磁控溅(jian)射(she)镀(du)膜(mo)以(yi)其高速(su)、低温、低(di)损(sun)伤等特点(dian)，可被用(yong)于溅(jian)射半导(dao)体(ti)、金属、绝缘(yuan)体(ti)等(deng)几(ji)乎任(ren)何(he)材(cai)料。因(yin)其具有(you)制(zhi)备(bei)简(jian)单(dan)、附(fu)着力(li)强、镀(du)膜面(mian)积大及(ji)易于控制等优点(dian)。广泛(fan)应用(yong)于电子行(xing)业(ye)、信(xin)息(xi)存(cun)储(chu)产业及其他领域。如(ru)激(ji)光存储(chu)器、集(ji)成电路(lu)、信息(xi)存(cun)储、薄膜(mo)电阻(zu)、电(dian)子控(kong)制(zhi)器(qi)件(jian)、磁记(ji)录、玻璃(li)镀(du)膜、表(biao)面(mian)工程(cheng)及高档装饰等[1,2]。磁控溅射(she)高(gao)纯(chun)铬(ge)靶材(cai)是(shi)近(jin)年来(lai)新研(yan)制(zhi)和(he)开发(fa)的一(yi)种靶材，保守(shou)估(gu)计(ji)年(nian)需求(qiu)量40-50t，市(shi)场(chang)规模(mo)仍(reng)在(zai)不(bu)断(duan)扩大。因而(er)针对市(shi)场大量(liang)需求，选(xuan)择合理的(de)制(zhi)备(bei)方法(fa)，有效(xiao)控(kong)制(zhi)批产成本(ben)，制(zhi)备高品(pin)质的(de)铬(ge)靶(ba)材(cai)就(jiu)显得(de)尤(you)为重(zhong)要(yao)。
1、高纯铬溅(jian)射靶材(cai)的(de)制备方(fang)法(fa)
目前(qian)制备铬(ge)靶材方法主要(yao)有(you)熔(rong)炼(lian)铸锭(ding)法和粉末(mo)冶金(jin)法(fa)，二者各(ge)有优缺点。
1.1熔(rong)炼铸锭(ding)法
熔炼(lian)铸(zhu)锭(ding)法(fa)是制(zhi)备铬(ge)溅(jian)射(she)靶材的(de)主(zhu)要方法(fa)之(zhi)一，通(tong)过(guo)该(gai)方(fang)法可获(huo)得较高(gao)纯(chun)度(du)、高(gao)度致密性(xing)的(de)靶(ba)材(cai)。图(tu)l所(suo)示为(wei)熔(rong)炼铸(zhu)锭法制备(bei)铬(ge)溅射(she)靶(ba)材(cai)的(de)工(gong)艺流(liu)程(cheng)示意(yi)图(tu)。首先(xian)将(jiang)铬棒(bang)通(tong)过单(dan)联(lian)或(huo)双(shuang)联(lian)(电(dian)弧熔炼(lian)、真(zhen)空(kong)感应(ying)熔炼(lian)、电渣(zha)重熔(rong))工(gong)艺(yi)进行(xing)熔炼，然(ran)后将得(de)到(dao)的(de)纯度较高的铸(zhu)锭(ding)或(huo)坯料进行热(re)锻(duan)、退(tui)火、轧(ya)制、成品(pin)退火等(deng)二(er)次(ci)加(jia)工，最(zui)后(hou)精(jing)加工成(cheng)所(suo)需(xu)靶(ba)材(cai)。熔炼(lian)锭或(huo)坯(pi)料(liao)晶粒(li)粗(cu)大(da)，热锻(duan)可(ke)改善(shan)铸造(zao)组织.使(shi)气(qi)孔或偏(pian)析(xi)扩散、消失，再通(tong)过(guo)再(zai)结(jie)晶退(tui)火(huo)，可(ke)以得到100μm以下的(de)晶粒。
