)体杂质等(deng)都(dou)有严(yan)格(ge)控制要求。随着技(ji)术节(jie)点(dian)的(de)缩小(xiao)，金属靶材的纯度(du)对薄(bao)膜(mo)材料性(xing)能(neng)及品质的(de)影响突显，如14 nm用铜靶(ba)材(cai)纯度要(yao)求超过6N5。高(gao)纯金(jin)属材(cai)料(liao)提纯制(zhi)备(bei)技术(shu)主(zhu)要(yao)分(fen)为(wei)物(wu)理提(ti)纯(chun)法、化学(xue)提纯(chun)法(fa)，通常采(cai)用(yong)多种(zhong)物(wu)理、化学方法联(lian)合提纯来(lai)制备(bei)集成电路(lu)用高(gao)纯材(cai)料。
集成电(dian)路(lu)用高纯金(jin)属溅(jian)射靶(ba)材(cai)在(zai)密度、晶(jing)粒(li)尺(chi)寸(cun)、织构、焊接(jie)结合率、尺(chi)寸精度(du)、表面(mian)质(zhi)量等方面有一(yi)整套严(yan)格的标(biao)准。集(ji)成电(dian)路工(gong)艺越(yue)先(xian)进(jin)，对金(jin)属靶(ba)材品(pin)质(zhi)的(de)要求(qiu)也(ye)越高。随着晶圆(yuan)尺(chi)寸的(de)增加(jia)，金属(shu)靶(ba)材(cai)尺寸随之(zhi)增大，材(cai)料的组(zu)织(zhi)均匀(yun)性(xing)控(kong)制(zhi)、高(gao)精(jing)度(du)成(cheng)型(xing)加工(gong)等(deng)技术难(nan)度也在(zai)提(ti)升。为(wei)了(le)进(jin)一步提高金(jin)属靶材的使用(yong)性能(neng)，还(hai)需对靶(ba)材外型结(jie)构进(jin)行优化设计。因(yin)此(ci)，从(cong)微观品(pin)质、宏观(guan)规(gui)格来(lai)看，高(gao)纯(chun)金属溅射靶材面(mian)临着越(yue)来越(yue)高(gao)的技术要(yao)求。
（二）产(chan)业发展(zhan)需(xu)求
“核心电子(zi)器件、高(gao)端通用芯片及基(ji)础软件产品”“极大规(gui)模(mo)集(ji)成电路制(zhi)造(zao)装(zhuang)备(bei)及成(cheng)套(tao)工(gong)艺(yi)”国家科(ke)技重(zhong)大专(zhuan)项的(de)实施，确立(li)了集成电路产(chan)业(ye)的技术(shu)基础(chu)，在(zai)关(guan)键装(zhuang)备、材(cai)料产(chan)业(ye)方面(mian)实现(xian)了重(zhong)要(yao)突(tu)破(po)。
2014年设(she)立(li)了国(guo)家集(ji)成电路产(chan)业投(tou)资(zi)基(ji)金(jin)，保持了对(dui)集成电(dian)路(lu)产(chan)业(ye)的扶(fu)持(chi)力度(du)。我(wo)国集(ji)成电(dian)路市场规模(mo)达到(dao) 10 458 亿元(yuan)（2021 年(nian)），年(nian)均(jun)复(fu)合(he)增长率为(wei)19.3%[14]。2021 年，我国(guo)集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)产量(liang)为 3594 亿(yi)块(kuai)（同比(bi)增长33.3%），进(jin)口(kou)量(liang)为6355亿(yi)块（同比(bi)增长(zhang)16.9%）[15]。我国(guo)集(ji)成(cheng)电(dian)路产业发展较(jiao)快，但因制(zhi)造(zao)技(ji)术(shu)滞后于国(guo)际(ji)先(xian)进(jin)水平(ping)，高(gao)端(duan)芯片(pian)、重(zhong)大装(zhuang)备(bei)、关键(jian)材料的进(jin)口(kou)依存(cun)度(du)居(ju)高(gao)不(bu)下，亟待(dai)自主创新(xin)发展(zhan)。
集(ji)成电路(lu)市场的旺(wang)盛(sheng)需求、产业自主可(ke)控(kong)发展(zhan)需求等(deng)，推(tui)动(dong)了高(gao)纯金属(shu)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)行(xing)业发展(zhan)，相(xiang)应(ying)市场(chang)规模从 8.4 亿元（2015 年(nian)）增(zeng)长(zhang)到 18.2 亿元（2022 年）[14]。在数字(zi)经济(ji)驱(qu)动下(xia)，半导体行(xing)业(ye)的长(zhang)期高(gao)景(jing)气度，国(guo)产(chan)化替代(dai)进(jin)程加速(su)，使得集(ji)成(cheng)电路(lu)产业(ye)对各种(zhong)高纯(chun)金(jin)属材料(liao)及(ji)溅射靶材(cai)的(de)需求量将持续(xu)增(zeng)长，从(cong)而(er)为(wei)高端有色金属材料行业(ye)发(fa)展(zhan)提供宝(bao)贵(gui)机遇(yu)和广阔(kuo)空(kong)间(jian)。
三(san)、集(ji)成(cheng)电路用高(gao)纯金属溅射靶(ba)材(cai)的(de)发(fa)展(zhan)现(xian)状(zhuang)
（一(yi)）集成电(dian)路用(yong)高纯金属(shu)溅射(she)靶材(cai)行(xing)业的(de)整体情况(kuang)
1. 国际(ji)情(qing)况(kuang)
工业发(fa)达(da)国(guo)家在(zai)集(ji)成(cheng)电路(lu)用高纯(chun)金(jin)属(shu)溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)方(fang)向的开发(fa)与(yu)应(ying)用(yong)，时间(jian)久、基(ji)础好(hao)、系(xi)统(tong)性(xing)强(qiang)、积(ji)累深厚(hou)，相关的产(chan)业(ye)技术(shu)水平(ping)很(hen)高(gao)。尤(you)其(qi)是美(mei)国、日本，较早(zao)开(kai)展(zhan)高纯(chun)金属溅射(she)靶材的(de)研(yan)发工(gong)作，积极布(bu)局(ju)核(he)心(xin)专利(li)，具(ju)有完(wan)备(bei)的技术垂直整(zheng)合(he)能(neng)力(li)（从金属材料(liao)的(de)高(gao)纯化(hua)制备(bei)到(dao)靶(ba)材(cai)制(zhi)造(zao)生(sheng)产），在(zai)高(gao)端(duan)靶材(cai)市(shi)场(chang)占据优势(shi)地位(wei)。
日本(ben)在(zai)半导(dao)体(ti)材料(liao)方(fang)向全(quan)球领先，从事高(gao)纯(chun)金属(shu)研(yan)制(zhi)的(de)企(qi)业(ye)有日立(li)金(jin)属株(zhu)式会社、住友(you)化(hua)学株式会社、三菱综(zong)合(he)材料株(zhu)式(shi)会(hui)社、日矿(kuang)金属株(zhu)式(shi)会(hui)社等(deng)，可(ke)工业(ye)化生产铝、钛(tai)、铜(tong)、镍、钴(gu)、钽、钨等高纯产(chan)品(pin)（最(zui)高纯度(du)在(zai)6N以上）。美(mei)国(guo)作为(wei)半(ban)导(dao)体(ti)大国，大(da)量生产(chan)和消耗(hao)高纯金(jin)属(shu)材(cai)料(liao)，如霍尼韦(wei)尔(er)国际公司可(ke)提供除(chu)铝(lv)之(zhi)外(wai)的(de)集(ji)成电(dian)路(lu)用高(gao)纯金属材料。海德鲁公(gong)司(si)（挪(nuo)威）、普(pu)莱克斯有(you)限公司(si)（法国）在高(gao)纯(chun)铝市(shi)场具(ju)有优势(shi)，世泰科(ke)公(gong)司（德(de)国(guo)）、攀(pan)时(shi)公司（奥地(di)利）在(zai)高(gao)纯(chun)钨、钼(mu)、钽等(deng)难熔(rong)金(jin)属市(shi)场(chang)具有(you)优势，优美(mei)科(ke)公(gong)司（比(bi)利时）在高纯(chun)稀贵金属(shu)生产(chan)与(yu)回收方(fang)面(mian)具有(you)优(you)势。集(ji)成电路用(yong)高端溅射靶(ba)材的(de)主(zhu)要研(yan)制和(he)生(sheng)产(chan)企(qi)业有(you)日矿(kuang)金(jin)属(shu)株(zhu)式会(hui)社、霍尼韦(wei)尔国际公司、普莱(lai)克斯有限公司等[16]。例(li)如(ru)，
