磁(ci)控(kong)溅射(she)靶(ba)材(cai)的(de)原理(li)以及(ji)种(zhong)类(lei)

磁控(kong)溅射(she)原(yuan)理：

在被溅(jian)射(she)的靶极(ji)(阴极)与(yu)阳极(ji)之间(jian)加一个正交(jiao)磁(ci)场(chang)和电场，在(zai)高(gao)真空室中充(chong)入所需(xu)要(yao)的(de)惰性(xing)气体(通常为(wei)Ar气)，永(yong)久磁铁(tie)在(zai)靶材(cai)料表(biao)面形成(cheng)250～350高斯(si)的(de)磁(ci)场，同高(gao)压(ya)电场(chang)组成正交(jiao)电磁场，在电(dian)场的(de)作(zuo)用下(xia)，Ar气电(dian)离成(cheng)正(zheng)离(li)子和电子，靶上(shang)加有(you)一定(ding)的(de)负(fu)高压(ya)，从靶极(ji)发出的电(dian)子(zi)受(shou)磁(ci)场(chang)的(de)作用与工作(zuo)气(qi)体(ti)的电(dian)离(li)几率(lv)增大(da)，在阴极(ji)附近(jin)形成(cheng)高(gao)密度(du)的等(deng)离(li)子(zi)体，Ar离子在(zai)洛仑(lun)兹(zi)力(li)的作(zuo)用下加速飞向靶面(mian)，以很高的速度轰击靶面，使(shi)靶上(shang)被(bei)溅(jian)射出来的(de)原(yuan)子(zi)遵(zun)循动(dong)量(liang)转换(huan)原(yuan)理以(yi)较高(gao)的动能脱离(li)靶面飞(fei)向(xiang)基(ji)片淀积(ji)成(cheng)膜(mo)。

磁(ci)控溅(jian)射(she)一般分(fen)为(wei)二种：直流溅(jian)射(she)和(he)射(she)频溅(jian)射(she)，其中直(zhi)流(liu)溅射(she)设备原理简单(dan)，在(zai)溅射金(jin)属(shu)时，其速(su)率也快(kuai)，而(er)射频溅射(she)的(de)使(shi)用(yong)范围更(geng)为广(guang)泛，除可(ke)溅射(she)导(dao)电(dian)材(cai)料(liao)外(wai)，也(ye)可(ke)溅射非导(dao)电(dian)的材(cai)料，同时还可(ke)进行(xing)反(fan)应(ying)溅射制(zhi)备氧化(hua)物(wu)、氮化物和碳化物等(deng)化合(he)物材料(liao)，若射频(pin)的(de)频率提(ti)高(gao)后就成为微波(bo)等(deng)离(li)子(zi)体(ti)溅(jian)射(she)，如今(jin)，常(chang)用的有电子回旋共振(zhen)(ECR)型(xing)微波(bo)等(deng)离(li)子体溅(jian)射。

磁(ci)控溅(jian)射(she)靶材种(zhong)类(lei)：

金(jin)属(shu)溅射(she)镀膜(mo)靶材，合金溅(jian)射镀(du)膜靶材，陶瓷溅(jian)射镀(du)膜靶(ba)材，硼(peng)化物陶(tao)瓷溅(jian)射靶材(cai)，碳(tan)化物陶(tao)瓷溅(jian)射(she)靶材(cai)，氟化物(wu)陶(tao)瓷溅射靶材，氮化物(wu)陶瓷(ci)溅射(she)靶材(cai)，氧化物陶(tao)瓷靶(ba)材，硒(xi)化物(wu)陶瓷溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)，硅化物陶(tao)瓷(ci)溅射靶(ba)材(cai)，硫化物陶(tao)瓷(ci)溅(jian)射靶(ba)材，碲化物陶瓷溅(jian)射(she)靶(ba)材(cai)，其(qi)他陶瓷(ci)靶材，掺铬一氧(yang)化(hua)硅陶(tao)瓷(ci)靶材(Cr-SiO)，磷(lin)化(hua)铟(yin)靶(ba)材(cai)(InP)，砷(shen)化(hua)铅靶(ba)材(cai)(PbAs)，砷化铟靶(ba)材(InAs)。

相(xiang)关(guan)链(lian)接(jie)