贾国斌(bin)唧等(deng)人通过多(duo)年的(de)技术(shu)积累(lei)和(he)不断(duan)的科(ke)研创新，自主研制(zhi)出(chu)第(di)一(yi)台大(da)型(xing)高效电子束(shu)冷床(chuang)熔炼(lian)炉(lu)，并成(cheng)功(gong)生产出(chu)高质(zhi)量(liang)的铬(ge)棒(bang)和(he)钛(tai)棒(bang)。尺(chi)寸为(wei)φ300mm×1500mm，该技(ji)术(shu)解(jie)决(jue)了难熔金属熔(rong)炼铸锭(ding)行(xing)业的(de)难题。
熔(rong)炼铸锭(ding)法是(shi)制(zhi)备(bei)铬(ge)靶材(cai)的基本(ben)方法(fa)之一(yi)，制(zhi)备的靶材(cai)组(zu)织(zhi)致密(mi)、性能(neng)优异，但(dan)受制(zhi)于成型方(fang)法。不可避免会出(chu)现成分偏析、晶粒(li)尺寸(cun)和织(zhi)构(gou)均(jun)匀(yun)性较难(nan)控制(zhi)、工序繁杂等缺(que)点(dian)。
1.2粉末(mo)冶金法
粉(fen)末(mo)冶(ye)金法(fa)制(zhi)备(bei)铬(ge)溅(jian)射(she)靶材(cai)的具体工艺(yi)主(zhu)要(yao)有(you)无压(ya)烧(shao)结(jie)、热压(ya)(HP)、热(re)等(deng)静压(HIP)等(deng)。无压(ya)烧结(jie)方法(fa)的优(you)势在于工序简单(dan)、可以制(zhi)备(bei)致(zhi)密度(du)要(yao)求不(bu)高的大尺(chi)寸(cun)靶(ba)材；但受限于方(fang)法(fa)本身，产品(pin)致密度(du)不(bu)高。如(ru)果(guo)产品致(zhi)密度(du)要(yao)求较高(gao)，可(ke)将无压(ya)烧结与(yu)轧制(zhi)结合起来(lai)。热压法(fa)是(shi)制(zhi)备(bei)纯铬靶材(cai)常(chang)用(yong)的(de)方法(fa)，由(you)于(yu)粉(fen)末(mo)或压(ya)坯(pi)只是单(dan)向加(jia)压，靶材不(bu)能(neng)完全致(zhi)密且存(cun)在密(mi)度(du)梯(ti)度：该(gai)方(fang)法(fa)的优点(dian)在(zai)于工(gong)艺简单(dan)、成(cheng)本较(jiao)低(di)，但(dan)只能(neng)制备(bei)较(jiao)小(xiao)尺(chi)寸(cun)靶(ba)材(cai)，生(sheng)产(chan)效率(lv)较低(di)。
张(zhang)新(xin)房(fang)[4]研(yan)究了(le)不同(tong)加(jia)工方(fang)法(fa)下溅(jian)射铬(ge)靶(ba)材(cai)的(de)密(mi)度.结(jie)果(guo)表(biao)明(ming)采(cai)用(yong)模(mo)压+烧结或(huo)冷(leng)等静(jing)压+烧(shao)结(jie)的方(fang)法均(jun)可(ke)制(zhi)备Cr管靶(ba)材.两(liang)种方法(fa)制(zhi)备的(de)管靶尺(chi)寸相(xiang)当(dang)，其外径(jing)×内径(jing)×高(gao)为φ56.0mm×φ45.9mm×38.0mm。冷等(deng)静压+烧(shao)结的(de)方(fang)法在(zai)密(mi)度和纯(chun)度(du)性能(neng)方面略优于模(mo)压(ya)+烧(shao)结(jie)，其最大密(mi)度为5.928×10kg/m3，最(zui)大纯(chun)度为(wei)82.3％；采用热压方法制(zhi)备的Cr合金(jin)靶(ba)材(cai)，其尺寸(cun)为φ60mmx30mm，密度(du)为(wei)8.363x103kg/m3，纯度为98.4％。张(zhang)青来[5]等人采用氩气(qi)气体保护(hu)热压(ya)法成功(gong)生产(chan)了纯铬(ge)及铬合(he)金靶材.