日(ri)矿金属株(zhu)式(shi)会(hui)社作(zuo)为(wei)世(shi)界最(zui)大(da)的集(ji)成电(dian)路靶材(cai)供(gong)应(ying)商(shang)，在(zai)铜、钽(tan)、钴(gu)、镍(nie)铂、钨等高(gao)纯靶(ba)材(cai)方(fang)向占据(ju)着(zhe)较高(gao)的市(shi)场(chang)份(fen)额，与集(ji)成电(dian)路制(zhi)造(zao)企业(ye)合作广(guang)泛。
2. 国(guo)内情(qing)况
在(zai)我国(guo)，集成(cheng)电(dian)路用(yong)高(gao)纯(chun)金(jin)属溅射靶材(cai)行(xing)业(ye)起步较(jiao)晚、基础薄弱，近(jin)年来受益(yi)于国(guo)家支持(chi)及(ji)自身(shen)成长(zhang)，突(tu)破关(guan)键(jian)制备(bei)技术(shu)并形成(cheng)高(gao)纯金属(shu)原(yuan)料和溅射(she)靶材研(yan)发(fa)制造体系(xi)，在产(chan)品性能(neng)方面逐(zhu)步缩小与(yu)世(shi)界水(shui)平的差距。
在高(gao)纯(chun)金(jin)属方(fang)面(mian)，国内(nei)企业围绕(rao)集(ji)成(cheng)电(dian)路用(yong)靶材(cai)需求(qiu)，共(gong)同推动高纯金属(shu)材(cai)料(liao)行业(ye)发展(zhan)；代表(biao)性(xing)的企(qi)业(ye)有(you)新疆(jiang)众(zhong)和股(gu)份有(you)限(xian)公司、有(you)研(yan)亿(yi)金(jin)新(xin)材料有限(xian)公(gong)司(si)、宁(ning)夏东(dong)方(fang)钽(tan)业(ye)股份(fen)有限公司(si)、金(jin)川(chuan)集(ji)团股(gu)份(fen)有(you)限公(gong)司(si)、宁波(bo)创(chuang)润新(xin)材(cai)料有限公(gong)司(si)、厦(sha)门钨(wu)业股份有(you)限(xian)公司等。整体(ti)来(lai)看(kan)，国内企业掌(zhang)握(wo)了多(duo)种(zhong)高(gao)纯(chun)金(jin)属(shu)制备(bei)技术(shu)并实(shi)现(xian)产(chan)业化(hua)：严(yan)格(ge)控制有害(hai)杂(za)质(zhi)元素(su)
含(han)量，实现金属(shu)纯(chun)度(du)从工(gong)业级(ji)向电(dian)子(zi)级(ji)提升(sheng)；完(wan)成高纯铝(lv)、铜、钛、钽(tan)、镍、钴(gu)、贵金属等(deng)材料(liao)的国产化（铝纯度>5N5，铜(tong)纯(chun)度>6N，钽纯(chun)度(du)>4N5，钛(tai)、镍、钴、金(jin)、银(yin)、铂(bo)、钨(wu)等(deng)金属(shu)纯度(du)>5N），制(zhi)备了(le)大(da)尺(chi)寸、低(di)缺(que)陷、高纯度(du)的(de)金属坯(pi)料(liao)用(yong)于(yu)溅射靶(ba)材生(sheng)产。
在溅射(she)靶(ba)材(cai)方面(mian)，国内(nei)企(qi)业(ye)以有研亿(yi)金新(xin)材(cai)料有(you)限(xian)公(gong)司(si)、宁波江丰(feng)电(dian)子材(cai)料股份(fen)有限(xian)公(gong)司为代(dai)表(biao)，已在(zai)国(guo)际(ji)市(shi)场占有(you)一(yi)席之地(di)。针(zhen)对不同种类高(gao)纯金(jin)属(shu)的(de)加工特(te)性，相关(guan)企(qi)业(ye)制定(ding)了专(zhuan)有的(de)微(wei)观组(zu)织控(kong)制(zhi)策略并(bing)不(bu)断(duan)优化工(gong)艺，突(tu)破(po)了晶粒(li)细(xi)化(hua)与取向(xiang)可控(kong)、高质量(liang)焊(han)接(jie)、精密加(jia)工与检测(ce)等(deng)关键制(zhi)备技术(shu)；联(lian)合产(chan)业链的上(shang)下(xia)游企业(ye)，在涵(han)盖(gai)靶(ba)材(cai)设计及制(zhi)备、
薄膜性(xing)能(neng)测(ce)试评价(jia)在内(nei)的全技(ji)术(shu)链条上开展(zhan)合作(zuo)，驱动技(ji)术迭(die)代(dai)创新。目(mu)前(qian)，高(gao)纯(chun)铝(lv)及铝合金(jin)、钛、铜(tong)及(ji)铜合(he)金(jin)、钴、镍铂(bo)及贵金(jin)属(shu)等(deng)靶(ba)材(cai)技(ji)术(shu)取得突破(po)，产品(pin)性能达(da)到(dao)国(guo)外同(tong)类(lei)水(shui)平，通(tong)过(guo)了国(guo)内(nei)外(wai)集成(cheng)电路(lu)企业验(yan)证，实(shi)现批(pi)量生产和(he)稳定(ding)供(gong)应。
（二(er)）集(ji)成(cheng)电路(lu)用高纯金属溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的细分方向研(yan)制(zhi)情况(kuang)
1. 高纯铝(lv)及(ji)铝(lv)合金(jin)靶材
铝(lv)具(ju)有(you)易于(yu)沉(chen)积(ji)、刻蚀性能与(yu)加(jia)工(gong)性能好、电(dian)导(dao)率(lv)高(gao)、导热(re)性(xing)能好(hao)、与(yu)衬(chen)底之间(jian)的(de)附着(zhe)性(xing)及结合(he)性能(neng)好、成本低(di)廉(lian)等(deng)特点(dian)，在90 nm技(ji)术节点(dian)以(yi)上(shang)是主(zhu)要的(de)互连线材料，在(zai)先(xian)进(jin)封(feng)装方面也(ye)有广(guang)泛应用。纯铝用(yong)作(zuo)互连(lian)金(jin)属材(cai)料(liao)会产生“铝穿刺(ci)”“电迁(qian)移(yi)”问(wen)题(ti)，可添(tian)加(jia)铜、硅(gui)以有效(xiao)抑制铝(lv)单晶颗粒(li)移(yi)动，从而(er)改善(shan)铝金属互(hu)连(lian)线(xian)导(dao)致的半(ban)导(dao)体结(jie)构(gou)漏电现(xian)象，
同时有(you)效(xiao)控(kong)制(zhi)铝(lv)金(jin)属(shu)互连(lian)线之间(jian)的接(jie)触电(dian)阻[6]。
在铝(lv)靶材方(fang)面(mian)，国内外(wai)的技术水(shui)平整(zheng)体相(xiang)当(dang)，主要(yao)的(de)靶(ba)材供应(ying)商(shang)都能(neng)制备多(duo)种(zhong)型(xing)号(hao)的铝(lv)靶(ba)材(cai)产品。海(hai)德鲁(lu)公司(si)、普莱克(ke)斯有(you)限公(gong)司(si)、住友(you)化学(xue)株(zhu)式(shi)会(hui)社(she)是国(guo)外(wai)主要的(de)高(gao)纯(chun)铝(lv)原材料供应(ying)商。新疆(jiang)众(zhong)和股份(fen)有限(xian)公司、南(nan)通泰(tai)德电(dian)子材(cai)料(liao)科(ke)技(ji)有(you)限公(gong)司(si)研制(zhi)的铝最(zui)高纯(chun)度达(da)到 6N，在集(ji)成(cheng)电(dian)路领域实(shi)现(xian)国(guo)产(chan)材料应(ying)用。未来需要(yao)在(zai)大(da)尺寸、细晶低(di)缺陷高纯(chun)铝及(ji)铝合(he)金铸(zhu)锭(ding)方面继(ji)续提升(sheng)，实现更高(gao)水平的性能一(yi)致(zhi)性与稳(wen)定(ding)性(xing)。
2. 高纯铜及铜(tong)合金(jin)靶(ba)材