主(zhu)要工艺(yi)参(can)数(shu)为(wei)加(jia)热(re)温(wen)度(du)：1100～1300℃，保温(wen)时间30～60min，随(sui)炉冷却(que)至600℃以(yi)下(xia)出炉(lu)；靶(ba)坯有明显收缩，但(dan)无裂纹(wen)、无胀(zhang)形现象(xiang)，致密(mi)度(du)大于(yu)98％。通(tong)过(guo)系列试(shi)验(yan)表明：在确(que)保靶(ba)环(huan)产品(pin)烧结密度前提下，通(tong)过不(bu)断优(you)化烧(shao)结(jie)工(gong)艺参数(shu)，靶环烧结(jie)成(cheng)本(ben)可(ke)大大(da)降低(di)，降(jiang)幅约(yue)达30%以(yi)上(shang)。
热等(deng)静压(ya)法是(shi)制备(bei)铬(ge)靶材(cai)的(de)有(you)效(xiao)方法(fa)。由(you)于(yu)该(gai)方(fang)法将粉末成形(xing)和(he)烧(shao)结两(liang)步作业(ye)合并成(cheng)一(yi)步，可(ke)以对粉体(ti)均匀施(shi)压，产(chan)品(pin)密度(du)接近材料(liao)理(li)论密度(du).克服了(le)温度高(gao)的缺点(dian)，制(zhi)品(pin)晶粒(li)细(xi)小，还(hai)可依据(ju)炉腔尺(chi)寸(cun)制(zhi)备大(da)尺(chi)寸靶(ba)材(cai)，具(ju)有生产效(xiao)率(lv)高、成本(ben)低的(de)优(you)点。
图2为(wei)西安嘉业(ye)航(hang)空科(ke)技有(you)限公司采(cai)用(yong)热(re)等静(jing)压法制(zhi)备铬溅射(she)靶(ba)材的(de)工艺流程(cheng)示(shi)意(yi)图。热等(deng)静压(ya)通常(chang)的(de)制备流(liu)程(cheng)为(wei)：①首(shou)先(xian)设计(ji)包(bao)套，安排(pai)合理加工方法制(zhi)备包(bao)套。在(zai)无尘车间内(nei)将(jiang)粉(fen)末(mo)填(tian)人包(bao)套(tao)，可采(cai)用(yong)边(bian)震动边装(zhuang)粉或粉(fen)末先经冷等(deng)静压(ya)后再装(zhuang)入包(bao)套(tao)等(deng)方法(fa)提高粉(fen)末(mo)的(de)装填密(mi)度；②在(zai)热(re)处理(li)炉(lu)中高(gao)温(wen)下抽空(kong)包(bao)套(tao)，直(zhi)至(zhi)所(suo)需(xu)真(zhen)空度，热(re)态夹死(si)抽气管并(bing)封焊(han)；③将(jiang)上述(shu)包套置(zhi)于热(re)等(deng)静压(ya)炉中(zhong)进(jin)行热(re)等静(jing)压(ya)处(chu)理(li)；④热(re)等静压(ya)处理后采用机(ji)加方法或(huo)电化(hua)学(xue)腐蚀(shi)去除包套；⑤用(yong)线(xian)切(qie)割或水切(qie)方(fang)法切(qie)割靶材(cai)，获(huo)得(de)所(suo)需尺(chi)寸的(de)产品。
图3所示为西(xi)安(an)嘉(jia)业(ye)航空(kong)科技(ji)有(you)限公(gong)司(si)按(an)上(shang)述流程(cheng)制备(bei)的HIP处理(li)后(hou)纯(chun)铬(ge)靶(ba)材(cai)装(zhuang)配(pei)体(ti)。装配体(ti)总(zong)长约(yue)650mm。图4为(wei)去(qu)除(chu)包(bao)套(tao)后纯(chun)铬靶(ba)材圆(yuan)柱(zhu)体(ti)，经检(jian)测该圆(yuan)柱(zhu)体(ti)致密(mi)度(du)高(gao)达(da)99.86％、晶(jing)粒细(xi)小(xiao)、溅射(she)性(xing)能(neng)优异(yi)。