铜相比(bi)铝具(ju)有(you)更(geng)低的(de)电阻率(lv)、更高的导(dao)热(re)性、更好(hao)的(de)抗电迁(qian)移(yi)能(neng)力。铜及(ji)铜合金作为(wei)90~7 nm技(ji)术(shu)节点集成(cheng)电路(lu)互连材料(liao)，不(bu)仅(jin)可以降低延(yan)迟(chi)、提高(gao)运算效率，还(hai)能提(ti)高集成电路的(de)可(ke)靠(kao)性[12]。在90 nm 工艺(yi)节点(dian)，采(cai)用高纯(chun)铜靶(ba)材(cai)制备铜互(hu)连(lian)线籽(zi)晶层(ceng)，但(dan)因(yin)铜(tong)线容(rong)易(yi)与SiO2基(ji)底发生(sheng)互(hu)扩散而(er)导致器(qi)件失效(xiao)。在(zai) 65~1X nm 工艺(yi)节点(dian)，可(ke)通过合金化提高(gao)铜(tong)籽晶层(ceng)的稳定性(xing)，如(ru)采(cai)用(yong) Cu-Al、Cu-Mn 等(deng)合金材(cai)料来抑制(zhi)线宽减小带来(lai)的(de)电(dian)迁(qian)移及(ji)电阻电(dian)容延(yan)迟等(deng)问题。在14~7 nm工(gong)艺节(jie)点，采用(yong)更(geng)高(gao)纯度(du)的(de)铜(tong)靶材(cai)制备(bei)集(ji)成电路(lu)互(hu)连线籽(zi)晶层。此(ci)外(wai)，铜磷阳极(ji)通常配合(he)铜(tong)及铜合(he)金(jin)靶材(cai)用(yong)于互连线(xian)制备。
日矿(kuang)金(jin)属株(zhu)式会(hui)社(she)、霍(huo)尼(ni)韦(wei)尔(er)国(guo)际公(gong)司(si)在(zai)高纯(chun)铜原材(cai)料提纯、高(gao)端铜(tong)及(ji)铜(tong)合金(jin)靶材(cai)方(fang)面(mian)具有(you)完备(bei)的生产(chan)线(xian)，是世界高(gao)纯(chun)铜及铜(tong)合(he)金(jin)靶(ba)材(cai)的(de)主(zhu)要(yao)供(gong)应商(shang)。有研亿金新材料(liao)有限(xian)公(gong)司成为(wei)世界第(di)三家(jia)拥(yong)有(you)完整的超高(gao)纯(chun)铜(tong)提纯(chun)、超(chao)高纯铜(tong)及(ji)铜(tong)合(he)金(jin)靶(ba)材产品制备技术(shu)并(bing)实(shi)现(xian)批量(liang)应(ying)用(yong)的(de)公(gong)司，生产(chan)的高纯(chun)铜材(cai)料(liao)最高(gao)纯(chun)度(du)达到 7N。随(sui)着国内(nei) 90 nm 以下(xia) 300 mm晶圆厂的(de)陆(lu)续投产(chan)，市(shi)场对高(gao)纯铜及铜合金靶材(cai)的需求(qiu)量快速增长，可(ke)进一(yi)步(bu)升(sheng)级生产线设(she)备(bei)以扩(kuo)充(chong)产(chan)能(neng)并提(ti)升产(chan)品的(de)稳(wen)定(ding)性。为(wei)了避免靶材溅射过(guo)程中(zhong)出现(xian)异常放(fang)电导(dao)致(zhi)的(de)颗(ke)粒(li)化(hua)问(wen)题(ti)，确(que)保超(chao)高(gao)纯(chun)铜及(ji)合金原材(cai)料的(de)纯(chun)净度至(zhi)关重(zhong)要(yao)[17]；特(te)别(bie)是对(dui)于28 nm 以下工(gong)艺，国(guo)产(chan)原(yuan)材(cai)料内夹(jia)杂缺陷(xian)稳(wen)定控制水(shui)平还(hai)需进一(yi)步(bu)提升(sheng)，用(yong)于制备(bei)Cu-Mn合金靶材(cai)的(de)5N以上(shang)高(gao)纯(chun)锰提(ti)纯(chun)技(ji)术(shu)有(you)待(dai)突破(po)。
3. 高纯(chun)钛(tai)靶(ba)材(cai)
钛(tai)具有良好(hao)的抗(kang)腐蚀(shi)性及(ji)黏附(fu)性，钛(tai)靶材(cai)用于(yu)溅(jian)射(she)沉(chen)积纯(chun)钛膜(mo)或反应(ying)溅射沉积(ji)TiN膜，主(zhu)要(yao)用(yong)作(zuo)铝(lv)互(hu)连的(de)扩(kuo)散阻(zu)挡(dang)层、钛(tai)硅化物接触层及(ji)抗反射(she)层，在(zai)先(xian)进(jin)封装(zhuang)方(fang)面也有广(guang)泛(fan)应(ying)用(yong)[6]。钛 / TiN膜(mo)用作(zuo)铝(lv)互(hu)连中铝线与(yu)硅(gui)衬底(di)间(jian)的(de)扩散阻挡(dang)层(ceng)、钨(wu)塞的底(di)线层及黏附(fu)层(ceng)，纯钛膜(mo)用作底线层、黏(nian)附层(ceng)、盖帽层、抗(kang)反(fan)射层(ceng)等，纯TiN膜用作铜(tong)互(hu)连硬(ying)掩(yan)膜(mo)层和(he)保护镍(nie)铂(bo)化(hua)合物膜层(ceng)的(de)盖(gai)帽(mao)层。
在钛靶(ba)材(cai)方面(mian)，国(guo)内外技术水(shui)平整(zheng)体(ti)相当(dang)；国(guo)内(nei)多(duo)家靶(ba)材企业(ye)能够批量供(gong)应大(da)部分型(xing)号的集成(cheng)电路(lu)用高纯钛靶材(cai)，但(dan)在(zai)长寿命 / 高(gao)效率(lv)设计(ji)、细晶高(gao)强(qiang)度(du)扩散(san)等方面与国际先(xian)进(jin)水平(ping)存在一(yi)定(ding)差距。在高(gao)纯(chun)钛制(zhi)备方(fang)面，针对钛材(cai)质(zhi)活性(xing)强、提纯(chun)难度(du)高(gao)的(de)特点，宁波创(chuang)润新材料(liao)有限公(gong)司采用熔盐(yan)电解+电子束(shu)熔(rong)炼(lian)方(fang)法(fa)实(shi)现(xian)了4N5、5N高(gao)纯钛的(de)国产化；5N5高(gao)
纯(chun)钛(tai)提(ti)纯(chun)工艺(yi)、钛锭(ding)坯(pi)料(liao)品质一致性等(deng)还(hai)需提升(sheng)。
4. 高纯(chun)钽靶材(cai)
钽(tan)是一(yi)种(zhong)过(guo)渡(du)族稀(xi)有(you)难熔金(jin)属，具有(you)较高(gao)的熔(rong)点(dian)、密(mi)度、抗(kang)腐蚀(shi)性以(yi)及优异的(de)延(yan)展(zhan)能(neng)力(li)，因其(qi)独(du)特(te)的(de)物理(li)化(hua)学性质可(ke)防(fang)止铜向(xiang)硅基底(di)扩散。在90 nm以(yi)下(xia)铜(tong)制程集(ji)成(cheng)电(dian)路(lu)中(zhong)，钽 / TaN膜(mo)开始用(yong)作铜(tong)互连(lian)的扩(kuo)散阻挡(dang)层，还(hai)可(ke)作(zuo)为集成电路(lu)后(hou)道封(feng)装(zhuang)工(gong)艺(yi)中铝(lv)或铜衬(chen)垫层(ceng)外(wai)侧的阻挡(dang)层(ceng)。近年(nian)来(lai)，采(cai)用溅(jian)射(she)方(fang)法(fa)，钽(tan)还用(yong)于(yu)制(zhi)备(bei)高介(jie)电栅(zha)介(jie)质层的氧化物薄膜(mo)，有(you)助于进(jin)一(yi)步缩(suo)小(xiao)晶体管的关(guan)键(jian)尺寸、有(you)效(xiao)改(gai)善晶(jing)体管(guan)的(de)驱(qu)动(dong)能(neng)力[18]。