2、高纯铬(ge)溅(jian)射靶材的(de)特性(xing)
2.1纯(chun)度(du)
高纯度(du)是(shi)溅射(she)铬靶(ba)材的(de)首要(yao)条(tiao)件，纯(chun)度的高(gao)低直(zhi)接影(ying)响着溅(jian)射(she)薄(bao)膜的(de)性能。纯(chun)度越高(gao)，性(xing)能越好。不同(tong)用(yong)途的靶(ba)材产品(pin)对纯(chun)度要(yao)求(qiu)也(ye)不(bu)一样(yang).半(ban)导体、显示(shi)器等(deng)领域用的(de)靶材对纯(chun)度要求十(shi)分严格(ge)，纯(chun)度(du)要(yao)达到99.95％(3N5)以(yi)上[6，7]。一般(ban)工(gong)业用靶材(cai)对纯(chun)度(du)要求(qiu)并不高.达到99％以(yi)上(shang)即(ji)可使(shi)用(yong)。
制备高(gao)纯(chun)的铬(ge)溅射靶材，首先(xian)是原材(cai)料(liao)采用高(gao)纯的(de)铬粉(fen)。其次是(shi)在制(zhi)备过程中防止杂(za)质或异物的(de)进(jin)入。可(ke)在(zai)无尘车间(jian)进行装(zhuang)粉(fen)作(zuo)业(ye)。目前(qian)，国(guo)外制备(bei)高纯(chun)的(de)铬溅(jian)射(she)靶(ba)材。所(suo)用(yong)的铬(ge)原(yuan)材(cai)料粉(fen)末纯(chun)度(du)已达到6N以上(shang)ISl。然而由(you)于(yu)国内(nei)制(zhi)粉(fen)技术起步(bu)较(jiao)晚，所(suo)制备的(de)铬粉纯度还停留在4N水(shui)平，其中西(xi)北地区(qu)制粉技术(shu)较(jiao)领(ling)先(xian)的公司有：陕(shan)西斯(si)瑞(rui)新(xin)材料(liao)股(gu)份有(you)限(xian)公(gong)司和西(xi)安欧中材(cai)料科技(ji)有(you)限公司(si)，生(sheng)产(chan)的铬粉纯度(du)为99.995％。
2.2致(zhi)密度(du)
为(wei)提(ti)高(gao)溅射薄膜(mo)性(xing)能(neng).首当其(qi)冲需制(zhi)备致(zhi)密度(du)较高的溅(jian)射(she)铬(ge)靶(ba)材。高纯(chun)铬(ge)靶(ba)材的致密度主要由(you)制(zhi)备(bei)工艺决定(ding)。受限于(yu)制(zhi)备(bei)条件(jian)，无(wu)压(ya)烧(shao)结法(fa)制(zhi)备(bei)的(de)铬(ge)靶材(cai)中(zhong)极(ji)有可(ke)能含有一定数(shu)量的气孔。气孔(kong)的(de)存(cun)在(zai)会(hui)导(dao)致(zhi)溅(jian)射(she)时(shi)产生(sheng)不正(zheng)常(chang)放电而产生(sheng)杂质(zhi)粒子(zi)。直接(jie)影响薄膜性(xing)能[9]。热压烧(shao)结(jie)制(zhi)备(bei)的(de)铬靶(ba)材(cai)虽(sui)然(ran)致密度有(you)一(yi)定提升(sheng)，但(dan)在(zai)靶材(cai)的横(heng)向(xiang)和纵(zong)向(xiang)存(cun)在密度(du)不均匀现(xian)象(xiang)，薄(bao)膜性能(neng)不(bu)均一(yi)。热等静(jing)压法(fa)制(zhi)备(bei)的铬(ge)靶(ba)材(cai)组(zu)织(zhi)均匀、晶粒细(xi)小。密度接近于(yu)理论密度(du)。不同用(yong)途(tu)的(de)靶(ba)材(cai)产品对(dui)致(zhi)密(mi)度要求也(ye)不(bu)一(yi)样，一(yi)般工业用(yong)靶(ba)材致密(mi)度达到(dao)99.0％以(yi)上即可，其(qi)中(zhong)西安(an)嘉业航空(kong)科技有(you)限(xian)公(gong)司采用热(re)等(deng)静压方法(fa)制(zhi)备(bei)了(le)纯铬靶材圆柱(zhu)体(ti)。致密度(du)高(gao)达(da)99.86％。
2.3晶(jing)粒尺寸(cun)
通常铬(ge)靶材为多(duo)晶结构(gou).晶粒尺(chi)寸的(de)大小直接影(ying)响着(zhe)溅射(she)速度。研究(jiu)表明(ming)晶粒(li)细(xi)小(xiao)的(de)靶(ba)材(cai)溅(jian)射速(su)率(lv)要(yao)比(bi)晶粒(li)粗大的快，并且(qie)晶粒尺寸整体差(cha)异较(jiao)小的(de)铬靶材通过(guo)溅射(she)后沉积(ji)的(de)薄(bao)膜厚度分布(bu)比(bi)较均(jun)匀[10]。目(mu)前国内(nei)生(sheng)产(chan)的(de)铬(ge)靶(ba)材(cai)平(ping)均(jun)晶(jing)粒度(du)为(wei)100μm左(zuo)右。西安(an)嘉(jia)业(ye)航(hang)空科技(ji)有限(xian)公司(si)生产(chan)的(de)铬(ge)靶(ba)材(cai)致(zhi)密度(du)高达99.86％，组织(zhi)均匀细小，平均晶(jing)粒度为80μm，产(chan)品(pin)质量处于(yu)国(guo)内领先水(shui)平。
2.4结晶取(qu)向(xiang)
金属铬(ge)晶体(ti)结(jie)构(gou)是体心(xin)立方。在(zai)靶材磁控溅(jian)射过(guo)程(cheng)中(zhong)，晶粒取向(xiang)越趋于一致，溅射(she)时(shi)薄(bao)膜(mo)沉(chen)积速(su)率越(yue)快.并(bing)且(qie)薄膜厚(hou)度(du)均(jun)匀性(xing)越(yue)好。原(yuan)子容易沿六(liu)方最(zui)紧(jin)密排(pai)列方(fang)向择(ze)优溅射(she)出来(lai).因(yin)此(ci)可采(cai)用(yong)不(bu)同的(de)成型(xing)方(fang)法(fa)及热处(chu)理(li)工艺(yi)控(kong)制(zhi)靶(ba)材(cai)结(jie)晶(jing)结构(gou)，获(huo)得一(yi)定(ding)结晶取向的(de)靶材来(lai)提高(gao)溅(jian)射(she)速(su)率(lv)[11，12]。
2.5几何(he)形(xing)状
铬靶(ba)材(cai)后(hou)期(qi)机(ji)械(xie)加(jia)工精度(du)和加工(gong)表(biao)面(mian)质(zhi)量亦影响(xiang)薄(bao)膜性(xing)能(neng)。如(ru)果靶材表面存在(zai)尖(jian)端(duan)或凸(tu)起，在(zai)溅(jian)射(she)过(guo)程中存在尖端效应。这些(xie)尖(jian)端或(huo)凸(tu)起的(de)电势大幅提(ti)高(gao).从(cong)而(er)击穿介(jie)质(zhi)放电。在(zai)磁(ci)控(kong)溅射(she)前(qian)，需(xu)将(jiang)靶材(cai)与导电性好的无氧铜或(huo)铝(lv)等其(qi)他材(cai)料做成(cheng)的(de)底(di)座(zuo)连(lian)接(jie)在(zai)一起，保(bao)证(zheng)溅射(she)过程(cheng)时(shi)靶(ba)材与底盘(pan)具有(you)良好(hao)的导电导(dao)热性(xing)触(chu)[13]。结合(he)的(de)溅射靶材经(jing)过(guo)超声(sheng)波检(jian)测。需(xu)保(bao)证(zheng)两者的不结合(he)区域(yu)小(xiao)于2％，才能(neng)满足大功(gong)率(lv)溅(jian)射(she)要求(qiu)。
3、高纯(chun)铬溅射(she)靶(ba)材(cai)存在(zai)问题及发(fa)展(zhan)趋(qu)势