在(zai)集成(cheng)电(dian)路(lu)用靶(ba)材(cai)市场(chang)上，钽(tan)靶材占比(bi)最高(gao)，也是(shi)技(ji)术(shu)难度(du)最高(gao)的类型之一，需要严格控(kong)制钽靶材(cai)内部的(de)晶粒尺寸及(ji)取(qu)向(xiang)，确(que)保(bao)晶粒(li)均匀(yun)分布。日矿金属株式会(hui)社、世(shi)泰(tai)科(ke)公(gong)司（钽(tan)靶坯业务被(bei)美(mei)题隆(long)公司（美国(guo)）收购(gou)）的(de)钽(tan)靶材(cai)制备(bei)技术最为先进。国(guo)内企业在大(da)尺(chi)寸、高纯度(du)钽靶材的(de)组(zu)织均(jun)匀(yun)性(xing)控(kong)制(zhi)及(ji)取(qu)向(xiang)分布(bu)等(deng)方面存在(zai)差(cha)距，导(dao)致(zhi)溅射薄(bao)膜(mo)均(jun)匀性(xing)不佳(jia)，需(xu)要在(zai)高均(jun)匀(yun)变(bian)形、取(qu)向调(diao)控等关(guan)键(jian)技(ji)术(shu)点(dian)上进行深(shen)化(hua)研究。
在高(gao)纯钽原(yuan)材(cai)料方(fang)面，日(ri)矿(kuang)金(jin)属株(zhu)式(shi)会社、世泰(tai)科公司、环球(qiu)卓越(yue)金属有(you)限(xian)公司（澳大(da)利(li)亚）都(dou)能提供4N5以上高纯钽；宁夏(xia)东(dong)方(fang)钽(tan)业(ye)股(gu)份(fen)有限(xian)公司(si)掌握了高(gao)纯(chun)钽提纯制备(bei)的全(quan)套工艺(yi)方(fang)法(fa)，生(sheng)产(chan)的(de)4N5 高(gao)纯(chun)钽(tan)填(tian)补了国内(nei)空(kong)白，在(zai) 5N 钽(tan)锭的(de)个(ge)别(bie)杂(za)质(zhi)元素(su)稳定(ding)控制、大(da)锭(ding)型钽(tan)锭(ding)制备方面(mian)还需(xu)进(jin)一(yi)步(bu)提升(sheng)。目前(qian)，国(guo)内(nei)高端(duan)钽靶(ba)材（或(huo)板(ban)坯(pi)）依(yi)赖(lai)进(jin)口，国产(chan)化自(zi)给率(lv)远低(di)于(yu)铝、铜(tong)、钛(tai)等(deng)靶材(cai)，有(you)关(guan)高纯钽靶制备以及钽(tan)提(ti)纯等技术(shu)有(you)待(dai)研发(fa)升级(ji)。
5. 高纯钴和(he)镍(nie)铂(bo)靶(ba)材(cai)
钴(gu)、镍铂具(ju)有(you)优(you)异(yi)的铁(tie)磁性(xing)和(he)良(liang)好(hao)的(de)导(dao)电性(xing)，通(tong)过溅射制备薄膜(mo)再(zai)反应生成钴、镍(nie)的硅(gui)化物(wu)，用于集(ji)成电(dian)路(lu)源(yuan)极、漏(lou)极、栅极等(deng)与(yu)金(jin)属(shu)之(zhi)间(jian)的接(jie)触。
钴(gu)、镍(nie)铂靶材(cai)分别(bie)用于(yu) 130~90 nm、65~20 nm 逻(luo)辑器件工(gong)艺(yi)；随(sui)着线(xian)宽(kuan)的(de)减(jian)小(xiao)，可(ke)增加镍铂(bo)合金中的(de)铂(bo)含量(liang)，以(yi)进一步(bu)提(ti)高(gao)镍(nie)铂(bo)硅薄(bao)膜的高(gao)温稳(wen)定性(xing)并(bing)改(gai)善(shan)界面形貌[13]。鉴(jian)于存储(chu)器件(jian)工艺要求低于(yu)逻辑(ji)器件，钴、镍铂靶材还可(ke)应(ying)用(yong)于1X nm存(cun)储工艺(yi)中(zhong)。当技(ji)术节(jie)点(dian)发(fa)展(zhan)到(dao)7 nm技(ji)术时，钴的电阻(zu)率(lv)低(di)、抗电迁(qian)移性(xing)能(neng)优异(yi)，开(kai)始替(ti)代(dai)铜(tong)成(cheng)为(wei)新(xin)的互连线(xian)材(cai)料[11]。由(you)于钴、镍铂均(jun)具有(you)较(jiao)强(qiang)的磁(ci)性(xing)，在磁控(kong)溅(jian)射(she)时(shi)会一(yi)定程(cheng)度(du)上(shang)屏蔽磁(ci)场而导(dao)致起(qi)辉(hui)或(huo)维(wei)持放电(dian)困(kun)难；为(wei)了(le)保证(zheng)溅射性能(neng)及薄(bao)膜(mo)均(jun)匀(yun)性(xing)，需(xu)调(diao)控靶材(cai)相结(jie)构、再(zai)结(jie)晶状态来(lai)提(ti)升透(tou)磁性(xing)[19]。通常，接(jie)触层厚(hou)度(du)非(fei)常(chang)薄（＜10 nm）、均匀性要(yao)求(qiu)高(gao)，靶材透磁率过(guo)低或均(jun)匀性差都(dou)会(hui)导致(zhi)薄(bao)膜(mo)厚(hou)度(du)及(ji)均匀(yun)性无法(fa)满足(zu)要(yao)求。7~5 nm先进(jin)制(zhi)程对高纯(chun)钴(gu)靶材(cai)的(de)纯度(du)、磁性能(neng)、均匀性等(deng)都(dou)提出了(le)更(geng)高要求(qiu)。
高(gao)纯(chun)、低(di)氧(yang)、高(gao)透磁(ci)的(de)钴靶(ba)材(cai)供应(ying)商主(zhu)要(yao)是日矿(kuang)金(jin)属(shu)株式会社(she)，霍尼(ni)韦(wei)尔(er)国际(ji)公司(si)有(you)部(bu)分(fen)200 mm晶(jing)圆(yuan)用钴(gu)靶供应(ying)能力。有研(yan)亿(yi)金新材(cai)料(liao)有(you)限公司掌握了(le)铁磁性靶(ba)材(cai)微(wei)观组织、透(tou)磁(ci)性能均(jun)匀(yun)调(diao)控技(ji)术，在 200~300 mm 晶(jing)圆用(yong)钴靶(ba)材(cai)方(fang)面实现(xian)突破，成为(wei)高透(tou)磁钴靶(ba)产品市场(chang)的(de)有(you)力竞(jing)争者。在高(gao)纯(chun)钴生(sheng)产(chan)方面，日(ri)矿金属株(zhu)式(shi)会社(she)、霍尼(ni)韦尔(er)国际公(gong)司具(ju)有(you)产业(ye)链(lian)集(ji)成优势(shi)，有(you)研(yan)亿金新材(cai)料(liao)有限(xian)公(gong)司(si)、金(jin)川集团股份有限(xian)公司能够通过深度除杂(za)电(dian)解制备5N 以(yi)上钴板。目(mu)前(qian)，国内(nei)针对(dui) 7 nm 及以下制程的(de)钴(gu)靶材(cai)制备技术(shu)有(you)待(dai)提(ti)升(sheng)，主要(yao)涉及材料(liao)纯度提(ti)升(sheng)、透磁(ci)率及波动性能改善(shan)，以(yi)更好满(man)足先进(jin)制(zhi)程对薄(bao)膜(mo)的(de)严苛(ke)要(yao)求。
高(gao)纯(chun)镍(nie)铂靶(ba)材(cai)主(zhu)要(yao)分(fen)为Ni-5at%Pt、Ni-10at%Pt等，国际(ji)市场(chang)的(de)主要(yao)供应(ying)商(shang)有日矿(kuang)金(jin)属(shu)株式(shi)会(hui)社，霍尼(ni)韦尔国际公司(si)、东曹(cao)株式(shi)会社（日本(ben)）等(deng)。有研(yan)亿(yi)金新(xin)材料有限(xian)公(gong)司(si)攻克(ke)了系(xi)列镍铂靶(ba)材制备(bei)关键(jian)技术(shu)，通(tong)过(guo)了(le)国(guo)内外(wai)知名半(ban)导(dao)体(ti)制造(zao)企(qi)业(ye)验(yan)证(zheng)并实现(xian)批(pi)量(liang)供(gong)货(huo)。镍铂合(he)金材料含有贵(gui)金属(shu)，纯度(du)通(tong)常在4N5以上(shang)，除(chu)了对(dui)靶材内部(bu)缺(que)陷、微(wei)观组织均(jun)匀性(xing)、透(tou)磁性(xing)能(neng)、表面质(zhi)量(liang)等(deng)提(ti)出(chu)严苛要求(qiu)外(wai)，相(xiang)关(guan)成本控制(zhi)较(jiao)为关键。随着镍(nie)铂靶材(cai)需求(qiu)量(liang)的增加，除(chu)了(le)批次(ci)稳定(ding)性、一(yi)致性(xing)的要求(qiu)外(wai)，开(kai)展(zhan)铂的(de)综(zong)合回收(shou)利(li)用以(yi)及提(ti)高(gao)生(sheng)产效率(lv)等也(ye)显(xian)迫切(qie)。