目(mu)前(qian)制备(bei)高纯铬靶材存在的(de)问(wen)题(ti)主(zhu)要有(you)：国内制备超高(gao)纯(chun)粉末原(yuan)材(cai)料技(ji)术落后(hou)、产(chan)品纯(chun)度不高、大(da)尺(chi)寸靶材难(nan)以(yi)制备、靶(ba)材生(sheng)产(chan)效(xiao)率低(di)及(ji)成本高(gao)、使用过(guo)程(cheng)中靶(ba)材利(li)用率低(di)等(deng)问(wen)题。这些问题(ti)限制(zhi)了(le)靶(ba)材的进(jin)一步应用(yong)。
3.1制(zhi)备大尺寸溅(jian)射铬(ge)靶材
随着(zhe)电(dian)子(zi)行业突(tu)飞(fei)猛(meng)进(jin)发(fa)展，平面(mian)显(xian)示器(qi)的尺(chi)寸(cun)逐(zhu)渐增大。溅射靶材所(suo)需的基(ji)板(ban)尺(chi)寸也(ye)越来越大型(xing)化(hua)，因此(ci)相(xiang)应(ying)溅射(she)靶(ba)材(cai)的尺寸规格(ge)也(ye)相应增大(da)[14]。这时，确保(bao)大(da)尺(chi)寸溅(jian)射(she)靶材(cai)的(de)尺(chi)寸规(gui)格(ge)、晶粒细(xi)小均(jun)一(yi)、高度(du)致(zhi)密，就(jiu)成为铬(ge)靶材制(zhi)造厂商(shang)所需(xu)要解(jie)决(jue)的最(zui)大问(wen)题。选择合(he)适的制(zhi)造大(da)尺寸、高(gao)品(pin)质的靶(ba)材(cai)技术(shu)迫(po)在眉睫。热等静(jing)压技术(shu)可有(you)效解决以(yi)上(shang)难(nan)题(ti)[15]。 热(re)等静(jing)压(ya)技(ji)术可依据(ju)客(ke)户(hu)要(yao)求(qiu)和(he)炉腔(qiang)尺寸，灵活设计(ji)生(sheng)产圆(yuan)靶、管靶、方(fang)靶(ba)。西安嘉(jia)业航(hang)空(kong)科技(ji)有(you)限(xian)公司(si)在(zai)制(zhi)备圆柱体(ti)铬靶材(cai)时。每炉(lu)最(zui)大生产(chan)产(chan)品重(zhong)量(liang)约(yue)1t，提(ti)高生产(chan)效率(lv)的同(tong)时(shi)降(jiang)低了成本(ben)。
3.2超(chao)高(gao)纯溅(jian)射(she)铬靶(ba)材(cai)开(kai)发(fa)
根据(ju)目(mu)前市场上(shang)高(gao)纯铬溅射靶(ba)材(cai)的(de)研(yan)究(jiu)现(xian)状，由于国(guo)内(nei)制备粉(fen)末原(yuan)材料技(ji)术(shu)略(lve)晚于国(guo)外(wai)，因(yin)而(er)生产(chan)的(de)高(gao)纯金(jin)属原(yuan)材料(liao)粉末与(yu)国(guo)外发达国家还(hai)有一定差距。目前(qian)，国(guo)内生产的多数高纯金(jin)属(shu)粉(fen)末(mo)仅达(da)到(dao)4N水平，个(ge)别(bie)企业可达(da)到5N水(shui)平，还不能够满(man)足高端(duan)或超(chao)高(gao)端薄膜(mo)溅(jian)射靶(ba)材(cai)的(de)质量要(yao)求(qiu)。因(yin)此。对于国内(nei)而言(yan)。发(fa)展(zhan)超高纯的铬溅射(she)薄(bao)膜(mo)靶材(cai)任重(zhong)而(er)道远。
3.3提(ti)高铬(ge)溅(jian)射(she)靶材(cai)利用(yong)率
传统的(de)平面磁(ci)控溅射(she)靶(ba)材的(de)利用(yong)率较(jiao)低，只(zhi)有50％左右。近年(nian)来，随着(zhe)技术(shu)的升级(ji)，磁控(kong)溅射(she)设(she)备逐(zhu)步改(gai)善，相(xiang)应(ying)管状旋(xuan)转靶材(cai)结构(gou)设(she)计(ji)应运而(er)生.溅射靶材的利用率(lv)已达到(dao)80％以上[16]。因(yin)此，提(ti)高(gao)靶(ba)材利用(yong)率(lv)的(de)关键在(zai)于(yu)实现溅(jian)射(she)设(she)备(bei)的更(geng)新换(huan)代和(he)新型(xing)结构(gou)靶(ba)材的开(kai)发，如何提高溅射靶(ba)材利(li)用(yong)率仍然是(shi)今后研究设计(ji)靶材(cai)和(he)溅射(she)设(she)备(bei)的主要(yao)发(fa)展方(fang)向之一[17]。
4、展(zhan)望(wang)
随(sui)着电子行(xing)业、信息存储产业、太阳(yang)能电池等(deng)高技术(shu)产业的快速(su)发展。预计LCD溅射(she)靶(ba)材(cai)的消(xiao)费量(liang)年增长率(lv)约为(wei)20％，中(zhong)国靶(ba)材市(shi)场(chang)已逐(zhu)渐(jian)成(cheng)为(wei)世(shi)界薄(bao)膜靶(ba)材(cai)的(de)最(zui)大(da)需(xu)求地区之(zhi)一(yi)，这(zhe)为高纯(chun)铬(ge)溅(jian)射靶(ba)材(cai)制造业提(ti)供了机遇和挑(tiao)战。
如何解(jie)决目前(qian)高(gao)纯(chun)铬(ge)靶(ba)材制备过(guo)程中(zhong)存在的纯度(du)不高、大(da)尺寸靶材难以制备(bei)、靶(ba)材生(sheng)产(chan)效(xiao)率低(di)及(ji)成(cheng)本高、使(shi)用(yong)过程中(zhong)靶(ba)材(cai)利(li)用率(lv)低(di)、先(xian)进磁控溅射(she)设备(bei)开发(fa)等(deng)问题(ti)，为国内(nei)外客户提供(gong)高(gao)性(xing)价(jia)比的溅(jian)射靶(ba)材(cai)，是国(guo)内(nei)材(cai)料工作者迫在眉睫的(de)现实问(wen)
题(ti)。因此(ci)，为提(ti)高我国高纯、超(chao)高纯(chun)铬靶材(cai)所属(shu)的(de)新(xin)材料领(ling)域竞(jing)争力。需要(yao)得到国家(jia)的高度重视(shi)，从(cong)原(yuan)材(cai)料(liao)生(sheng)产到产(chan)业(ye)中(zhong)游(you)设备(bei)制(zhi)造再(zai)到靶材(cai)制备(bei)最后到下游(you)镀(du)膜(mo)应用.整(zheng)个(ge)产业链必(bi)将带(dai)动(dong)行(xing)业的(de)发展(zhan)，创造(zao)可观的(de)经(jing)济(ji)效益和社(she)会(hui)价值(zhi)。
参(can)考(kao)文献(xian)：
[1]贾国斌，冯(feng)寅(yin)楠(nan)，贾(jia)英(ying).磁控溅(jian)射用(yong)难熔(rong)金属靶材(cai)制(zhi)作、应用于发(fa)展[J].金(jin)属功能(neng)材料(liao)，201623(6)：49—51.
[2]董(dong)亭义，万小(xiao)勇，章程，等.磁(ci)控溅射(she)钛靶(ba)材的发展(zhan)概述(shu)[J].金(jin)属(shu)功(gong)能(neng)材(cai)料(liao).2017.24(5)：57.61.
[3]贾(jia)国(guo)斌(bin)，尹(yin)中荣.电(dian)子(zi)束技术在(zai)难(nan)熔(rong)金属行(xing)业(ye)的应用(yong)[J]稀有金(jin)属材料(liao)与工(gong)程(cheng)，2012，41(2)：113.