6. 高(gao)纯钨(wu)及(ji)钨合(he)金(jin)靶(ba)材
钨及钨(wu)合(he)金(jin)是集成电(dian)路存(cun)储(chu)芯(xin)片制(zhi)造用(yong)关(guan)键(jian)材料(liao)。存(cun)储器工艺(yi)技术(shu)节(jie)点(dian)通常在 65~1X nm，钨(wu)及(ji)钨(wu)硅合(he)金因其电(dian)导率高、电子迁移(yi)抗(kang)力(li)高(gao)、高温(wen)稳(wen)定(ding)性(xing)优良、与硅衬(chen)底接(jie)触(chu)良好，在(zai)金(jin)属(shu)栅(zha)中(zhong)用于制备高纯(chun)钨(wu) / 氮(dan)化钨(wu)金(jin)属(shu)堆(dui)垛(duo)膜层(ceng)及(ji)硅化钨(wu)栅(zha)极层(ceng)，在(zai)字(zi)线层(ceng)中(zhong)用(yong)于(yu)制备(bei)金属互(hu)连(lian)层及金属(shu)间通孔(kong)、垂(chui)直接(jie)触(chu)的(de)填充物(wu)。
高(gao)纯钨及钨(wu)合金(jin)靶(ba)材(cai)市场由日矿金属(shu)株(zhu)式会社(she)、东(dong)曹(cao)株(zhu)式(shi)会社、世泰(tai)科公司等(deng)主(zhu)导(dao)，而(er)高(gao)纯钨(wu)及钨合金(jin)靶(ba)材的(de)国(guo)产化程度极(ji)低(di)，相应产品(pin)依(yi)赖进口(kou)[14]。传(chuan)统钨加工(gong)工(gong)艺制(zhi)备出的高(gao)致密(mi)、高纯(chun)靶材溅射(she)薄膜(mo)均(jun)匀(yun)性差，无(wu)法(fa)达(da)到先进(jin)制(zhi)程(cheng)芯片(pian)的高(gao)品(pin)质(zhi)要(yao)求；国产钨靶(ba)材在(zai)高纯降氧控制、均匀(yun)合金(jin)化、大(da)尺寸(cun)烧(shao)结(jie)成型(xing)、高(gao)均匀变形(xing)、取(qu)向(xiang)调(diao)控(kong)等(deng)方(fang)面(mian)存(cun)在一(yi)定(ding)差(cha)距(ju)[9]。在(zai)高纯(chun)钨原(yuan)材(cai)料(liao)方(fang)面，日(ri)矿(kuang)金(jin)属(shu)株(zhu)式会社(she)、世泰科公(gong)司可(ke)生产满(man)足要(yao)求(qiu)的(de) 5N 高纯(chun)钨(wu)粉(fen)；厦门(men)钨业股(gu)份(fen)有限公司(si)、崇义(yi)章源(yuan)钨业(ye)股(gu)份有限(xian)公(gong)司(si)等公(gong)司具备(bei) 5N 高(gao)纯(chun)钨粉生产(chan)能力，但粉(fen)体的一致(zhi)性和稳定性(xing)需(xu)要提(ti)升。
7. 其他高纯(chun)金属及(ji)合金靶材
在集成电路(lu)晶圆(yuan)制(zhi)造以(yi)外，先(xian)进(jin)封装领域还需金(jin)、银、镍钒、钨(wu)钛等高(gao)纯(chun)金(jin)属及合金(jin)靶(ba)材。这(zhe)些靶(ba)材(cai)主(zhu)要关(guan)联先(xian)进封装(zhuang)中的(de)凸(tu)块(kuai)、重布(bu)线、硅(gui)通孔、共形(xing)屏(ping)蔽(bi)等工(gong)艺(yi)技(ji)术(shu)，用于(yu)制(zhi)造(zao)阻挡层(ceng)、润(run)湿(shi)层(ceng)、黏附层、抗氧(yang)化层、屏(ping)蔽(bi)层(ceng)等(deng)[6]。优美(mei)科公(gong)司(si)是(shi)先进封(feng)装(zhuang)领域靶(ba)材(cai)的主要(yao)供(gong)应商之一(yi)。国(guo)内靶(ba)材企(qi)业(ye)实现了(le)先进封装类(lei)靶材从高纯(chun)原(yuan)材(cai)料(liao)到(dao)终(zhong)端(duan)产(chan)品的(de)全(quan)过(guo)程性能控制，在(zai)靶(ba)材的(de)大尺寸、高纯(chun)化、高均(jun)匀性、高(gao)稳定(ding)性、长寿命(ming)性能(neng)控制(zhi)等(deng)方(fang)面形成(cheng)了一定的(de)技(ji)术(shu)优(you)势(shi)；低成本、高品(pin)质的(de)靶材(cai)产品(pin)广泛(fan)供应国内(nei)外(wai)市(shi)场(chang)。
四、我(wo)国(guo)集(ji)成(cheng)电路(lu)用高纯金属(shu)溅射靶材发(fa)展挑战(zhan)分(fen)析
（一）部分靶(ba)材(cai)产(chan)品(pin)和(he)关键(jian)原材(cai)料依赖进口
铝、钛、铜、钴、镍(nie)等(deng)高(gao)纯金属(shu)及合金(jin)溅射靶(ba)材(cai)已(yi)实现国产(chan)化(hua)；但在钨(wu)、钽(tan)、其他高(gao)纯(chun)特种金属(shu)及(ji)合金溅(jian)射(she)靶材方(fang)面，因(yin)制(zhi)备加(jia)工(gong)技术难度(du)大或(huo)者(zhe)下(xia)游(you)尚未(wei)形成(cheng)大(da)规(gui)模应(ying)用(yong)需(xu)求(qiu)，未(wei)能全面(mian)突(tu)破靶材制备核心技术。国产靶材(cai)与进(jin)口产品相(xiang)比(bi)，性能(neng)品(pin)质(zhi)存在一定(ding)差(cha)距。相关靶材(cai)所用(yong)的高纯(chun)原材(cai)料(liao)尚未完全(quan)实(shi)现国(guo)产(chan)化(hua)，如高(gao)纯(chun)铝(lv)、钛(tai)、钽(tan)、锰(meng)、钒等(deng)原(yuan)材(cai)料在(zai)杂质元素与缺(que)陷控(kong)制上难以满(man)足(zu)高端应用需(xu)求(qiu)，进口(kou)依(yi)赖度依(yi)然较高。靶材(cai)焊接(jie)所需(xu)的(de)背(bei)板材料(liao)也没(mei)有(you)完(wan)全(quan)实现国产(chan)化，国产铜(tong)镍(nie)硅铬、铜锌(xin)锡(xi)等(deng)合金背板(ban)材料(liao)的产(chan)品(pin)质(zhi)量有待提升，仍需进口以弥补(bu)应用(yong)需(xu)求(qiu)。
（二）材(cai)料性(xing)能(neng)一(yi)致(zhi)性和稳(wen)定性不高(gao)、智(zhi)能化制造(zao)水(shui)平待(dai)提(ti)升(sheng)
集成电(dian)路(lu)用靶材除了(le)技(ji)术(shu)指标要(yao)求(qiu)高(gao)外(wai)，对(dui)产(chan)品一致(zhi)性、批次(ci)稳(wen)定性也(ye)有(you)极(ji)高(gao)的要求。在高纯(chun)金属溅射(she)靶(ba)材(cai)从(cong)研(yan)制到产(chan)业(ye)化、产(chan)品由样(yang)件(jian)到量(liang)产(chan)的(de)过(guo)程(cheng)中(zhong)，加工(gong)工(gong)艺的一(yi)致性(xing)及(ji)可(ke)重复性(xing)与关(guan)键(jian)装(zhuang)备水(shui)平、人(ren)才队伍能力密(mi)切相关(guan)。靶(ba)材加工的(de)生产流程长，纯(chun)度(du)、内(nei)部缺(que)陷、微观(guan)组(zu)织性(xing)能、表面(mian)质(zhi)量(liang)等在(zai)生(sheng)产(chan)过程中易受(shou)多种因(yin)素(su)影(ying)响(xiang)，也难以进(jin)行(xing)在(zai)线(xian)实(shi)时(shi)监测。相(xiang)关靶材企业未(wei)能(neng)积(ji)累(lei)足够(gou)的(de)技术(shu)储备(bei)、市(shi)场批(pi)量验(yan)证(zheng)反馈(kui)的(de)经(jing)验，多(duo)品(pin)种、小批量(liang)的生(sheng)产特(te)点(dian)也(ye)不利于(yu)智能(neng)化(hua)制(zhi)造水平(ping)提(ti)高(gao)。以上因(yin)素(su)共(gong)同导致(zhi)了(le)靶材生(sheng)产质(zhi)量(liang)管控困(kun)难，产品性(xing)能(neng)的(de)一(yi)致(zhi)性(xing)、可重复(fu)性不(bu)高，低良(liang)率与(yu)高(gao)成本共(gong)存。
（三(san)）面(mian)向前(qian)沿(yan)的新材料(liao)验证(zheng)机(ji)会(hui)少(shao)、验(yan)证周(zhou)期(qi)长
集成电(dian)路先(xian)进(jin)制(zhi)程(cheng)落后于(yu)国际(ji)约(yue)两(liang)代(dai)水平(ping)，因而面向前(qian)沿(yan)领(ling)域的新(xin)材料开发距(ju)离先发(fa)企业(ye)有(you)较大(da)差(cha)距(ju)；对(dui)靶(ba)材(cai)与(yu)薄膜(mo)的(de)组(zu)织性(xing)能(neng)关(guan)系理解不深(shen)刻，与(yu)溅(jian)射(she)工(gong)艺相结合的(de)靶(ba)材优(you)化设(she)计(ji)能力相(xiang)对(dui)欠缺(que)，先(xian)进(jin)制(zhi)程(cheng)以(yi)及新型器(qi)件(jian)所(suo)需的(de)关(guan)键靶(ba)材缺(que)乏验证机会(hui)。薄(bao)膜(mo)性能(neng)（膜(mo)厚、应力、电阻率(lv)、粗(cu)糙度(du)、片内均匀性、片间均(jun)匀性(xing)）及器件的电性能(neng)、可靠(kao)性评估(gu)等(deng)，均(jun)与靶材(cai)密(mi)切相关(guan)，而下游客户通常(chang)倾向于采用国(guo)外(wai)成(cheng)熟机(ji)台(tai)及配(pei)套靶(ba)材(cai)以(yi)确(que)保快(kuai)速(su)进(jin)入量(liang)产(chan)，导(dao)致(zhi)国(guo)产(chan)靶(ba)材应(ying)用(yong)机会少、迭代改(gai)进(jin)慢、验(yan)证周(zhou)期长(zhang)，也就(jiu)制约了靶材(cai)技(ji)术创新和新品开(kai)发能(neng)力。（四）加工(gong)和(he)检(jian)测环(huan)节(jie)的(de)关键(jian)设备不满(man)足需(xu)求从(cong)高纯(chun)材料提纯(chun)到(dao)高性(xing)能(neng)靶(ba)材制备(bei)，都需(xu)要(yao)性能(neng)稳定(ding)、高(gao)可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)加工(gong)和检(jian)测(ce)设备(bei)。熔铸(zhu)、压(ya)力(li)烧结、焊接(jie)等(deng)关(guan)键(jian)环(huan)节都存(cun)在国(guo)产(chan)设备技(ji)术指标不(bu)匹(pi)配要求(qiu)、设备(bei)稳(wen)定性及可靠性偏低(di)等(deng)问题(ti)，相关的电(dian)子束熔(rong)炼(lian)炉、热(re)等(deng)静(jing)压机、热(re)压烧(shao)结炉(lu)、电(dian)子束(shu)焊机等(deng)高端(duan)装(zhuang)备亟(ji)待提(ti)高(gao)技术水(shui)平。纯度、气(qi)体杂(za)质(zhi)元(yuan)素(su)、微(wei)缺(que)陷、微(wei)观(guan)组织与(yu)织构(gou)取(qu)向(xiang)相(xiang)关的(de)分析(xi)检测仪器设(she)备(bei)，对(dui)于靶材(cai)新(xin)品(pin)研(yan)制(zhi)、成(cheng)熟(shu)产品(pin)质(zhi)量管(guan)控不(bu)可或(huo)缺(que)。国(guo)产的(de)分析(xi)检(jian)测(ce)设备距离应用需求差距(ju)较(jiao)大，导(dao)致等离(li)子(zi)体(ti)质(zhi)谱仪(yi)、碳硫(liu)分析(xi)仪、氮(dan)氧(yang)氢(qing)分(fen)析(xi)仪等(deng)高精度(du)设备较多依(yi)赖(lai)进(jin)口，而辉光放(fang)电(dian)质谱仪(yi)完全(quan)依(yi)赖进(jin)口。
五(wu)、我国(guo)集成电(dian)路(lu)用(yong)高纯金属溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)的重点(dian)发展方向(xiang)
突破高端(duan)靶(ba)材(cai)制(zhi)备关键(jian)技术(shu)并实现(xian)工程(cheng)化，保(bao)持先(xian)进工(gong)艺(yi)关(guan)键(jian)配套材料的自主可控(kong)，是(shi)支撑(cheng)集(ji)成电路(lu)产业(ye)安(an)全和(he)可(ke)持(chi)续发展的关键内容(rong)。集(ji)成(cheng)电(dian)路工艺的提(ti)升，带来了(le)靶材(cai)纯(chun)度(du)、多(duo)元(yuan)化材(cai)料、精细化微(wei)观(guan)组(zu)织等(deng)方面的(de)新需求(qiu)，对靶(ba)材的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)、一(yi)致(zhi)性(xing)也有(you)更高要(yao)求。为(wei)了(le)提(ti)高(gao)薄(bao)膜材(cai)料(liao)的(de)综(zong)合性能，微(wei)观组织(zhi)均(jun)匀可控(kong)、高强度(du)、高稳(wen)定(ding)性、长(zhang)寿(shou)命(ming)的高(gao)效(xiao)能溅射(she)靶(ba)材是发(fa)展重(zhong)点(dian)，涉及强塑(su)性(xing)变(bian)形控制(zhi)、高(gao)强度(du)焊接、靶(ba)材(cai)结构优化设(she)计等关键环节[8,20]；高纯(chun)度、高洁(jie)净的(de)金(jin)属(shu)原(yuan)材(cai)料(liao)是减少(shao)溅射(she)过(guo)程中(zhong)异(yi)常(chang)放(fang)电、颗(ke)粒(li)缺(que)陷等(deng)问题(ti)的前提，需(xu)要(yao)持(chi)续(xu)提(ti)升(sheng)高(gao)纯材(cai)料精炼提(ti)纯(chun)技(ji)术及(ji)分(fen)析检(jian)测(ce)能(neng)力(li)。合理(li)加大高(gao)纯(chun)金属(shu)溅(jian)射(she)靶材技术(shu)研(yan)发及(ji)产(chan)业升(sheng)级的(de)支(zhi)持(chi)力(li)度(du)，力(li)争在(zai)2030年(nian)前(qian)后使我国成(cheng)为世(shi)界(jie)高(gao)纯(chun)金属(shu)溅(jian)射靶(ba)材的主(zhu)要供(gong)应国之(zhi)一(yi)。
（一(yi)）提升(sheng)高(gao)纯金(jin)属材料制(zhi)备技术(shu)水平(ping)，实(shi)现批量稳(wen)定生(sheng)产
针(zhen)对集成电路用(yong)靶(ba)材(cai)对高纯(chun)原材(cai)料的需(xu)求，开发(fa)成套(tao)提纯工(gong)艺(yi)及设(she)备，全(quan)面实(shi)现(xian)铝、钛、铜(tong)、钽(tan)、钴(gu)、钨、钼、镍、钒、锰、金、银(yin)、铂、钌(liao)、钪、镧(lan)等(deng)高(gao)纯(chun)金(jin)属(shu)的自(zi)主生产(chan)，切(qie)实保障(zhang)原材料供应(ying)安(an)全[21]。
对于(yu)已(yi)有一定(ding)产(chan)业(ye)基础(chu)能(neng)力的(de)高(gao)纯铝(lv)、铜、钛(tai)、钽(tan)、钴、镍、钨、金(jin)、银、铂(bo)等材(cai)料，着重(zhong)针对(dui)国(guo)产(chan)高(gao)纯材料(liao)个别杂质元(yuan)素(su)含(han)量(liang)超(chao)标、产品(pin)一(yi)致(zhi)性差(cha)、批次(ci)之间性能不稳定等(deng)问题，立(li)足现有(you)提纯制备(bei)技术(shu)基(ji)础(chu)，进(jin)行技术(shu)提升(sheng)与智能化(hua)改造，深(shen)度(du)净化(hua)和(he)去(qu)除(chu)有(you)害杂质(zhi)元(yuan)素以提(ti)升纯度等级(ji)；开(kai)展工艺 ‒ 设备耦合试验及稳(wen)定性验证，优化(hua)工(gong)艺结构(gou)，以(yi)连续化(hua)、自(zi)动(dong)化设(she)备应(ying)用为(wei)主(zhu)要(yao)形(xing)式(shi)来(lai)提(ti)升(sheng)高(gao)纯材(cai)料(liao)的(de)产(chan)能。