[4]张新(xin)房.粉末冶金(jin)法(fa)制(zhi)高纯溅(jian)射(she)铬靶(ba)材的(de)方法[J].山西冶(ye)金，2014，37(4)：13—14.
[5]张青(qing)来，贺继(ji)弘(hong).粉(fen)末冶(ye)金(jin)高纯(chun)铬和铬合金溅射靶材烧(shao)结工艺(yi)研究(jiu)[J].金属成(cheng)形工(gong)艺(yi)，2003，21(6)：83-85.
[6]Kun-MingChen，Deng-AnTsai，Hao—ChiaLiaoetc.Investigation ofA1-Cr alloy targetssinteredbyvariouspowdermetallurgymeth-odsandtheirparticlegenerationbehaviorsinsputteringprocess[J].
JournalofAlloysandCompounds，2016，663(5)：52·59.
[7]张(zhang)世贤，谭(tan)中熊，李(li)世钦(qin)，等(deng).热(re)等静(jing)压(ya)Cr-Si靶(ba)材(cai)的特性及微(wei)结构(gou)研究(jiu)[J]粉末冶金材料科学(xue)与(yu)工程(cheng)，2007，12(5)：276—283.
[8]MakhtariA，LaViaF，Rainneri，eta1.Structuralcharaeterizationoftitaniumsiliconcarbidereaction[J]MicroelectronicEngineering，2001，55(1)：375.
[9]安(an)耿(geng)，李晶(jing)，刘(liu)仁智，等.钼溅射靶(ba)材(cai)的(de)应(ying)用(yong)、制(zhi)备及(ji)发(fa)展[J].中国钼(mu)业(ye)，2011，35(2)：45.46.
[10]郝小(xiao)雷(lei).组织均(jun)匀(yun)钽溅射(she)靶材的(de)制备现状(zhuang)[J]山(shan)东工业(ye)技术，2017，63(2)：158-159.
[11]杨(yang)帆(fan)，王快社，胡(hu)平，等.高(gao)纯(chun)钼(mu)溅(jian)射靶材(cai)的研究(jiu)现(xian)状及(ji)发展(zhan)趋势(shi)[J].热加(jia)工(gong)工(gong)艺(yi)，2013，42(24)：10.
[12]陈(chen)建军(jun)，杨(yang)庆山，贺丰收(shou).溅射靶材的(de)种(zhong)类、应(ying)用、制备及(ji)发(fa)展(zhan)趋(qu)势(shi)[J]t湖南有(you)色金(jin)属，2016，16(4)：38-40.
[13]郑金凤，扈(hu)百直，杨(yang)国(guo)启(qi)，等(deng).高(gao)纯(chun)钽(tan)溅射(she)靶(ba)材制备(bei)工艺(yi)进(jin)展(zhan)[J].湖(hu)南有色金(jin)属(shu)，2016，32(4)：54.58.
[14]迟(chi)伟(wei)光(guang)，张(zhang)凤(feng)戈，王(wang)铁军，等(deng).溅射(she)靶材的(de)应用(yong)及(ji)发展(zhan)前(qian)景[J].新材(cai)料(liao)产业(ye)，2010，11(2)：6-8.
[15]王国栋(dong)，王艳(yan)，李高(gao)林，等(deng).溅(jian)射(she)用(yong)优质铌(ni)靶材(cai)的制备(bei)叨(dao).稀有(you)金(jin)属材(cai)料科学与(yu)工(gong)程，2008，37(4)：532—533.
[16]赵(zhao)宝(bao)华(hua)，范海波，孙院军(jun)，等.T丌(ji).LCD制(zhi)造(zao)用钼薄膜溅射及(ji)其(qi)靶(ba)材(cai)[J].中(zhong)国钼(mu)业(ye)，2011，35(1)：7-lO.
[17]张冷(leng)，张(zhang)维佳(jia)，宋登(deng)元(yuan)，等.铜铟镓硒薄膜的(de)真(zhen)空(kong)制备及(ji)靶材(cai)研究(jiu)现状(zhuang)[J]功能(neng)材(cai)料，2013，44(14)：1990-1994.
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