对于当(dang)前技术基础薄弱(ruo)、市场亟(ji)需或(huo)者未(wei)来前(qian)景良(liang)好(hao)的(de)高纯锰、钒、钌、钪、镧等金(jin)属(shu)，探明(ming)杂(za)质元素去(qu)除机理，开(kai)发提纯新工(gong)艺新(xin)设备(bei)，制(zhi)备(bei)满足(zu)集(ji)成电(dian)路(lu)需求的(de)高纯(chun)金属，在(zai)技术成(cheng)熟的(de)基础上控(kong)制成(cheng)本并(bing)扩大(da)生(sheng)产规(gui)模。
（二）攻(gong)克(ke)高性能靶材(cai)制备关(guan)键技(ji)术(shu)，驱动靶(ba)材智(zhi)能化生(sheng)产
针(zhen)对(dui)集(ji)成(cheng)电路先(xian)进逻(luo)辑(ji)器件、先进(jin)存储器件(jian)、先进封装等(deng)薄(bao)膜沉(chen)积(ji)制(zhi)备(bei)需(xu)求，开发(fa)全系列高(gao)端靶(ba)材产品(pin)。加(jia)强智能化(hua)生(sheng)产线(xian)建设，实(shi)现(xian)铝(lv)及铝合(he)金(jin)、钛、铜及铜(tong)合(he)金、钽、钴、镍铂、钨及(ji)钨硅、镍(nie)钒(fan)、钼、金(jin)、银(yin)等高纯(chun)金(jin)属及(ji)合(he)金靶(ba)材的规模化(hua)供(gong)应(ying)。
对(dui)于(yu)已(yi)量(liang)产的(de)高(gao)纯(chun)铝(lv)及铝(lv)合(he)金(jin)、钛(tai)、铜(tong)及铜(tong)合(he)金(jin)、钴(gu)、镍(nie)铂(bo)、金(jin)、银等(deng)靶(ba)材(cai)，在现(xian)有(you)技术基础上进(jin)一(yi)步优(you)化(hua)工(gong)艺(yi)，整(zheng)体达(da)到国际(ji)先(xian)进水(shui)平(ping)。针(zhen)对(dui)靶材品(pin)种(zhong)多(duo)、门(men)槛(kan)高(gao)、专用性(xing)强(qiang)的(de)特(te)点，建设柔(rou)性、敏(min)捷(jie)的智能化生产线(xian)，提升生产(chan)能力(li)、产品(pin)稳定(ding)性、成本(ben)控(kong)制(zhi)水(shui)平(ping)，形成具有国际(ji)市场竞争力(li)的高(gao)纯(chun)金属(shu)溅(jian)射靶(ba)材产(chan)品(pin)体(ti)系(xi)。
对于当(dang)前技(ji)术成熟(shu)度(du)低(di)、尚未(wei)完(wan)全(quan)国(guo)产化的高(gao)纯钽、钨等金属及(ji)合金(jin)靶材(cai)，对标国际(ji)先(xian)进(jin)水平，集中(zhong)力(li)量突(tu)破(po)核(he)心(xin)技(ji)术(shu)；优(you)化(hua)工(gong)艺(yi)能力，推动(dong)在下(xia)游集成(cheng)电(dian)路(lu)企(qi)业的考核验证，满(man)足(zu)当(dang)前(qian)应用亟(ji)需；在产(chan)品(pin)合格、技(ji)术成(cheng)熟的基础上(shang)，扩(kuo)大生产规(gui)模(mo)，积(ji)极开拓市(shi)场(chang)。
（三(san)）瞄(miao)准电(dian)子(zi)信息(xi)技术(shu)前(qian)沿(yan)需(xu)求(qiu)，开发高(gao)端(duan)新材(cai)料(liao)
面(mian)向第五(wu)代(dai)移(yi)动通信、人(ren)工(gong)智(zhi)能(neng)、物(wu)联网(wang)、云(yun)计(ji)算(suan)等电子信息技术(shu)领(ling)域中(zhong)的新(xin)兴应用场(chang)景(jing)，把握(wo)纳(na)米(mi)逻辑(ji)器(qi)件(jian)、新(xin)型存储(chu)器(qi)件(jian)、高频(pin)移动(dong)通(tong)信(xin)滤(lv)波(bo)器、智(zhi)能(neng)传感器(qi)、芯粒异(yi)质(zhi)集成等新型(xing)器(qi)件及(ji)先进技术对新(xin)材(cai)料(liao)的需(xu)求。推动集成(cheng)电路产(chan)业(ye)领(ling)先的研(yan)发机构、设(she)备制造(zao)商(shang)、芯(xin)片(pian)制造(zao)商(shang)密(mi)切(qie)合(he)作(zuo)，有(you)序(xu)开(kai)展钌及钌(liao)合金、铝(lv)钪合(he)金、多(duo)元(yuan)相变合(he)金(jin)、钴基(ji)特(te)种合(he)金、陶瓷化(hua)合(he)物(wu)等(deng)高(gao)纯(chun)材(cai)料靶材(cai)的研(yan)发。
着力(li)开(kai)发原(yuan)创技术和(he)产(chan)品(pin)，实(shi)现新领域技(ji)术能力(li)的国(guo)际(ji)同步发(fa)展。关(guan)注基于(yu)新材(cai)料(liao)、新(xin)原(yuan)理、新结(jie)构(gou)的颠(dian)覆性技(ji)术(shu)创(chuang)新，跟踪(zong)非(fei)硅(gui)基半导体(ti)材(cai)料的(de)发(fa)展，针对(dui)相(xiang)关领(ling)域(yu)所需薄(bao)膜材(cai)料(liao)进(jin)行(xing)提前(qian)布(bu)局。
（四(si)）提(ti)升(sheng)分(fen)析(xi)检测与应用(yong)评价能(neng)力，完善(shan)材(cai)料(liao)标(biao)准(zhun)及评价体系(xi)建(jian)设
针对(dui)靶材性(xing)能分(fen)析测(ce)试与应(ying)用(yong)验(yan)证需求，建立完善的电子(zi)材料分(fen)析测试和(he)应(ying)用研发(fa)平(ping)台。① 根(gen)据集(ji)成(cheng)电(dian)路先进器(qi)件(jian)和工(gong)艺对高纯金属溅(jian)射(she)靶材的严苛(ke)要(yao)求(qiu)，在(zai)材(cai)料(liao)的(de)痕量 / 超(chao)痕(hen)量(liang)元素分析、微(wei)缺(que)陷(xian)分析、晶粒(li)尺寸(cun)、织(zhi)构取向(xiang)等(deng)方(fang)面建(jian)立或完善检(jian)测标(biao)准、工艺(yi)标(biao)准(zhun)、产品质(zhi)量标(biao)准(zhun)，研(yan)制集成电(dian)路(lu)用(yong)高纯金(jin)属(shu)标(biao)准物(wu)质(zhi)并进(jin)行推广(guang)应用。② 针(zhen)对(dui)薄膜(mo)沉(chen)积需求(qiu)进行(xing)靶材测(ce)试(shi)验证，明确靶(ba)材(cai)的关(guan)键(jian)性能控制(zhi)指标(biao)、应用(yong)性能评(ping)价(jia)指(zhi)标，提出(chu)靶材验(yan)证(zheng)操作规范(fan)、工艺(yi)标准，构(gou)建(jian)完整的评(ping)价(jia)体(ti)系。
提(ti)升(sheng)检测(ce)能力、完善(shan)评价(jia)体系(xi)，支持打(da)通集成(cheng)电路(lu)用高纯(chun)金(jin)属(shu)溅射靶材(cai)“性(xing)能 ‒ 制(zhi)备 ‒ 应(ying)用(yong)”完整(zheng)流(liu)程，为(wei)靶材(cai)开发提供(gong)包(bao)括材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)分(fen)析(xi)检测(ce)、产品应用评(ping)价(jia)在内的综(zong)合解决方案(an)。合理降低材料(liao)企(qi)业(ye)创新应(ying)用(yong)门槛，实质(zhi)性提(ti)高(gao)研发效率、缩(suo)短(duan)研发周期(qi)，加速集成电路(lu)材(cai)料体(ti)系的(de)技(ji)术创(chuang)新与国产(chan)化进(jin)程(cheng)。
六(liu)、集成电(dian)路用高纯(chun)金属(shu)溅(jian)射靶材(cai)发展建(jian)议
（一(yi)）以应用(yong)为牵(qian)引，加强(qiang)“产学研(yan)用(yong)”体(ti)系建(jian)设(she)
着(zhe)眼(yan)集成电(dian)路高端(duan)芯(xin)片(pian)需(xu)求(qiu)，坚持(chi)应(ying)用(yong)牵(qian)引(yin)，采取(qu)“产学(xue)研(yan)用(yong)”协同创(chuang)新(xin)模(mo)式，由(you)靶材企(qi)业(ye)牵头，联合(he)上下(xia)游优势(shi)企(qi)业和科研院所，发展(zhan)靶(ba)材全流程(cheng)组(zu)织、结构(gou)、工(gong)艺一(yi)体(ti)化的(de)集(ji)成(cheng)设计与调(diao)控理(li)论(lun)，突(tu)破(po)制约(yue)集(ji)成(cheng)电路(lu)及(ji)新(xin)兴(xing)产业发(fa)展的高(gao)端靶(ba)材关(guan)键(jian)制备(bei)加(jia)工技术(shu)；为(wei)集(ji)成电路(lu)产业提供(gong)关键战略基础材料保障(zhang)，通过(guo)技术(shu)创(chuang)新(xin)带(dai)动(dong)高纯(chun)金属(shu)溅射(she)靶材(cai)行(xing)业各(ge)环(huan)节协同发(fa)展。加强(qiang)基础技术(shu)研(yan)究(jiu)，注(zhu)重(zhong)与下游客(ke)户(hu)的紧密合(he)作(zuo)，推(tui)动靶材性能验(yan)证和快(kuai)速(su)迭代；优(you)化并提(ti)升(sheng)高(gao)纯(chun)金(jin)属(shu)及靶材制备(bei)技(ji)术，开发(fa)更(geng)高(gao)性能的(de)靶材(cai)产(chan)品(pin)并实(shi)现(xian)量产，促进高(gao)纯(chun)金属(shu)溅(jian)射(she)靶(ba)材行(xing)业(ye)的可(ke)持续(xu)发展。
（二）解(jie)决关(guan)键(jian)设(she)备国产(chan)化(hua)问题(ti)，实现智(zhi)能(neng)化(hua)生(sheng)产(chan)
系(xi)统开(kai)发(fa)高纯(chun)金(jin)属溅(jian)射(she)靶材(cai)用(yong)关键设(she)备(bei)及仪器，如(ru)电子束(shu)熔炼(lian)炉(lu)、热等静(jing)压(ya)设(she)备(bei)、电子(zi)束(shu)焊(han)机、智(zhi)能(neng)热处(chu)理装(zhuang)备、智(zhi)能加(jia)工机床，高精度辉光(guang)放(fang)电(dian)质谱仪、等离子体质(zhi)谱(pu)仪(yi)、碳(tan)硫分(fen)析(xi)仪、氮氧氢分析(xi)仪(yi)。应用信息化、智(zhi)能化、数(shu)字(zi)化技术(shu)，实(shi)现高(gao)纯材料(liao)及(ji)靶材(cai)制造(zao)全(quan)流(liu)程的(de)智(zhi)能(neng)控(kong)制(zhi)与(yu)检测分(fen)析能(neng)力(li)，提高生产能力与(yu)效(xiao)率(lv)，降(jiang)低原(yuan)材(cai)料损(sun)耗(hao)率(lv)与(yu)能(neng)耗，提(ti)升产(chan)品性能与(yu)质量(liang)稳定(ding)性(xing)，全面增强市场(chang)竞(jing)争(zheng)力。
（三）加大优(you)势(shi)团队支(zhi)持力度(du)，加(jia)强人(ren)才队(dui)伍建设(she)
建(jian)议(yi)给予(yu)集(ji)成电(dian)路材料(liao)研发(fa)与产业化(hua)优(you)势(shi)团队的连(lian)续稳定支(zhi)持，建(jian)立高水(shui)平(ping)、开(kai)放(fang)性(xing)的(de)科技创(chuang)新平台，促进材料(liao)冶(ye)金、加(jia)工、分析(xi)检(jian)测(ce)和半导(dao)体技(ji)术的(de)交(jiao)叉(cha)融合，切实提升高(gao)纯金属溅射(she)靶(ba)材(cai)的工(gong)艺(yi)技术水平(ping)。完(wan)善(shan)人(ren)才培(pei)育和(he)培(pei)养(yang)模式(shi)，构建包括(kuo)领(ling)军人(ren)才(cai)、创新(xin)创(chuang)业(ye)人才(cai)、工程技(ji)术(shu)人才(cai)在内(nei)的(de)高水(shui)平(ping)专(zhuan)业(ye)队伍(wu)，积极引(yin)入(ru)具(ju)有(you)国(guo)际化(hua)背景(jing)的(de)制(zhi)造(zao)、管(guan)理、生(sheng)产(chan)技(ji)术(shu)专家(jia)；加(jia)强(qiang)青年(nian)人(ren)才培养，合(he)理(li)落实(shi)人才(cai)激(ji)励措(cuo)施(shi)，为高(gao)纯(chun)金属靶(ba)材(cai)行(xing)业健(jian)康发展提供源(yuan)动(dong)力(li)。
（四）掌(zhang)握自(zi)主(zhu)知识产(chan)权(quan)，开(kai)展标准体系(xi)建(jian)设(she)
开(kai)展(zhan)高纯金(jin)属(shu)溅(jian)射(she)靶材(cai)的专(zhuan)利布(bu)局规划，着重突破(po)高纯原(yuan)材(cai)料(liao)、靶材(cai)加(jia)工工艺及装(zhuang)备(bei)关(guan)键技(ji)术，支持高纯金(jin)属(shu)靶(ba)材(cai)全产(chan)业(ye)链国(guo)产化(hua)和(he)自(zi)主(zhu)创(chuang)新；稳(wen)步(bu)形(xing)成相(xiang)关技(ji)术(shu)的自主知识(shi)产权(quan)，逐步(bu)积(ji)累技术(shu)优(you)势(shi)，建立(li)具(ju)有竞(jing)争(zheng)力(li)的(de)专(zhuan)利(li)池(chi)，争(zheng)取(qu)核心知识产(chan)权(quan)的国(guo)际(ji)地(di)位。开展(zhan)集成(cheng)电路用(yong)高(gao)纯金(jin)属溅射靶材上下游系列产(chan)品、检测方法的标准(zhun)化建设，完善评(ping)价体系，保(bao)障高纯(chun)金属溅(jian)射(she)靶材(cai)产(chan)业发展质量(liang)。
（五(wu)）加强(qiang)国(guo)际合作(zuo)交(jiao)流，做(zuo)好全(quan)球(qiu)化(hua)布(bu)局
稳(wen)健加强(qiang)并对(dui)外(wai)合作，积(ji)极(ji)融(rong)入世(shi)界集成(cheng)电路产业(ye)生态圈(quan)，提(ti)升(sheng)国(guo)际(ji)合作(zuo)层次及(ji)水平，构筑互(hu)利共(gong)赢(ying)的(de)产(chan)业链、供应(ying)链(lian)利益(yi)共(gong)同体。支(zhi)持(chi)具(ju)有优(you)势的(de)靶材(cai)企(qi)业(ye)与国际半(ban)导体(ti)制(zhi)造(zao)企(qi)业(ye)及科研(yan)机构的深(shen)度(du)合(he)作，鼓励新(xin)材(cai)料(liao)、新技(ji)术(shu)联合(he)开发。着眼(yan)世界集成(cheng)电(dian)路(lu)技(ji)术(shu)前沿，发挥(hui)我国(guo)有(you)色(se)金(jin)属(shu)企业的加工优势及成(cheng)本(ben)优势，面(mian)向(xiang)国(guo)际(ji)市(shi)场开展(zhan)高(gao)纯(chun)金属溅射(she)靶材产业(ye)布局(ju)，尽(jin)快跻(ji)身全球(qiu)高(gao)端靶材供(gong)应(ying)商(shang)行列。
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